WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[8101-8200]

Pages:     | 1 |   ...   | 80 | 81 || 83 | 84 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Влияние легирования гадолинием на физические свойства Hg3In2Te6 © О.Г. Грушка, П.М. Горлей, А.В. Бесценный, З.М. Грушка Черновицкий государственный университет, 58012 Черновцы, Украина»
  2. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Спектрально-кинетические характеристики переходного поглощения в кристаллах фторида кальция © Е.П. Чинков, В.Ф. Штанько Томский политехнический университет, 634004 Томск, Россия (Поступила в Редакцию 12»
  3. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Эффект вскипания дырок и особенности магнитосопротивления полумагнитного полупроводника Hg1-xMnxTe1-ySey © Н.К. Леринман, П.Д. Марьянчук, А.И. Пономарев, Л.Д. Сабирзянова, Н.Г. Шелушинина Институт»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Электронные и структурные переходы в сплавах Pb1-xGexTe : Ga под давлением ¶ + + © Е.П. Скипетров , Е.А. Зверева, О.С. Волкова , А.В. Голубев , А.Ю. Моллаев , = Р.К. Арсланов , В.Е. Слынько»
  5. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Влияние неоднородности пространственного распределения неравновесных носителей на спектры краевого излучения прямозонных полупроводников © П.Г. Лукашевич Белорусская государственная»
  6. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Проводимость ионных кристаллов при облучении пикосекундными пучками электронов © Б.П. Адуев, В.Н. Швайко Кемеровский государственный университет, 650043 Кемерово, Россия E-mail: lira@kemsu.ru (Поступила в»
  7. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Особенности интерференции поляризованных лучей вблизи изотропной точки кристалла СdS © И.В. Бровченко, В.И. Романенко¶, В.И. Товстенко Институт физики Академии наук Украины, 03028 Киев, Украина»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Излучательная рекомбинация нанокристаллов GaN при большой мощности оптического возбуждения © А.Н. Грузинцев¶, А.Н. Редькин, C. Barthou Институт проблем технологии микроэлектроники Российской»
  9. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Сопоставление поляризации полосы фотолюминесценции 1.2 эВ в n-GaAs:Te при одноосном давлении и резонансном поляризованном возбуждении © А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов Физико-технический»
  10. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Электронные свойства жидких материалов Tl2Te, Tl2Se, Ag2Te, Cu2Te и Cu2Se © В.М. Склярчук, Ю.А. Плевачук¶ Львовский национальный университет им. Ивана Франко, 79044 Львов, Украина (Получена 7»
  11. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Параметры вюрцитных кристаллов нитрида галлия, легированных тулием © В.В. Криволапчук, Ю.В. Кожанова , В.В. Лундин, М.М. Мездрогина, С.Н. Родин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  12. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Исследование зависимостей проводимости и коэффициента Холла от магнитного поля в пленках CdXHg1-XTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии ¶ © П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С.»
  13. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Случайный потенциальный рельеф и примесная фотопроводимость компенсированного германия © Ю.П. Дружинин, Е.Г. Чиркова¶ Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 101999»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Спиновое расщепление примесных состояний доноров, связанных с X-долиной в AlAs-барьере, и пространственное распределение плотности вероятности их волновых функций © Е.Е. Вдовин¶, Ю.Н. Ханин»
  15. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Люминесцирующие дефекты в наноструктурном диоксиде кремния © В.С. Кортов, А.Ф. Зацепин, С.В. Горбунов, А.М. Мурзакаев Уральский государственный технический университет (УПИ), 620002 Екатеринбург, Россия »
  16. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Влияние рассеяния фононов на нейтральных и заряженных примесных центрах на теплопроводность решетки в PbTe: (Tl,Na) © М.К. Житинская, С.А. Немов, Ю.И. Равич Санкт-Петербургский государственный технический»
  17. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Изменение структурных и электрофизических свойств нелегированных монокристаллов InAs инфракрасным лазерным облучением © С.В. Пляцко, В.П. Кладько Институт физики полупроводников Национальной»
  18. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Фотолюминесценция GaN: зависимость от интенсивности возбуждения © В.Н. Бессолов, В.В. Евстропов, М.Е. Компан, М.В. Меш Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  19. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe © П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин¶, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров»
  20. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Теплопроводность NaCl, находящегося в хаотически расположенных каналах пористого стекла © Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, А.В. Фокин, Х. Мисиорек , Я. Муха , А. Ежовский Физико-технический институт им.»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Эволюция плотности состояний в процессе фазовых превращений пленок сульфотеллуридов кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях © А.П. Беляев, В.П. Рубец, М.Ю. Нуждин»
  22. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Вклад неравновесных оптических фононов в эффекты Пельтье и Зеебека в полярных полупроводниках © Ю.В. Иванов, В.К. Зайцев, М.И. Федоров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  23. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Влияние квантово-размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge в пленках GeO2 ¶ © Е.Б. Горохов, В.А. Володин , Д.В. Марин, Д.А. Орехов, А.Г. Черков, А.К. Гутаковский, В.А. Швец,»
  24. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Формирование и исследование захороненных слоев SiC с высоким содержанием радиационных дефектов © Е.В. Богданова, В.В. Козловский , Д.С. Румянцев , А.А. Волкова, А.А. Лебедев»
  25. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияние сверхстехиометрических компонентов на спектрально-кинетические характеристики люминесценции изовалентно легированных кристаллов ZnSe © О.В. Вакуленко, В.Н.Кравченко, В.Д. Рыжиков, В.И.»
  26. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Структурная модификация синтетических опалов в процессе их термообработки © Э.Н. Самаров, А.Д. Мокрушин, В.М. Масалов, Г.Е. Абросимова, Г.А. Емельченко Институт физики твердого тела Российской академии»
  27. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Модель электрической изоляции GaN и ZnO при бомбардировке легкими ионами ¶ © А.И. Титов , П.А. Карасев, С.О. Кучеев Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251»
  28. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах © Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, В.И. Иванов-Омский, М.П. Михайлова, М.Ю. Михайлов, К.Д. Моисеев В.А.»
  29. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 7 Движущиеся околощелевые солитоны в нелинейной оптической среде © А.С. Ковалев, О.В. Усатенко, А.В. Горбач Физико-технический институт низких температур, 310164 Харьков, Украина Харьковский национальный»
  30. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Электронная структура и спектральные характеристики клатратов Si46 и Na8Si46 ¶ © С.И. Курганский , Н.А. Борщ, Н.С. Переславцева Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия »
  31. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Температурная зависимость фотолюминесценции нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра–Блоджетт © Е.А. Багаев¶, К.С. Журавлев, Л.Л. Свешникова Институт физики полупроводников»
  32. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Слабая локализация в квантовых ямах p-типа © Н.С. Аверкиев, Л.Е. Голуб, Г.Е. Пикус Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 16»
  33. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Резонансное комбинационное рассеяние света в наноостровках Ge, сформированных на подложке Si(111), покрытой ультратонким слоем SiO2 ¶ © В.А. Володин , М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов,»
  34. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияния глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах © Н.И. Кузнецов, J.A Edmond Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Cree»
  35. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 7 Влияние структурных особенностей на теплопроводность поликристаллических алмазных пленок © А.Н. Образцов, И.Ю. Павловский, Х. Окуши, Х. Ватанабе Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,»
  36. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Оптические и электрические свойства4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий © Е.В. Калинина¶, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, + † # А.О.»
  37. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Особенности фотолюминесценции ионов эрбия в структурах с кремниевыми нанокристаллами © Д.М. Жигунов¶, О.А. Шалыгина, С.А. Тетеруков, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров, M. Zacharias Московский»
  38. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Терагерцовая электролюминесценция за счет пространственно непрямых межподзонных переходов в квантово-каскадной структуре GaAs/AlGaAs ¶¶ © Г.Ф. Глинский , А.В. Андрианов, О.М. Сресели¶, Н.Н.»
  39. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Закон Фогеля–Фулчера — характерная особенность сегнетостекольной фазы в танталате калия, допированном литием © В.В. Лагута, М.Д. Глинчук, И.В. Кондакова Институт проблем материаловедения Национальной»
  40. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Усиление магнитоэлектрического эффекта в тонких сегнетоэлектрических слоях © И.Е. Чупис Физико-технический институт низких температур Национальной академии наук Украины, 61103 Харьков, Украина E-mail:»
  41. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияние электрического поля в слое объемного заряда на эффективность коротковолнового фотоэлектропреобразования в диодах Шоттки на основе арсенида галлия © Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В.»
  42. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Электронное поглощение поверхностных акустических волн квантовыми кольцами в магнитном поле ¶ © В.М. Ковалев, А.В. Чаплик Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской»
  43. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Анизотропия магнитооптического поглощения комплексов квантовая точка–примесный центр ¶ © В.Д. Кревчик , А.Б. Грунин, Р.В. Зайцев Пензенский государственный университет, 440017 Пенза, Россия»
  44. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Долгоживущий сигнал индукции в антиферромагнетиках с динамическим сдвигом частоты ЯМР © В.С. Рухлов Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия E-mail:»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Исследование захвата электронов квантовыми точками с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней © М.М. Соболев, И.В. Кочнев , В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов Физико-технический»
  46. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 О механизмах массопереноса при наноиндентировании © З.К. Саралидзе , М.В. Галусташвили, Д.Г. Дриаев Институт физики им. Э. Андроникашвили Академии наук Грузии, 0177 Тбилиси, Грузия E-mail: maxsvet@yahoo.com»
  47. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Переход в квазидвумерное магнитное состояние пленок Pd–Fe © Р.М. Мирзабабаев Газиантепский университет, 27310 Газиантеп, Турция E-mail: mirza@gantep.edu.tr (Поступила в Редакцию 3 августа 2000 г.В»
  48. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Вольтъемкостное профилирование барьеров Шоттки Au / n-GaAs, содержащих слой самоорганизованных квантовых точек InAs © П.Н. Брунков, А.А. Суворова, Н.А. Берт, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров,»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Сопоставление электрических свойств и фотолюминесценции в зависимости от состава слоев SiOx, содержащих нанокристаллы кремния © И.В. Антонова¶, М.Б. Гуляев, З.Ш. Яновицкая, В.А. Володин, Д.В.»
  50. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Исследование перехода от двумерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции быстрых электронов на отражение © Г.Э. Цырлин, Н.П. Корнеева, В.Н. Демидов, Н.К. Поляков, В.Н.»
  51. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре в квантовых точках InAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAlAs © Н.В. Крыжановская+¶, А.Г. Гладышев+, С.А. Блохин+, М.В.»
  52. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 Характеристики многоостровковых одноэлектронных цепочек в зависимости от различных факторов ¶ © И.И. Абрамов , С.А. Игнатенко, Е.Г. Новик Белорусский государственный университет информатики и»
  53. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Проявления неустойчивости пластического течения в микроструктуре кристаллов щелочных галоидов © Е.Б. Борисенко, А.Г. Мелентьев Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка,»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Зависимость ширины оптической щели кремниевых квантовых точек от их размера ¶ © В.А. Бурдов Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия»
  55. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Учет кулоновского взаимодействия электронов и дырок в квантовых точках на основе InGaN © В.Е. Бугров, О.В. Константинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 10 Роль азота в формировании люминесцирующих кремниевых нанопреципитатов при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si © Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, К.С. Журавлев, М.-О. Ruault Институт»
  57. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 10 X+-трион в системе с пространственным разделением носителей заряда © Р.А. Сергеев¶, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  58. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Исследование свойств двумерного электронного газа в гетероструктурах p--3C-SiC/n+-6H-SiC при низких температурах ¶ © А.А. Лебедев , Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, И.И. Сайдашев, А.Н. Кузнецов,»
  59. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Спин-стекольное упорядочение аморфных сплавов Tb–Cr © О.В. Стогней, И.В. Золотухин, О. Рапп Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия E:mail sto@sci.vrn.ru (Поступила в»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур с квантовыми ямами с помощью самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона © В.И. Зубков¶ Санкт-Петербургский»
  61. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников © С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  62. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 Зависимость акустического рассеяния квазидвумерных электронов от параметров сверхрешетки типа GaAs / AlxGa1-xAs © С.И. Борисенко¶ Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,»
  63. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 О кинетике медленной поляризации сегнетоэлектрического релаксора магнониобата свинца © В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.В. Пронина Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333»
  64. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 7 Теория переключения многоосных сегнетоэлектриков (начальная стадия) © М.А. Захаров , С.А. Кукушкин, А.В. Осипов Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия »
  65. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Диаграмма состояний антиферромагнитного фторида кобальта © Е.М. Завражная, Г.К. Чепурных Институт прикладной физики Национальной академии наук Украины, 40030 Сумы, Украина E-mail: iapuas@gluk.aps.org»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 О возможностях подавления формирования dome-кластеров при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100) +¶ + © А.А. Тонких , Г.Э. Цырлин , В.Г. Дубровский , В.М. Устинов , P. Werner= +»
  67. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Кинетика фазово-структурных преобразований в тонких пленках SiOx в процессе быстрого термического отжига © В.А. Данько, И.З. Индутный¶, В.С. Лысенко, И.Ю. Майданчук, В.И. Минько, А.Н. Назаров,»
  68. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Динамический отклик мезоскопической антиферромагнитной частицы на переменное магнитное поле © В.Ю. Голышев, А.Ф. Попков Научно-исследовательский институт физических проблем, 103460 Москва, Россия (Поступила в»
  69. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Ge1-xSix © В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, И.В. Ерофеева, Д.В. Козлов, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская Институт физики микроструктур Российской»
  70. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Фазовая диаграмма многослойных структур ферромагнетик–слоистый антиферромагнетик © А.И. Морозов, А.С. Сигов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, 117454 Москва, Россия»
  71. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 7 Влияние постоянного магнитного поля до 15 T на эффект Портевена–Ле Шателье в кристаллах NaCl : Eu © Л.Р. Дунин-Барковский, Р.Б. Моргунов, Y. Tanimoto Институт физики твердого тела Российской академии наук,»
  72. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 10 О температурной зависимости проводимости электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в области перколяционного перехода диэлектрик–металл © А.Б. Давыдов¶, Б.А.»
  73. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Недиффузионная слабая локализация в двумерных системах со спин-орбитальным расщеплением спектра © М.М. Глазов¶, Л.Е. Голуб Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  74. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Особенности формирования гетерограниц (Al,Ga)Sb/InAs при молекулярно-пучковой эпитаксии © П.В. Неклюдов, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, П.С. Копьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  75. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Шероховатость границ раздела слоев и фазовая диаграмма магнитных многослойных структур © А.И. Морозов, А.С. Сигов Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, 117454 Москва,»
  76. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 К теории фотоионизации глубоких примесных центров в параболической квантовой яме © В.Д. Кревчик, Р.В. Зайцев, В.В. Евстифеев Пензенский государственный университет, Пенза, Россия Пензенский»
  77. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 7 Пироэлектрический эффект в твердых растворах на основе магнониобата свинца © Е.П. Смирнова, С.Е. Александров, К.А. Сотников, А.А. Капралов, А.В. Сотников Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками ¶ © М.В. Максимов , Д.С. Сизов, А.Г. Макаров, И.Н. Каяндер, Л.В. Асрян, А.Е.»
  79. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Влияние качества гетерограниц на спектры циклотронного резонанса гетероструктур InAs/(AlGa)Sb © Ю.Б. Васильев, С.Д. Сучалкин, С.В. Иванов, Б.Я. Мельцер, А.Ф. Цацульников, П.В. Неклюдов, П.С.»
  80. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Разность потенциалов и фотовольтаический эффект, возникающие вследствие деформации волновой функции электрона в GaAs-квантовой яме с тонким AlGaAs-барьером © Ю. Пожела, К. Пожела Semiconductor»
  81. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Квазигидродинамическая модификация приближения плавного канала в теории МОП транзистора ¶ © В.А. Гергель, М.Н. Якупов Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009»
  82. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Исследования распределения катионов в поверхностном слое и объеме пленок замещенных ферритов-гранатов © А.С. Камзин, Ю.Н. Мальцев Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021»
  83. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Магнитный вклад в температуру Дебая и решеточную теплоемкость редкоземельных ферромагнитных металлов (на примере гадолиния) © В.Ю. Бодряков, А.А. Повзнер, О.Г. Зелюкова Уральский государственный технический»
  84. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками © М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В.»
  85. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Влияние примеси гольмия (Ho) на фотоэлектрические свойства As2Se3 и (As2S3)0.3(As2Se3)0.7 © И.И. Бурдиян, Э.А. Сенокосов, В.В. Косюк¶, Р.А. Пынзарь Приднестровский государственный университет»
  86. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Модель проводимости жгутов и пленок из углеродных нанотруб ¶ © В.Э. Каминский Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907 Москва, Россия (Получена 16 сентября 1999 г.»
  87. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Расчет термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами в случае полярного рассеяния носителей на оптических фононах © Д.А. Пшенай-Северин, Ю.И. Равич»
  88. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Температурная зависимость порогового тока лазеров на квантовых ямах © Н.Л. Баженов¶, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, В.П. Евтихиев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, А.Л. Станкевич,»
  89. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Подвижность доменных границ в пленках гранатов с малыми потерями © В.А. Боков, В.В. Волков, Н.Л. Петриченко, М. Марышко Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021»
  90. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 10 Рекомбинация автолокализованных экситонов в нанокристаллах кремния, сформированных в оксиде кремния © К.С. Журавлев¶, А.Ю. Кобицкий Институт физики полупроводников Сибирского отделения»
  91. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Окислительно-гравиметрическая порометрия макропористого кремния © А.А. Нечитайлов¶, Е.В. Астрова, Ю.А. Кукушкина, С.Ю. Каменева+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  92. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 7 Особенности ферромагнитного резонанса в пленках феррит-гранатов с ромбической магнитной анизотропией © В.В. Рандошкин, В.И. Козлов, В.Ю. Мочар, Н.В. Васильева, Н.А. Еськов, Ю.А. Дурасова Совместная»
  93. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 10 Поляризация фотолюминесценции вдоль плоскости квантово-размерных слоев структур InAs / Ga(In)As, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии © В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Ю.Н.»
  94. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 7 Магнонный механизм реакций дефектов в твердых телах © В.И. Белявский, Ю.В. Иванков, М.Н. Левин Воронежский государственный педагогический университет, 394043 Воронеж, Россия Воронежский государственный»
  95. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 7 Особенности формы рамановских спектров в разупорядоченных сегнетоэлектриках © М.Д. Глинчук, И.В. Кондакова Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, 03142 Киев, Украина E-mail:»
  96. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 10 Массивы напряженных квантовых точек InAs в матрице (In,Ga)As, выращенные на подложках InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии © В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Р.»
  97. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 10 Свойства нановискеров GaAs на поверхности GaAs (111)B, полученных комбинированным методом †¶ † † © А.А. Тонких , Г.Э. Цырлин , Ю.Б. Самсоненко , И.П. Сошников , В.М. Устинов † Институт»
  98. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 7 Особенности электронных свойств сплавов при изменении величины локальных магнитных моментов © В.И. Гребенников, Н.И. Коуров Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 10 Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe © В.И. Стафеев¶, К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, В.М. Акимов, Е.А.»
  100. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 10 Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц © А.М. Иванов¶, А.А. Лебедев, Н.Б. Строкан Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»

Pages:     | 1 |   ...   | 80 | 81 || 83 | 84 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.