WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[7901-8000]

Pages:     | 1 |   ...   | 78 | 79 || 81 | 82 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Электрические свойства кремния, термообработанного при 530C и облученного электронами © В.Б. Неймаш, В.М. Сирацкий, А.Н. Крайчинский, Е.А. Пузенко Институт физики Национальной академии наук»
  2. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Радиационно-стимулированная релаксация внутренних механических напряжений в гомоэпитаксиальных пленках фосфида галлия © П.А. Генцарь¶ Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва»
  3. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Спектральная миграция и особенности затухания триплетных возбуждений в стеклообразном бензофеноне © В.И. Мельник Институт физики Академии наук Украины, 252022 Киев, Украина (Поступила в Редакцию 19 декабря»
  4. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Анизотропия и фазовые состояния феррит-гранатовых пленок с разориентированными поверхностями © В.И. Бутрим, С.В. Дубинко, Ю.Н. Мицай Конструкторское бюро „Домен“ при Таврическом национальном университете»
  5. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Исследование свойств Hg1-x-y-zCdxMnyZnzTe как нового материала оптоэлектроники для инфракрасного диапазона © И.Н. Горбатюк, С.Э. Остапов¶, С.Г. Дремлюженко, Р.А. Заплитный, И.М. Фодчук, В.В.»
  6. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами © К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович Московский»
  7. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Природа физических явлений в сегнеторелаксорах © В.А. Исупов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 16 августа 2002 г.)»
  8. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Многократное ядерное спиновое эхо в тонких поликристаллических ферромагнитных пленках © В.О. Голуб, В.В. Котов, А.Н. Погорелый Институт магнетизма Академии наук Украины, 252142 Киев, Украина (Поступила в»
  9. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Гистерезис тока в магнитных туннельных переходах © А.М. Баранов, Ю.В. Гуляев, П.Е. Зильберман, А.И. Крикунов, В.В. Кудрявцев, Ю.Ф. Огрин, В.П. Склизкова, Н.Д. Степина, Л.А. Фейгин, К. Хайде, А.И. Чмиль, Р.»
  10. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 Электронный спектр и устойчивость насыщенного ферромагнитного состояния в модели Хаббарда с сильными корреляциями © А.В. Зарубин, В.Ю. Ирхин Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии»
  11. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ © А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук Физико-технический институт им.»
  12. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Изучение условий возникновения дальнего порядка в неупорядоченных релаксорах разного типа © Л.С. Камзина, Е.В. Снеткова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  13. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Кинетические коэффициенты n-Bi2Te2.7Se0.3 в двузонной модели электронного спектра © П.П. Константинов, Л.В. Прокофьева¶, М.И. Федоров, Д.А. Пшенай-Северин, Ю.И. Равич , † В.В. Компаниец , В.А.»
  14. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии © В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, А.В. Гук, Г.Б. Галиев, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко»
  15. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Магнитооптические свойства многослойных пленок Fe/Pd © Е.А. Ганьшина, А.А. Богородицкий, Р.Ю. Кумаритова, В.В. Бибикова, Г.В. Смирницкая, Н.И. Цидаева Московский государственный университет им. М.В.»
  16. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Магнитные свойства отвержденных ферроколлоидов © А.Ф. Пшеничников, В.В. Мехоношин Институт механики сплошных сред Уральского отделения Российской академии наук, 614013 Пермь, Россия (Поступила в Редакцию 7»
  17. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Исследование комплекса VGaTeAs в n-GaAs с помощью поляризованной фотолюминесценции в диапазоне температур 77–230 K © А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  18. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Пробой мелких доноров в Si и Ge на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода металл–диэлектрик © С.И. Будзуляк¶, Е.Ф. Венгер, Ю.П. Доценко, В.Н. Ермаков, В.В. Коломоец, В.Ф.»
  19. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Подвижность носителей заряда в двухслойных структурах PbTe / PbS © О.А. Александрова, Р.Ц. Бондоков, И.В. Саунин, Ю.М. Таиров Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет,»
  20. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Кристаллическое поле на примесных центрах в ионных кристаллах © О.А. Аникеенок Казанский государственный университет, 420008 Казань, Россия E-mail: anikeenok@rambler.ru (Поступила в Редакцию в окончательном»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Механизм высокой радиационной стойкости электрических параметров тонких пленок SmS © Л.Н. Васильев, В.В. Каминский¶, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  22. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Спектры микрофотолюминесценции теллурида кадмия, полученного в неравновесных условиях © В.В. Ушаков¶, Ю.В. Клевков Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва,»
  23. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Подавление доменной структуры в одноосных ферромагнитных пленках со сверхпроводящим покрытием © Ю.И. Беспятых, В. Василевский, Э.Г. Локк, В.Д. Харитонов Институт радиотехники и электроники Российской академии»
  24. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111) Si : Er : O-светодиодных структур, работающих в режиме пробоя p-n-перехода © Н.А. Соболев¶, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев»
  25. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 Формирование тетраэдрически плотноупакованных структур в нанокристаллических пленках Tb–Fe и Co–Pd © Л.И. Квеглис, С.М. Жарков, Г.В. Бондаренко, В.Ю. Яковчук, Е.П. Попёл Институт физики им. Л.В. Киренского»
  26. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Структура и свойства напыленных пленок железо-иттриевого граната © В.Ф. Шкарь, Е.И. Николаев, В.Н. Саяпин, А.И. Линник, В.П. Денисенков , А.М. Гришин , С.И. Харцев Донецкий физико-технический институт»
  27. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в подрешетки А и В арсенида галлия ¶ + © И.А. Бобровникова , М.Д. Вилисова , И.В. Ивонин , Л.Г. Лаврентьева , В.В. Преображенский»
  28. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 6 Автоколебания упорядоченной магнитной структуры © С.К. Годовиков, В.П. Петухов, Ю.Д. Перфильев, А.И. Фиров Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В.»
  29. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Оптическая бистабильность и неустойчивость в полупроводнике при температурной зависимости времени релаксации свободных носителей заряда и их равновесной концентрации © О.С. Бондаренко, Т.М.»
  30. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Вычисление магнитной восприимчивости двумерной двухрешеточной модели Хаббарда в приближении статических флуктуаций © Г.И. Миронов Марийский государственный педагогический институт, 424002 Йошкар-Ола, Россия»
  31. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Упорядочение протонов и спонтанная поляризация в смешанных кристаллах KDP-ADP © Л.Н. Коротков Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия E-mail: l korotkov@mail.ru»
  32. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах © Е.И. Голант, А.Б. Пашковский Научно-исследовательский институт ”Исток”,»
  33. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Гистерезисный гальвано-механический эффект при процессах заряда-разряда ионисторных структур © М.Е. Компан, В.П. Кузнецов , В.В. Розанов , А.В. Якубович Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  34. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Междолинное перераспределение электронов при низких температурах и магнитодиодный эффект © А.А. Абрамов¶, И.Н. Горбатый Московский государственный институт электронной техники (Технический»
  35. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминесценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN © А.М. Емельянов, Н.А. Соболев¶, Е.И. Шек, В.В.»
  36. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Димерное состояние в двумерной анизотропной модели Гейзенберга с альтернированными обменами © С.С. Аплеснин Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск,»
  37. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 6 Фотоиндуцированное изменение динамического магнитоупругого взаимодействия в иттриевом феррите-гранате © Р.А. Дорошенко, С.В. Серегин Институт физики молекул и кристаллов Российской академии наук, 450065 Уфа,»
  38. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Электрические и термоэлектрические свойства p-Ag2Te в -фазе © Ф.Ф. Алиев Институт физики Национальной академии наук Азербайджанской Республики, 370143 Баку, Азербайджан (Получена 2 декабря 2002»
  39. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 К объяснению случаев нарушения правила Фриделя в электронограммах некоторых металлических сплавов.Металлический сегнетоэлектрик © Э.В. Бурсиан, А.И. Зайцев Российский государственный педагогический»
  40. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Исследование гетероэпитаксиальных структур {p-3C/n-6H}-SiC © А.А. Ледебев, Н.С. Савкина, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  41. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Спиновой фильтр на квантовом точечном контакте в разбавленном магнитном полупроводнике ¶ © С.А. Игнатенко , В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,»
  42. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Влияние немонотонного профиля потенциала на краевые магнитные состояния © Е.Б. Горохов, Д.А. Романов, С.А. Студеникин, В.А. Ткаченко, О.А. Ткаченко Институт физики полупроводников Сибирского»
  43. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Электрические свойства наноконтактов металл–полупроводник ¶ © Н.В. Востоков , В.И. Шашкин Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия (Получена 7 июля»
  44. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Необычные электромеханические эффекты в глицине © В.В. Леманов, С.Н. Попов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 2 февраля»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Обобщенная многослоевая модель для количественного анализа электромодуляционных компонент спектров электроотражения и фотоотражения полупроводников в области фундаментального перехода E0 © Р.»
  46. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Скорость излучательной рекомбинации в квантово-размерных структурах в модели без правила отбора © А.А. Афоненко, В.К. Кононенко, И.С. Манак, В.А. Шевцов Белорусский государственный университет,»
  47. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Диэлектрические спектры неупорядоченных сегнетоактивных систем:поликристаллы и композиты © А.В. Турик,, Г.С. Радченко, А.И. Чернобабов, С.А. Турик, В.В. Супрунов Ростовский государственный университет,»
  48. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Локализация нелинейных волн между интерфейсами © И.В. Герасимчук, А.С. Ковалев Институт теоретической физики, Национальный научный центр „Харьковский физико-технический институт“, 61108 Харьков, Украина»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Смещение Штарка состояний дырок одиночных квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках (100) и (311)A GaAs © М.М. Соболев¶, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, Н.К. Поляков, А.А. Тонких»
  50. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Скачки Баркгаузена при движении одиночной сегнетоэлектрической доменной стенки © В.Я. Шур, В.Л. Кожевников, Д.В. Пелегов, Е.В. Николаева, Е.И. Шишкин Институт физики и прикладной математики Уральского»
  51. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Образование и пассивация дефектов в гетероструктурах с напряженными квантовыми ямами GaAs/InGaAs при обработке в водородной плазме © И.А. Карпович, А.В. Аншон, Д.О. Филатов Нижегородский»
  52. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 9 Исследования эффекта Штарка вертикально сопряженных квантовых точек в гетероструктурах InAs/GaAs © М.М. Соболев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов Физико-технический институт»
  53. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Акустические свойства кристаллов бетаина фосфита в области фазовых переходов © Е.В. Балашова, В.В. Леманов, И. Альберс, А. Клепперпипер Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Влияние электронно-электронных и электронно-дырочных столкновений на внутризонную инверсную населенность электронов в ступенчатых квантовых ямах ¶ © В.Л. Зерова , Г.Г. Зегря , Л.Е. Воробьев»
  55. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Экситонные поляритоны и их одномерная локализация в неупорядоченных структурах с квантовыми ямами © В.А. Кособукин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Электронное строение наноструктур дисульфида титана: монослои, наноленты, нанотрубки © В.В. Ивановская, Г. Зейферт , А.Л. Ивановский¶ Институт химии твердого тела Уральского отделения»
  57. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Локализованные состояния вблизи запрещенной зоны GaAs, обусловленные тетраэдрическими мышьяковыми кластерами © С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия»
  58. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 О коэффициенте Нернста бинарных композитов в слабом магнитном поле ¶ © Б.Я. Балагуров Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля Российской академии наук, 119991 Москва, Россия (Получена 9»
  59. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Энергия связи кулоновских акцепторов в системах квантовых ям © В.И. Белявский, М.В. Гольдфарб, Ю.В. Копаев Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия »
  60. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 Селективное усреднение ЭПР переходов высокоспинового центра вблизи их случайного совпадения © В.А. Важенин, В.Б. Гусева, М.Ю. Артемов Научно-исследовательский институт физики и прикладной математики при»
  61. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Расчет вольт-амперных характеристик симметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур на основе арсенида галлия с учетом процессов разрушения когерентности электронных волн в квантовой»
  62. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Теория нестехиометрического упорядочения Pb-содержащих релаксоров со структурой перовскита © А.Ю. Гуфан Научно-исследовательский институт физики Ростовского государственного университета, 344090»
  63. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 9 Влияние условий отжига на испарение дефектных областей в структурах с квантовыми точками InGaAs в матрице GaAs © Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, Н.В. Крыжановская,»
  64. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Электронная локализация в проводящих пленках Ленгмюра–Блоджетт © Л.А. Галчёнков, С.Н. Иванов, И.И. Пятайкин Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009 Москва, Россия E-mail:»
  65. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Циркулярно поляризованная фотолюминесценция, связанная с A(+)-центрами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs © П.В. Петров, Ю.Л. Иванов¶, К.С. Романов, А.А. Тонких, Н.С. Аверкиев Физико-технический»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Влияние электронного облучения на оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния ¶ © А.Г. Казанский , П.А. Форш, К.Ю. Хабарова, М.В. Чукичев Московский»
  67. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками © Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Е.Р. Линькова, В.Я. Алешкин, И.А. Карпович†, Д.О. Филатов† Научно-исследовательский»
  68. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Слабополевое магнитосопротивление двумерных электронов в гетероструктурах In0.53Ga0.47As / InP в режиме замороженной фотопроводимости © Д.Д. Быканов, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г.»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Экситонные состояния в полупроводниковых сферических наноструктурах ¶ © С.И. Покутний Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального университета им. И.И. Мечникова, 68001 Ильичевск,»
  70. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Релаксация носителей заряда в квантовых точках с участием плазмон-фононных мод ¶ © А.В. Федоров , А.В. Баранов Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, 199034 Санкт-Петербург,»
  71. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 О роли поверхностной диффузии адатомов при формировании нанометровых нитевидных кристаллов †¶ v †v © В.Г. Дубровский , Н.В. Сибирев , Р.А. Сурис , Г.Э. Цырлин , † ‡ ‡ В.М. Устинов , M.»
  72. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Оптические и структурные свойства твердых растворов InGaAsP, полученных способом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs(001) в области несмешиваемости © Л.С. Вавилова, Д.А. Винокуров, В.А.»
  73. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Лазеры на квантовых точках: основные компоненты пороговой плотности тока © С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, В.И. Копчатов, А.М. Георгиевский, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, Н.Н.»
  74. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Высокочастотный нелинейный отклик двухъямных наноструктур © В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев Московский инженерно-физический институт (государственный университет), 115409 Москва, Россия (Получена 2»
  75. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Об адсорбции бария и редкоземельных металлов на кремнии © С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:»
  76. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Механизм спиновой релаксации Дьяконова–Переля при частых электрон-электронных столкновениях в квантовой яме конечной ширины © М.М. Глазов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  77. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Энергетический спектр неидеальной квантовой ямы в электрическом поле © О.Л. Лазаренкова, А.Н. Пихтин Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург,»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Аккумуляция основных носителей заряда в слоях GaAs, содержащих наноразмерные кластеры мышьяка © П.Н. Брунков¶, В.В. Чалдышев, А.В. Черниговский, А.А. Суворова, Н.А. Берт, С.Г. Конников, В.В.»
  79. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Эффект ”кулоновской ямы” в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs © А.В. Кавокин, С.И. Кохановский, А.И. Несвижский, М.Э. Сасин, Р.П. Сейсян, В.М.»
  80. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 Спектры двухфотонно-возбуждаемой люминесценции в нанокристаллах алмаза © С.Н. Миков, А.В. Иго, В.С. Горелик Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия Физический институт им. П.Н.»
  81. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Атомно-силовая микроскопия поляризационных доменов в сегнетоэлектрических пленках © А.В. Анкудинов, А.Н. Титков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  82. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Метод определения заряда ловушек на интерфейсах тонкопленочной структуры металл/сегнетоэлектрик/металл © Л. Делимова, И. Грехов, Д. Машовец, С. Шин , Ю.-М. Коо , С.-П. Ким , Я. Парк Физико-технический»
  83. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Поляризация оптического излучения поляронного экситона в анизотропных квантовых точках © А.Ю. Маслов, О.В. Прошина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  84. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Свойства электронного спектра в двухъямной закрытой сферической квантовой точке и его эволюция при изменении толщины внешней ямы © Н.В. Ткач¶, Ю.А. Сети Черновицкий национальный университет,»
  85. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Зернограничная диффузия в нанокристаллах при зависящем от времени коэффициенте диффузии © А.А. Назаров Институт проблем сверхпластичности металлов Российской академии наук, 450001 Уфа, Россия E-mail:»
  86. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Зависимость энергии активации A(+)-центров от ширины квантовых ям в структурах GaAs/AlGaAs © Ю.Л. Иванов, П.В. Петров, А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов Физико-технический институт им. А.Ф.»
  87. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 6 О возможном спин-пайерлсовском переходе в кристаллической фазе металломезогена железа © Н.Е. Домрачева, И.В. Овчинников Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия»
  88. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Влияние поверхностной концентрации квантовых точек в активной области на характеристики инжекционных лазеров © А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, А.Ф.»
  89. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Диагностика функции распределения горячих дырок в квантовых ямах в сильных электрических полях © В.Я. Алешкин¶, Д.М. Гапонова, В.И. Гавриленко, З.Ф. Красильник, Д.Г. Ревин, Б.Н. Звонков, Е.А.»
  90. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Морфология и оптические спектры микрокристаллов иодатов металлов в пористых матрицах © В.Ф. Агекян, И. Акаи , Т. Карасава Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского»
  91. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 Магнетопоглощение света в размерно-ограниченных системах в поле резонансного лазерного излучения © Э.П. Синявский, Е.И. Брусенская Институт прикладной физики Академии наук Молдавии, MD-2028 Кишинев,»
  92. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Миллиметровый/субмиллиметровый смеситель на основе разогрева двумерного электронного газа в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с фононным каналом охлаждения ¶ © Д.В. Морозов, К.В. Смирнов, А.В. Смирнов»
  93. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 9 Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами © С.И. Борисенко¶ Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050»
  94. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Диэлектрические свойства тонких пленок титаната свинца на подложке из поликора © А.С. Сидоркин, Л.П. Нестеренко, Г.Л. Смирнов, А.Л. Смирнов, С.В. Рябцев Воронежский государственный университет, 394062»
  95. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 6 Электронная структура графитовых нанотрубок © С.М. Дунаевский, М.Н. Розова, Н.А. Кленкова Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук, 188350 Гатчина, Ленинградская»
  96. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Мощное дальнее инфракрасное излучение горячих дырок напряженной двумерной структуры InGaAs / AlGaAs © Ю.Л. Иванов, С.А. Морозов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  97. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Спектры ядерного квадрупольного резонанса стеклообразных полупроводников © И.П. Корнева¶, Н.Я. Синявский, M. Ostafin, B. Nogaj Балтийская государственная академия, 236019 Калининград, Россия A.»
  98. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 9 Квантово-размерный эффект Штарка в квазинульмерных полупроводниковых структурах © С.И. Покутний¶ Ильичевский учебно-научный центр Одесского государственного университета им. И.И. Мечникова,»
  99. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 6 Температурная зависимость резонансов выхода атомов Eu при электронно-стимулированной десорбции с окисленного вольфрама © В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  100. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Влияние продольного магнитного поля на межподзонные переходы электронов в асимметричных гетероструктурах © Ф.Т. Васько, Г.Я. Кис Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,»

Pages:     | 1 |   ...   | 78 | 79 || 81 | 82 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.