WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[8201-8300]

Pages:     | 1 |   ...   | 81 | 82 || 84 | 85 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием © Е.В. Астрова, В.В. Ратников, Р.Ф. Витман, А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  2. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 К теории фазовых переходов в релаксорах © Р.Ф. Мамин Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Российской академии наук, 420029 Казань, Россия E-mail: mamin@dionis.kfti.knc.ru (Поступила в»
  3. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик в полупроводниковых вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек ¶ © С.А.»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Волноводные Ge / Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи ¶ © А.И. Якимов , А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров,»
  5. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Структурные механизмы оптимизации фотоэлектрических свойств пленочных гетеросистем CdS/CdTe © Г.С. Хрипунов¶ Национальный технический университет „Харьковский политехнический институт“, 61002»
  6. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Плазменная оптика наноструктур © А.В. Ключник, С.Ю. Курганов, Ю.Е. Лозовик Институт спектроскопии Российской академии наук, 142190 Троицк, Московская обл., Россия (Поступила в Редакцию 4 июля 2002 г.)»
  7. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 General Features of the Intrinsic Ferroelectric Coercive Field © V.M. Fridkin,, Stephen Ducharme Department of Physics and Astronomy, Center for Material Research and Analysis University of Nebraska,»
  8. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Планарный эффект Холла в ферромагнетиках © Э.М. Эпштейн Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141190 Фрязино, Московская обл., Россия (Поступила в Редакцию 6 июля 2001 г.) В рамках»
  9. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения © С.В. Ордин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  10. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Светодиоды на основе InAs с резонатором, сформированным анодным контактом и границей раздела полупроводник/воздух © Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев¶, М.А. Ременный,»
  11. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Эффекты ванье-штарковской локализации в 6H-SiC планарном полевом транзисторе с p-n-переходом в качестве затвора © В.И. Санкин¶, П.П. Шкребий, А.А. Лебедев Физико-технический институт им. А.Ф.»
  12. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Низкотемпературное квазиадиабатическое перемагничивание редкоземельных изинговских метамагнетиков © И.Б. Крынецкий, В.М. Матвеев , В.В. Матвеев Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,»
  13. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, подвергнутых деформации ¶ © Н.А. Соболев , А.М. Емельянов, Е.И. Шек, О.В. Феклисова , Е.Б. Якимов Физико-технический институт им.»
  14. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Термостимулированная электронная эмиссия полярного скола кристалла триглицинсульфата © О.В. Рогазинская, С.Д. Миловидова, А.С. Сидоркин, А.А. Сидоркин Воронежский государственный университет, 394693»
  15. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияние внешнего электрического смещения на фотоэлектрические свойства кремниевых MIS/IL-структур © Я.С. Буджак, В.Ю. Ерохов, И.И. Мельник Государственный университет ”Львовская политехника”,»
  16. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Сверхвысокочастотные полевые транзисторы на основе нитридов III группы © С.Б. Александров, Д.А. Баранов, А.П. Кайдаш, Д.М. Красовицкий, М.В. Павленко, ¶ С.И. Петров , Ю.В. Погорельский, И.А.»
  17. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы на основе антимонида галлия © В.П. Хвостиков¶, М.Г. Растегаева, О.А. Хвостикова, С.В. Сорокина, А.В. Малевская, М.З. Шварц, А.Н. Андреев, Д.В.»
  18. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Исследование микромагнетизма и перемагничивания наночастиц Ni с помощью магнитного силового микроскопа © А.А. Бухараев, Д.В. Овчинников, Н.И. Нургазизов, Е.Ф. Куковицкий, М. Кляйбер, Р. Вейзендангер Казанский»
  19. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 7 Диссипация энергии спиновых волн в многослойных магнитных пленках © А.М. Зюзин, А.Г. Бажанов, С.Н. Сабаев, С.С. Кидяев Мордовский государственный университет, 430000 Саранск, Россия (Поступила в»
  20. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Размерный эффект Штарка и внутризонные переходы в полупроводниковом сферическом слое © В.А. Арутюнян Гюмрийский образовательный комплекс Государственного инженерного университета Армении, 377503 Гюмри,»
  21. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Анизотропия магнитоэлектрического эффекта в молибдате тербия © Б.К. Пономарёв, А.И. Попов , Э. Штип , Г. Вигельманн , А.Г.М. Янсен , П. Видер , Б.С. Редькин Институт физики твердого тела Российской»
  22. «ЭлектроннаяЭлектронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения Энергия когезии Ec, плотность состояний на уровне ФерНа рис. 2 приведены полные (a) и парциальные (b) ми N(EF), (ширина запрещенной зоны Eg),»
  23. «»
  24. «ХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогениднаяХалькогенидная пассивация поверхности полупроводников AIIIBV. О б з»
  25. «КремнийКремнийКремнийКремнийКремнийКремнийКремнийКремнийКремнийКремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования... Quantum dots in silicon-germanium nanostructures: mechanism of formation and electronic properties O.P.»
  26. «»
  27. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Универсальные эффективные константы связи для обобщенной модели Гейзенберга © А.И. Соколов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в»
  28. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Нелинейность магнитоакустических возбуждений в планарных структурах © А.С. Бугаев, В.Б. Горский Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Московская обл., Россия E-mail: dwhome@sbrf.ru»
  29. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Оптические и теплофизические свойства твердых растворов CuAlxIn1-xTe2 © И.В. Боднарь¶ Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220072 Минск, Белоруссия (Получена»
  30. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Поле деполяризации и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок с учетом влияния электродов © М.Д. Глинчук, В.Я. Зауличный, В.А. Стефанович Институт проблем материаловедения, 03142 Киев, Украина Институт»
  31. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Магнитосопротивление углеродных наноматериалов © С.В. Демишев, А.А. Пронин Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, 119991 Москва, Россия E-mail: apronin@hotmail.com (Поступила в»
  32. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Формирование икосаэдрической структуры при кристаллизации нано-кластеров Ni © Ю.Я. Гафнер, С.Л. Гафнер, П. Энтель Хакасский государственный университет, 655017 Абакан, Россия Universitt Duisburg-Essen,»
  33. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 7 Аксиально-симметричные доменные структуры в пленках ферритов-гранатов © М.В. Четкин, Т.Б. Шапаева, Л.Л. Савченко Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия E-mail:»
  34. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Электрофизические и термоэлектрические свойства окиси цинка при атмосферном и гидростатическом давлениях ¶ © М.И. Даунов, Р.К. Арсланов , М.М. Гаджиалиев, Е.В. Кортунова , П.П. Хохлачев, П.П.»
  35. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Дефектная люминесценция пленок GaN : Zn, отожженных в высокочастотной плазме аммиака ¶ © Г.А. Сукач , В.В. Кидалов , А.И. Власенко, Е.П. Потапенко Институт физики полупроводников Национальной»
  36. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Особенности анизотропии в пленке пермаллоя, индуцированные неоднородным магнитным полем © Б.А. Беляев, В.П. Кононов, С.Г. Овчинников Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии»
  37. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Спектроскопия запрещенной фотонной зоны в синтетических опалах © А.В. Барышев, А.А. Каплянский, В.А. Кособукин, М.Ф. Лимонов, А.П. Скворцов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  38. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Нелинейное поглощение в диэлектрических слоях, содержащих наночастицы меди , © Р.А. Ганеев, А.И. Ряснянский , А.Л. Степанов , Т. Усманов НПО „Академприбор“, 700143 Ташкент, Узбекистан Самаркандский»
  39. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Влияние отрицательного химического давления на некоторые сегнетоэлектрики типа смещения © С.В. Барышников, Э.В. Бурсиан, В.В. Казаков Российский государственный педагогический университет, 191186»
  40. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Переключение поляризации в гетерофазных наноструктурах:релаксорная PLZT керамика © В.Я. Шур, Г.Г. Ломакин, Е.Л. Румянцев, О.В. Якутова, Д.В. Пелегов, A. Sternberg , M. Kosec Научно-исследовательский»
  41. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Irreducible representations of subperiodic rod groups © V.P. Smirnov, P. Tronc St. Petersburg State University of Information Technologies, Mechanics and Optics, 197101 St. Petersburg, Russia Laboratoire»
  42. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Зонная структура перовскитоподобных фаз A(Sn1-xMx)O3 (A = Ca, Sr, Ba; M = Mn, Fe, Co):поиск новых магнитных полуметаллов © И.Р. Шеин¶, В.Л. Кожевников, А.Л. Ивановский Институт химии твердого»
  43. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 7 Поляризация и деполяризация релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария–стронция © В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева Институт кристаллографии Российской академии наук, 117333»
  44. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Аномальный эффект Ханле в квантовых ямах на основе полумагнитных полупроводников © А.В. Кудинов, Ю.Г. Кусраев, И.А. Меркулов, К.В. Кавокин, И.Г. Аксянов, Б.П. Захарченя Физико-технический институт им. А.Ф.»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Влияние межзеренных границ раздела на свойства теллурида кадмия, полученного в неравновесных условиях © В.В. Ушаков¶, Ю.В. Клевков Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии»
  46. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Низкоэнергетическая непараболичность и конденсонные состояния в кристаллах In4Se3 © Д.М. Берча, Л.Ю. Хархалис, А.И. Берча, М. Шнайдер Ужгородский государственный университет, 294000 Ужгород,»
  47. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Примесное оптическое поглощение и структура зоны проводимости в 6H-SiC © И.С. Горбань , А.П. Крохмаль¶ Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, 01033 Киев, Украина (Получена 27»
  48. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Наносистемы в модели Хаббарда в приближении статических флуктуаций © Г.И. Миронов Марийский государственный педагогический институт, 424002 Йошкар-Ола, Россия E-mail: mir@mgpi.mari.ru (Поступила в Редакцию»
  49. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Интеркаляция атомов серебра под монослой графита на поверхности Ni(111) © А.Г. Стародубов, М.А. Медвецкий, А.М. Шикин, В.К. Адамчук Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока»
  50. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Спонтанное и стимулированное излучение из полупроводниковых пленок CdxHg1-xTe © А.А. Андронов, Ю.Н. Ноздрин, А.В. Окомелькоⶶ, В.С. Варавин¶, Р.Н. Смирнов, Д.Г. Икусов Институт физики»
  51. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Магнитоиндуцированные изменения фоторефрактивной чувствительности в ниобате лития © В.В. Гришачев Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия E-mail:»
  52. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Роль температуры при изменении структуры нанокластеров Ni © Ю.Я. Гафнер, С.Л. Гафнер, Р. Мейер , Л.В. Редель, П. Энтель Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова, 655017 Абакан, Россия »
  53. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами © В.Е. Кудряшов, К.Г. Золин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин Московский»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Прыжковая поляризационная фотопроводимость кремния с участием пар примесей III и V групп ¶ © Я.Е. Покровский , Н.А. Хвальковский Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,»
  55. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Магнитные свойства сплавов Pb1-xGexTe, легированных иттербием © Е.П. Скипетров¶, Н.А. Чернова, Л.А. Скипетрова, А.В. Голубев, Е.И. Слынько Московский государственный университет им. М.В.»
  56. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Низкотемпературная электропроводность кристаллов ниобата лития конгруэнтного состава © И.Ш. Ахмадуллин, В.А. Голенищев-Кутузов, С.А. Мигачев, С.П. Миронов Казанский физико-технический институт Российской»
  57. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Примесные центры редкоземельных ионов (Eu, Sm, Er) в вюрцитных кристаллах GaN ¶ © В.В. Криволапчук , Ю.В. Кожанова , В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин, Ш.А. Юсупова Физико-технический»
  58. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Фотогенерация дырок и электронов в аморфных молекулярных полупроводниках © Н.А. Давиденко, Н.Г. Кувшинский, С.Л. Студзинский, Н.Г. Чуприн, Н.А. Деревянко , А.А. Ищенко , А.Д. Аль-Кадими Киевский»
  59. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Релаксация упругих напряжений в компактном нанокристаллическом CuO © Т.И. Арбузова, С.В. Наумов, Е.А. Козлов Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург,»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Условия достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs © В.А. Ромака,+,¶, Д. Фрушарт, Ю.В. Стаднык=,»
  61. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Электронно-структурная метастабильность катионных донорных центров в GaAs © Д.Е. Онопко, Н.Т. Баграев, А.И. Рыскин Всеросийский научный центр ”Государственный оптический институт им.»
  62. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Спектры резонансного рамановского рассеяния в структуре ZnCdSe / ZnSe с квантовой ямой и открытыми нанопроволоками © В.Х. Кайбышев, В.В. Травников, В.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  63. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Влияние термообработки на люминесценцию полуизолирующих нелегированных кристаллов GaAs © К.Д. Глинчук¶, Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н. Стрильчук Институт физики полупроводников»
  64. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях PbSe : Bi : Se © В.А. Зыков, Т.А. Гаврикова, В.И. Ильин, С.А. Немов, П.В. Савинцев Санкт-Петербургский»
  65. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Дефектообразование в решетке PbTe под воздействием лазерной ударной волны © В.С. Яковина¶, Д.М. Заячук, Н.Н. Берченко Национальный университет „Львовская политехника“, 79013 Львов, Украина »
  66. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Оптические свойства тонких эпитаксиальных слоев n-Pb1-xSnxSe/BaF2 в области плазмон-фононного взаимодействия © А.А. Копылов, В.А. Мошников, А.Н. Холодилов Санкт-Петербургский государственный»
  67. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Фотоэлектрические явления в гетероструктурах (µcxa1-x)-Si : H / c-Si © H. Mell, Ю.А. Николаев¶, В.Ю. Рудь+, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 11 Гальваномагнитные эффекты в атомно-разупорядоченных соединениях HgSe1-xSx ¶ © А.Е. Карькин, В.В. Щенников, С.Е. Данилов, В.А. Арбузов, Б.Н. Гощицкий Институт физики металлов Уральского»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Влияние протонного облучения на кинетику затухания фосфоресценции керамики ZnS-Cu ¶ © Т.А. Кучакова , Г.В. Весна, В.А. Макара Киевский национальный университет им. Т. Шевченко (Физический»
  70. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Бистабильность и электрическая активность комплекса вакансия–два атома кислорода в кремнии © Л.И. Мурин¶, В.П. Маркевич, И.Ф. Медведева, L. Dobaczewski Объединенный институт физики твердого»
  71. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Основные принципы послеростового отжига слитка CdTe : Cl для получения полуизолирующих кристаллов © О.А. Матвеев¶, А.И. Терентьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  72. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Парамагнитные центры в безметаллических аморфных полифталоцианинах © Ю.А. Кокшаров, А.И. Шерле Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 117234 Москва, Россия Институт химической физики»
  73. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оптические свойства легированных кремнием слоев арсенида галлия © В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю.В.»
  74. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 11 Импульсный синтез слоев -FeSi2 на кремнии, имплантированном ионами Fe+ © Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов¶, Е.И. Теруков, В.Х. Кудоярова, G. Weiser†, H. Kuehne† Казанский физико-технический институт»
  75. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Подвижность доменных стенок облученного триглицинсульфата © Л.Н. Камышева, О.М. Голицына, Т.Н. Подгорная Воронежский государственный университет, 394693 Воронеж, Россия (Поступила в Редакцию 8 января 1998 г.)»
  76. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Светочувствительные свойства тонких полупроводниковых пленок нанокомпозитов на основе металлорганических комплексов Cu+ и Ru2+ © Е.Л. Александрова, Н.Н. Химич Физико-технический институт им.»
  77. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Экситоны и поляритоны в полупроводниковых твердых растворах AlGaAs © Р.П. Сейсян¶, В.А. Кособукин, М.С. Маркосов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Квазилинейный фоторефрактивный эффект в кремнии © А.Л. Филатов¶ Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия (Получена 11 мая 2000 г. Принята к печати 11»
  79. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Экстракция носителей заряда в полупроводниках с монополярной компонентой фотопроводимости © А.И. Власенко, З.К. Власенко, А.В. Любченко Институт физики полупроводников Национальной академии наук»
  80. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Стабилизация высокотемпературной гексагональной модификации в нанокристаллах галогенидов меди © И.Х. Акопян, В.А. Гайсин, Д.К. Логинов, Б.В. Новиков, А. Цаган-Манжиев, М.И. Васильев , В.В. Голубков»
  81. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Стехиометрический синтез соединений фуллерена с литием и натрием, анализ их ИК и ЭПР спектров © С.Н. Титова, Г.А. Домрачев, С.Я. Хоршев, А.М. Объедков, Л.В. Калакутская, С.Ю. Кетков, В.К. Черкасов, Б.С.»
  82. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Фотохромный эффект в кластерных системах оксидов молибдена © В.Н. Андреев, С.Е. Никитин, В.А. Климов, Ф.А. Чудновский, С.В. Козырев, Д.В. Лещев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской акдемии»
  83. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Адсорбция редкоземельных металлов на кремнии: изменение работы выхода © С.Ю. Давыдов , А.В. Павлык Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия »
  84. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 11 Влияние электрон-фононного энергообмена на распространение тепловых волн в полупроводниках © Ю.Г. Гуревич, Г. Гонзалез де ла Круз, Г.Н. Логвинов, М.Н. Касянчук Departamento de Fisica, Centro de»
  85. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 11 Механизм фотогенерации носителей заряда в полиамидиновых супрамолекулярных структурах ¶ © Е.Л. Александрова , М.М. Дудкина, А.В. Теньковцев Институт высокомолекулярных соединений Российской»
  86. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Фотолюминесценция кристаллов n-ZnSe, легированных донорной и акцепторной примесями из солевого расплава LiCl © Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Д.Д. Недеогло Молдавский государственный университет, 2009»
  87. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Механизмы обратимой термической деформации ориентированных полимеров © А.И. Слуцкер, Л.А. Лайус, И.В. Гофман, В.Л. Гиляров, Ю.И. Поликарпов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  88. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Брэгговские солитоны в структурах с квантовыми ямами © М.М. Воронов, Е.Л. Ивченко Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:»
  89. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Получение и оптоэлектронные явления в монокристаллах ZnTe и барьерах Шоттки на их основе © Г.А. Ильчук, В.И. Иванов-Омский+, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь+, Р.Н. Бекимбетов+, Н.А. Украинец»
  90. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Структура и стабильность кластеров на поверхностях металлов © Н.А. Леванов, В.С. Степанюк,, В. Хергерт, А.А. Кацнельсон, А.Э. Мороз, К. Кокко Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,»
  91. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 11 Стимулированная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью © Н.Н. Прибылов¶, А.А. Кожевникоⶶ Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия»
  92. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 11 Применимость упрощенной модели Шокли–Рида–Холла для полупроводников с различными типами дефектов © А.Н. Яшин¶ Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук»
  93. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Влияние сужения запрещенной зоны на диффузию заряженных примесей в полупроводниках © Б.С. Соколовский, Л.С. Монастырский Львовский государственный университет им. Ив. Франко, 290602 Львов, Украина»
  94. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 7 Взаимодействие алюминия с поверхностью рения: адсорбция, десорбция, рост поверхностных соединений © Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  95. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Структура и магнитооптические свойства гранулированных нанокомпозитов пористый кремний–кобальт © Е.А. Ганьшина, М.Ю. Кочнева, Д.А. Подгорный , П.Н. Щербак, Г.Б. Демидович, С.Н. Козлов Московский»
  96. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Классификация двухслойных нанотрубок с соизмеримыми структурами слоев © Ю.Е. Лозовик, А.М. Попов, А.В. Беликов Институт спектроскопии Российской академии наук, 142190 Троицк, Московская обл., Россия E-mail:»
  97. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Кондактанс однослойной углеродной нанотрубки в однопараметрической модели сильной связи © С.С. Савинский, А.В. Белослудцев Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Поступила в Редакцию»
  98. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11 Квазилокальные состояния и особенности резонансного рассеяния частиц дефектами в полупроводниковых кристаллах, обладающих зонной структурой энергетического спектра © С.Е. Савотченк
  99. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Структурно-фазовые превращения в пленках олово–фуллерит © Л.В. Баран, Г.П. Окатова, В.А. Ухов Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия Институт порошковой металлургии Белорусского»
  100. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 11 Фотопроводимость пленок CuInSe2 © В.Ю. Рудь, Ю.В.Рудь Государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»

Pages:     | 1 |   ...   | 81 | 82 || 84 | 85 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.