WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[8301-8400]

Pages:     | 1 |   ...   | 82 | 83 || 85 | 86 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Механизм и кинетика начальных стадий роста пленки GaN © С.А. Кукушкин, В.Н. Бессолов, А.В. Осипов, А.В. Лукьянов Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия »
  2. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaN © В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  3. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Алгоритм развертки для численной генерации и записи фуллеренов © А.М. Лившиц, Ю.Е. Лозовик Институт спектроскопии Российской академии наук, 142092 Троицк, Московская обл., Россия E-mail:»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Стимулирование люминесценции варизонных полупроводников AlxGa1-xAs © К. Пожела, Р.-А. Бендорюс, Ю. Пожела, А. Шиленас Институт физики полупроводников, 2600 Вильнюс, Литва (Получена 17 мая 2000»
  5. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Численное моделирование методом MINDO/3 электронной структуры нитрида кремния © В.А. Гриценко, Ю.Н. Мороков, Ю.Н. Новиков Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090»
  6. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Квантовые эффекты в виртуальных и низкотемпературных сегнетоэлектриках (Обзор) © О.Е. Квятковский Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:»
  7. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фототока © Д.С. Сизов¶, В.С. Сизов, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, Н.Н. Леденцов»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Проблемы наблюдения методом мессбауэровской спектроскопии 67 на изотопе Zn процесса бозе-конденсации в полупроводниках © С.А. Немов, Н.П. Серегин, С.М. Иркаев Санкт-Петербургский»
  9. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Эволюция образования и роста полости в пентагональных кристаллах электролитического происхождения © И.С. Ясников, А.А. Викарчук Тольяттинский государственный университет, 445056 Тольятти, Россия E-mail:»
  10. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Модифицирование нанокластеров германия в кремнии под действием импульсного лазерного излучения © В.А. Володин¶, Е.И. Гацкевич , А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев , + А.И. Никифоров,»
  11. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Кинетика трансформации домена электрического поля в слабо связанных сверхрешетках в поперечном электрическом поле © Ю.А. Митягин¶, В.Н. Мурзин, Ю.А. Ефимов, А.А. Пищулин, В.Н. Пырков Физический»
  12. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Особенности резонансного акустооптического взаимодействия в условиях реально уширенной линии поглощения © А.В. Герус, В.В. Проклов, В.Н. Чесноков Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,»
  13. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Особенности фотолюминесценции структур InAs/GaAs с квантовыми точками при различной мощности накачки ¶ © В.А. Кульбачинский , В.А. Рогозин, Р.А. Лунин, А.А. Белов, А.Л. Карузский, А.В.»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Радиационная стойкость широкозонных полупроводников (на примере карбида кремния) + © А.А. Лебедев, В.В. Козловский , Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, А.М. Иванов, А.М. Стрельчук, Р. Якимова»
  15. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Спектр непрямого магнетоэкситона © Н.Е. Капуткина, Ю.Е. Лозовик Московский институт стали и сплавов, 117936 Москва, Россия Институт спектроскопии Российской академии наук, 142092 Троицк, Россия»
  16. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Аналог эффекта Ганна при туннельном переносе между квантовыми ямами с разной подвижностью © П.И. Бирюлин¶, А.А. Горбацевич, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев, В.Т. Трофимов Московский государственный»
  17. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Кластеры ионов III группы в активированных кристаллах типа флюорита © С.А. Казанский, А.И. Рыскин Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, 199034 Санкт-Петербург, Россия E-mail:»
  18. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны © И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, В.Д. Каган, А.М. Крещук, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.Ю. Смирнов, А.В.»
  19. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Фотолюминесценция нанокластеров сульфида кадмия, сформированных в матрице пленки Ленгмюра-Блоджетт ¶ © Е.А. Багаев, К.С. Журавлев , Л.Л. Свешникова, И.А. Бадмаева, С.М. Репинский, M. Voelskow»
  20. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Колебательные моды и электронно-фононное взаимодействие в полупроводниковых нанотрубках © А.И. Ведерников¶, А.В. Чапли궶 Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия »
  21. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Межзонное поглощение света в размерно-ограниченных системах в однородном электрическом поле © Э.П. Синявский¶, С.М. Соковнич, Р.А. Хамидуллин Институт прикладной физики Академии наук Молдавии,»
  22. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Оптическая активность несоразмерных кристаллов в режиме плосковолновой модуляции © О.С. Кушнир, Л.О. Локоть Львовский государственный университет им. И. Франко, 290005 Львов, Украина (Поступила в Редакцию 10»
  23. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Кинетическая теория отрицательного магнетосопротивления как альтернатива слабой локализации в полупроводниках ¶ © В.Э. Каминский Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,»
  24. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Electron nonelastic scattering by confined and interface polar optical phonons in a modulation-doped AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well © K. Poela Semiconductor physics institute, 2600 Vilnius,»
  25. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны проводимости © Л.Г. Герчиков¶, Ю.А. Мамаев, А.В. Субашиев, Ю.П. Яшин, Д.А. Васильев, В.В.»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Фотосопротивление Si / Ge / Si-структур с квантовыми точками германия © О.А. Шегай¶, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков Институт физики полупроводников Сибирского»
  27. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Оптические свойства сверхтонких внедрений соединения GaAsN в GaAs, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии +¶ + + + + © Н.В. Крыжановская , А.Г. Гладышев , А.Р. Ковш , И.П. Сошников ,»
  28. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Динамика резонансного туннелирования в гетероструктурах с двухдолинным спектром © Г.Ф. Караваев, А.А. Воронков Сибирский физико-технический институт, 634050 Томск, Россия (Получена 4 марта 1998 г.»
  29. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений © В.В. Лундин¶, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.Г.»
  30. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Электрические характеристики интерференционных транзисторов с одним затвором на различных полупроводниковых материалах © И.И. Абрамов, А.И. Рогачев Белорусский государственный университет»
  31. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Фотолюминесценция кремниевых нанокристаллов под действием электрического поля ¶ © Е.Н. Вандышев , А.М. Гилинский, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев Институт физики полупроводников Сибирского»
  32. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Электронная структура стеклообразных фосфатов со сложным строением кислородной подрешетки © А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов, Ю.В. Щапова Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург, Россия»
  33. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Термодинамика тока в сверхпроводящих и сверхтекучих системах © Е.К. Кудинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 24»
  34. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Parameters of light-induced charge transfer processes in photorefractive crystals © O.F. Schirmer, C. Veber, M. Meyer Fachbereich Physik, Universitt Osnabrck, D-49069 Osnabrck, Germany A method is outlined»
  35. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Оптическая спектроскопия двумерных электронных состояний в модулированно-легированных гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs © А.В. Гук, В.Э. Каминский, В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, Ю.В. Хабаров Институт»
  36. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Излучение на 1.3–1.4 мкм в структурах с массивами связанных квантовых точек, выращенных методом субмонослойной эпитаксии © Б.В. Воловик, Д.С. Сизов, А.Ф. Цацульников, Ю.Г. Мусихин, Н.Н.»
  37. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Электропроводность квантовых проволок в однородном магнитном поле © Э.П. Синявский¶, Р.А. Хамидуллин Институт прикладной физики Академии наук Молдовы, МД-2028 Кишинев, Молдова (Получена 29»
  38. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Электронный магнетотранспорт в связанных квантовых ямах с двухсторонним легированием ¶ © Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский , И.С. Васильевский , В.А. Кульбачинский , Р.А. Лунин Институт СВЧ»
  39. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Самопроизвольное формирование периодической наноструктуры с модуляцией состава в пленках CdxHg1-xTe ¶ ¶¶ © П.А. Бахтин, В.С. Варавин , С.А. Дворецкий, А.Ф. Кравченко , А.В. Латышев, Н.Н.»
  40. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Эхо-отклик в сегнетоэлектрических жидких кристаллах © В.А. Попов, А.Р. Кессель Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия (Поступила в Редакцию 6 ноября 1997 г.) Для»
  41. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Циркулярная поляризация люминесценции, обусловленная током в квантовых ямах ¶ © Н.С. Аверкиев , А.Ю. Силов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  42. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Влияние дозы и режима отжигов на формирование центров люминесценции в SiO2, имплантированном ионами Si © Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В.»
  43. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Полумагнитные сверхрешетки типа II ZnMnSe/ZnSSe: рост и магнитолюминесцентные свойства ¶ © А.А. Торопов , А.В. Лебедев, С.В. Сорокин, Д.Д. Салнышков, С.В. Иванов, П.С. Копьев, И.А. Буянова ,»
  44. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 8 Термоэдс увлечения электронов фононами в легированном висмуте © В.Д. Каган, Н.А. Редько, Н.А. Родионов, В.И. Польшин, О.В. Зотова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Нелинейная теория когерентной генерации резонансно-туннельного диода в широком интервале частот © В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев, А.И. Подливаев Московский государственный инженерно-физический»
  46. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Локализация электронно-дырочных комплексов на флуктуациях интерфейсов квантовых ям © М.А. Семина¶, Р.А. Сергеев, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  47. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 8 A point group approach to selection rules in crystals © V.P. Smirnov, R.A. Evarestov , P. Tronc Institute of Fine Mechanics and Optics, 197101 St. Petersburg, Russia St. Petersburg State University,»
  48. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Structure and charge transfer dynamics of uranyl ions in boron oxide and borosilicate glasses © G.K. Liu, H.Z. Zhuang, J.V. Beitz, C.W. Williams, V.S. Vikhnin Chemistry Division, Argonne National»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Экситонная рекомбинация около края подвижности в CdSe/ZnSe-наноструктурах ¶ © М.Я. Валах , М.П. Лисица, В.В. Стрельчук, Н.В. Вуйчик, С.В. Иванов , А.А. Торопов , Т.В. Шубина , П.С. Копьев»
  50. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Формирование двумерных и одномерных твердофазных квантовых наноструктур в системе CdHgTe–электролит © В.Б. Божевольнов, А.М. Яфясов¶, П.П. Коноров Научно-исследовательский институт физики им.»
  51. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Нанокомпозиты опал–ZnO: структура и эмиссионные свойства ¶ © Г.А. Емельченко , А.Н. Грузинцев , М.Н. Ковальчук , В.М. Масалов, Э.Н. Самаров, + Е.Е. Якимов , C. Barthou , И.И. Зверькова»
  52. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Влияние спин-орбитального взаимодействия на оптические спектры акцептора в полупроводниковой квантовой точке © А.Ф. Полупанов, В.И. Галиев, М.Г. Новак Институт радиотехники и электроники»
  53. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 К расчету энергии связи электронов и позитронов в диэлектрическом кластере © В.В. Погосов, И.Т. Якубов Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики Российской академии наук, 127412 Москва,»
  54. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Возможный спектр позитронных состояний в пористом кремнии © В.И. Графутин, Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков, Г.Г. Мясищева, Ю.В. Фунтиков Институт теоретической и экспериментальной физики, 117259 Москва,»
  55. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Влияние дисперсии размеров на оптическое поглощение системы полупроводниковых квантовых точек © М.И. Василевский, А.М. де Паула, Е.И. Акинкина, Е.В. Анда† Нижегородский государственный университет»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 11 Эффекты упорядочения наноструктур в системе Si / Ge0.3Si0.7 / Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии ,+,=¶ ,+,= =,- © Г.Э. Цырлин , В.А. Егоров , Л.В. Соколов , P. Werner= Институт»
  57. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Структура и плавление дипольных кластеров © Ю.Е. Лозовик, Е.А. Ракоч Институт спектроскопии Российской академии наук, 142092 Троицк, Московская обл., Россия (Поступила в Редакцию 26 января 1998 г.)»
  58. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Плазменные зоны в графите © Е.М. Байтингер Челябинский государственный педагогический университет, 454080 Челябинск, Россия (Поступила в Редакцию 24 мая 2005 г.) Представлены и обсуждаются экспериментальные»
  59. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Нелинейные оптические и светочувствительные свойства полиамидоимидов, содержащих промышленные азокрасители © Е.Л. Александрова, М.Я. Гойхман, Л.И. Субботина, Н.Н. Смирнов, А.Э. Бурсиан, А.В.»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Резонансные переходы электрона между тремя полупроводниковыми квантовыми точками под действием лазерного излучения © А.В. Цуканов¶ Физико-технологический институт Российской академии наук,»
  61. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Фотолюминесценция пористого арсенида галлия © Д.Н. Горячев, О.М. Сресели Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 10 июня 1997»
  62. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 8 Структурные дефекты в подложках 6HSiC и их влияние на рост эпитаксиальных слоев методом сублимации в вакууме © Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина Физико-технический»
  63. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Прыжковая проводимость в мезопористом кремнии с малой пористостью, сформированном на p+-Si B © С.П. Зимин¶ Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, 150000 Ярославль, Россия»
  64. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Синтез и исследование диселенида титана, интеркалированного ферроценом и кобальтоценом © А.Н. Титов,, О.Н. Суворова, С.Ю. Кетков, С.Г. Титова, А.И. Меренцов Институт физики металлов Уральского отделения»
  65. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Некоторые сравнительные термодинамические характеристики фуллерита и отдельных ковалентных элементов © В.Д. Бланк, А.А. Нуждин, В.М. Прохоров, Р.Х. Баграмов Научно-технический центр ”Сверхтвердые материалы”,»
  66. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Поляризационная память в пористом окисленном слое SiC © А.М. Данишевский, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  67. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Структурные закономерности фотоэффекта в полиимидных структурах, содержащих гетероциклические фрагменты © Е.Л. Александрова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Удаление фторполимерных загрязнений с поверхности кремниевых структур при обработке в потоке атомарного водорода ¶ © Е.В. Анищенко, В.А. Кагадей , Е.В. Нефёдцев , Д.И. Проскуровский , С.В.»
  69. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Селективная лазерная спектроскопия локализованных экситонов в твердых растворах GaSe–GaTe в магнитном поле © А.Н. Старухин, Б.С. Разбирин, А.В. Чугреев, М. Хапп, Ф. Хеннебергер Физико-технический институт»
  70. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Перестройка током длины волны излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb / InAsSbP двойных гетероструктур, излучающих в области 3.3 мкм © Т.Н. Данилова, А.П. Данилова, О.Г.»
  71. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Слабая локализация неупруго отраженных электронов в условиях Оже-эмиссии © В.В. Дубов, В.В. Кораблев Санкт-Петербургский государственный технический университет, 194251 Санкт-Петербург, Россия E-mail:»
  72. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Нелинейное преобразование частоты в лазере с двойным вертикальным резонатором © Ю.А. Морозов¶, И.С. Нефедов, В.Я. Алешкин Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 410019»
  73. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 8 Воздействие контакта с воздухом на спектр фотолюминесценции пористого кремния © В.Ф. Агекян, А.М. Апрелев, Р. Лайхо, Ю.А. Степанов Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского»
  74. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Новый тип высокоэффективных двусторонних кремниевых солнечных элементов с внешними шинами и проволочной контактной сеткой © Г.Г. Унтила¶, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарева, М.Б. Закс , А.М. Ситников,»
  75. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Природа селективности интеркалатных материалов с поляронным типом локализации носителей заряда © А.Н. Титов,, Т.В. Великанова Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219»
  76. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 8 Дефекты структуры в молекулярных кристаллах на основе гетероспиновых комплексов меди © Ю.А. Осипьян, Р.Б. Моргунов, А.А. Баскаков, В.И. Овчаренко, С.В. Фокин Институт физики твердого тела Российской»
  77. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе InAs © Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.М. Стусь, В.Б. Халфин»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Синие флип-чип светодиоды на основе AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой © И.П. Смирнова¶, Л.К. Марков, Д.А. Закгейм, Е.М. Аракчеева, М.Р. Рымалис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  79. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 8 Люминесценция экситонов, локализованных около примеси в корунде © Б.Р. Намозов, В.А. Ветров, С.М. Мурадов, Р.И. Захарченя Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  80. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Some Aspects to the RHEED Behaviour of LT-GaAs Growth © kos Nemcsics¶,+ Hungarian Academy of Sciences, Research Institute for Technical Physics and Materials Science, P.O. Box 49, H-1525»
  81. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Свойства светодиодов на основе GaSb с сетчатыми омическими контактами © А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, ¶ М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев»
  82. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 8 Исследование движения индивидуальных тройных стыков в алюминии © С.Г. Протасова, В.Г. Сурсаева, Л.С. Швиндлерман Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл.,»
  83. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Взаимодействие когерентных оптических связанных мод в близко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторах цилиндрической формы © А.Н. Грузинцев¶, В.Т. Волков, М.А. Князев, Е.Е. Якимов Институт»
  84. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Усиление интенсивности спонтанного излучения эрбия вблизи края фотонной зоны распределенных брэгговских отражателей на основе a-Si : H/a-SiOx : H © А.В. Медведев¶, Н.А. Феоктистов, А.Б. Певцов,»
  85. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Влияние плазменной обработки поверхности карбида кремния на характеристики полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором © П.А. Иванов, О.И. Коньков, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова»
  86. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 8 Квантовая спиновая жидкость в антиферромагнетике с четырехспиновым взаимодействием © С.С. Аплеснин Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия»
  87. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Пироэлектрические свойства трибората лития в области температур от 4.2 до 300 K © С. Матыясик, Ю.В. Шалдин Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, 53-529 Вроцлав, Польша »
  88. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Локальные характеристики электронной структуры кристалла в методе Хартри–Фока © В.А. Верязов, А.В. Леко, Р.А. Эварестов Научно-исследовательский институт химии, 198904 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в»
  89. «НемонотонныеНемонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного... Энергетический уровень Ev + 0.24 эВ можно отожде- 4. Заключение ствить с межузельным атомом алюминия или с парой Таким образом, обнаружено немонотонное»
  90. «ЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводностьЭлектропроводность и термоэдс жидкого теллура с примесями переходных 3d-металлов Electrical conductivity and thermopower of liquid tellurium»
  91. «СовместнаяСовместнаяСовместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную и легированную индием... эти явления связаны с отклонением от стехиометрии, создаваемым изовалентной примесью P, стимулирующим образование ионами кремния мелких донорных»
  92. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 8 Аномалии упругих свойств слоистых материалов © Л.А. Кулакова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: L.Kulakova@shuvpop.ioffe.rssi.ru»
  93. «СканирующиеСканирующиеСканирующиеСканирующие туннельные микроскопия и спектроскопия аморфного углерода Рис. 9. CTM-изображение поверхности пленки углеродно-платинового нанокомпозита до (слева) и после (справа) двухчасового отжига при температуре»
  94. «ПарамагнитныеПарамагнитныеПарамагнитныеПарамагнитные дефекты в -облученных кристаллах карбида кремния Сначала обсудим возможную связь спектров ЭПР, об- только косвенную роль, подобно той, что играет бор в наруженных в настоящей работе, с вакансиями»
  95. «ЭлектролюминесценцияЭлектролюминесценция варизонных структур с антизапорным и омическим контактами 3. Результаты расчета Если при слабых токах (|i| , d-1, d) для каждой частоты спектральная интенсивность ЭЛ I пропори их обсуждение циональна току,»
  96. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 8 Генерация скользящих полупетель расщепленных дислокаций границами зерен в нанокристаллическом Al © С.В. Бобылев, М.Ю. Гуткин, И.А. Овидько Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178»
  97. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 8 Особенности структуры и температурная стойкость шунгитового углерода к графитации © С.В. Холодкевич, В.И. Березкин, В.Ю. Давыдов Научно-исследовательский Центр экологической безопасности Российской академии»
  98. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 12 Температурная зависимость ширины зоны глубоких уровней в сильнодефектном кремнии ¶ © Я. Партыка, П.В. Жуковский , П. Венгерэк, А. Родзик, Ю.В. Сидоренко , Ю.А. Шостак Люблинский технический»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 12 Влияние дополнительно введенных примесей Zn и Eu на вид спектров фотолюминесценции кристаллов GaN, легированных Er © М.М. Мездрогина¶, В.В. Криволапчу궶, В.Н. Петров, С.Н. Родин, А.В. Черенков»
  100. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 8 Анализ эффекта квантовой интерференции упругого и неупругого рассеяния электронов в неупорядоченных средах © Б.Н. Либенсон, В.В. Румянцев Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251»

Pages:     | 1 |   ...   | 82 | 83 || 85 | 86 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.