WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[7801-7900]

Pages:     | 1 |   ...   | 77 | 78 || 80 | 81 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 О взаимном увлечении электронов и фононов и о низкотемпературных аномалиях термоэлектрических и термомагнитных эффектов в кристаллах HgSe : Fe © И.Г. Кулеев¶, И.Ю. Арапова Институт физики»
  2. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Зависимость резонансной проводимости симметричных двухбарьерных структур от амплитуды высокочастотного поля © Е.И. Голант, А.Б. Пашковский Научно-исследовательский институт ”Исток”, 141120 Фрязино,»
  3. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 5 Синтез и исследование железо-фуллереновых кластеров © Н.В. Булина, Э.А. Петраковская, А.В. Марачевский, И.С. Литяева, И.В. Осипова, Г.А. Глущенко, W. Krtschmer, Г.Н. Чурилов Институт физики им. Л.В.»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Процессы роста неупорядоченных полупроводников с позиций теории самоорганизации © С.П. Вихров¶, Н.В. Бодягин, Т.Г. Ларина, С.М. Мурсалов Рязанская государственная радиотехническая академия,»
  5. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Энергия ионизации меди в кристаллах Hg0.8Cd0.2Te при слабом и промежуточном легировании © В.В. Богобоящий Кременчугский государственный политехнический институт, 39614 Кременчуг, Украина»
  6. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 5 Определение пористости синтетических опалов и пористого кремния рентгеновским методом © В.В. Ратников Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия»
  7. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Исследование пористого кремния и его старения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и инфракрасной спектроскопии © Л.А. Балагуров, В.Ф. Павлов, Е.А. Петрова, Г.П. Боронина»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Структура гетерограниц и фотолюминесцентные свойства GaAs / AlAs-сверхрешеток, выращенных на (311)Aи (311)B-ориентированных поверхностях: сравнительный анализ © Г.А. Любас¶, Н.Н. Леденцов, Д.»
  9. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si : H (B) © Н.Н. Ормонт¶, И.А. Курова, Г.В. Прокофьев Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (Физический»
  10. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Расчет уровней 2p-состояний термодоноров в кремнии © Л.Ф. Макаренко Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия (Получена 11 мая 1996 г. Принята к печати 28 января 1997 г.)»
  11. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 6 Низкотемпературное пироэлектричество (Обзор) © В.К. Новик, Н.Д. Гаврилова Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия E-mail: novikmp@orc.ru (Поступил в Редакцию 14»
  12. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Нелинейное оптическое поглощение в сильно легированном вырожденном n-GaAs © В.Л. Малевич¶, И.А. Уткин Отдел оптических проблем информатики Национальной академии наук Белоруссии, 220141 Минск,»
  13. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Вклад внутренних и поверхностных состояний носителей заряда в спектры излучения квантовых точек CdS в боросиликатном стекле © Н.В. Бондарь¶, М.С. Бродин, Г.М. Тельбиз Институт физики»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8 Рамановская и инфракрасная спектроскопии нанокристаллов GaN, выращенных хлорид-гидридной эпитаксией на оксидированном кремнии ¶ + © В.Н. Бессолов , Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, В.А. Федирко ,»
  15. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Зависимость длины волны излучения квантовых ям InGaAsN от состава четверного соединения ¶ © А.Е. Жуков , А.Р. Ковш, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, L. Wei , J.-S. Wang , J.Y. Chi»
  16. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур a-SiC : H/c-Si ¶ © А.А. Шерченков , Б.Г. Будагян, А.В. Мазуров Московский государственный институт электронной техники (Технический университет),»
  17. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Проводимость, стимулированная осцилляциями температуры в распавшихся твердых растворах сульфида и теллурида кадмия © А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин Санкт-Петербургский технологический»
  18. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Собственная фотопроводимость в тонких эпитаксиальных пленках дисилицида хрома © Н.Г. Галкин, А.В. Конченко, А.М. Маслов Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения»
  19. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Двумерный p-n-переход в равновесии © А.Ш. Ачоян, А.Э. Есаян, Э.М. Казарян, С.Г. Петросян¶ Ереванский государственный университет, 375049 Ереван, Армения (Получена 11 апреля 2001 г. Принята к»
  20. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Экситонная фотолюминесценция структур с кремниевыми квантовыми ямами © А.В. Саченко, Д.В. Корбутяк, Ю.В. Крюченко¶, И.М. Купчак Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Исследование анизотропии пространственного распределения квантовых точек In(Ga)As в многослойных гетероструктурах In(Ga)As/GaAs методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной»
  22. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Исследование углеродной структуры композитных пленок a-C : H Cu и a-C : H Co методом рамановской спектроскопии ¶ © Э.А. Сморгонская, В.И. Иванов-Омский Физико-технический институт им. А.Ф.»
  23. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Расчет подвижности и термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами © Д.А. Пшенай-Северин, Ю.И. Равич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  24. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Диодные лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением на основе InAsSb, излучающие в области 34 мкм © Т.Н. Данилова, А.П. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В.»
  25. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Управление электрическим полем эффектами пространственной повторяемости и мультипликации электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах © В.А. Петров¶, А.В. Никитин Институт»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 8 Оптические свойства монослоев германия на кремнии © Т.М. Бурбаев¶, Т.Н. Заварицкая, В.А. Курбатов, Н.Н. Мельник, В.А. Цветков, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров Физический институт им.»
  27. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Влияние эрбия и кислорода на интенсивность фотолюминесценции эрбия и состав пленок a-SiOx : H Er,O , полученных магнетронным распылением на постоянном токе ¶ © Ю.К. Ундалов , Е.И. Теруков, О.Б.»
  28. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Термостабильность эпитаксиальных слоев GaN c разной степенью упорядоченности мозаичной структуры © Г.В. Бенеманская, А.И. Бесюлькин, М.С. Дунаевский, А.К. Крыжановский, Н.М. Шмидт Физико-технический»
  29. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Нелинейный отклик и нелинейная когерентная генерация резонансно-туннельного диода в широком интервале частот © В.Ф. Елесин, И.Ю. Катеев, А.И. Подливаев Московский государственный»
  30. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Стационарные люкс-амперные характеристики компенсированных кристаллов при произвольном уровне возбуждения © А.А. Лебедев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  31. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Аномалии дробного квантового эффекта Холла в широкой баллистической проволоке ¶ ,+,© З.Д. Квон , Е.Б. Ольшанецкий, А.Е. Плотников, А.И. Торопов, Ж.К. Порталь Институт физики полупроводников»
  32. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Низкотемпературные материалы и тонкопленочные транзисторы для электроники на гибких подложках © А. Сазонов,¶, М. Мейтин,+, Д. Стряхилев, A. Nathan Electrical and Computer Engineering»
  33. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Эволюция статической отрицательной дифференциальной проводимости в Ga1-xAlxAs в зависимости от величины поперечного магнитного поля и от состава твердого раствора © Г.Э. Дзамукашвили, З.С.»
  34. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Особенности электропроводности параболической квантовой ямы в магнитном поле ¶ © Э.П. Синявский , Р.А. Хамидуллин Институт прикладной физики академии наук Молдовы, 277028 Кишинев, Молдова»
  35. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Модификация диоксида кремния электронным пучком © Л.А. Бакалейников, М.В. Заморянская, Е.В. Колесникова, В.И. Соколов, Е.Ю. Флегонтова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  36. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Хаотические акустоэлектрические колебания тока в пьезополупроводниках © И.К. Камилов, В.З. Жохов Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия E-mail:»
  37. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Проявление A(+) центров в люминесценции двумерных структур GaAs / AlGaAs © Ю.Л. Иванов, Н.В. Агринская, П.В. Петров, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  38. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Природа центров Ec - 0.37 эВ и образование высокоомных слоев в Si n-типа проводимости © О.В. Наумова, Л.С. Смирнов, В.Ф. Стась Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской»
  39. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 О применимости эмпирического соотношения Варшни для температурной зависимости ширины запрещенной зоны © И.А. Вайнштейн, А.Ф. Зацепин, В.С. Кортов Уральский государственный технический университет, 620002»
  40. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Особенности анизотропных оптикотермоэлементов © А.А. Ащеулов, И.В. Гуцул Институт термоэлектричества Национальной академии наук Украины, 58002 Черновцы, Украина Черновицкий национальный»
  41. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8 Одномерный фотонный кристалл, полученный с помощью вертикального анизотропного травления кремния ¶ © В.А. Толмачев , Л.С. Границына, Е.Н. Власова , Б.З. Волчек , А.В. Нащекин, А.Д. Ременюк,»
  42. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Особенности электронных переходов в почти ферромагнитных полупроводниках (на примере FeSi) © К.А. Шумихина, А.Г. Волков, А.А. Повзнер Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург,»
  43. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Исследование процесса формирования кислородных преципитатов в кремнии © И.В. Антонова, А. Мисюк, В.П. Попов, С.С. Шаймеев Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии»
  44. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn1-xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs (001) эпитаксией из молекулярных пучков © В.И. Козловский, В.Г. Литвинов, Ю.Г. Садофьев Физический институт»
  45. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 Об анизотропном магнитном тушении позитрониевых состояний в ориентированных кристаллах © И.В. Бондарев Научно-исследовательский институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, 220050»
  46. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 6 Изотермы теплопроводности в твердых растворах PbTe–MnTe © Е.И. Рогачева, И.М. Кривулькин Харьковский государственный политехнический университет, 61002 Харьков, Украина E-mail: rogacheva@kpi.kharkov.ua»
  47. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 Тонкие золь-гель пленки силиката висмута © Е.О. Клебанский, А.Ю. Кудзин, В.М. Пасальский, С.Н. Пляка, Л.Я. Садовская, Г.Х. Соколянский Днепропетровский государственный университет, 320625 Днепропетровск,»
  48. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Нестационарный фотоэффект в высокоомных чистых сильно смещенных структурах металл–полупроводник и металл–диэлектрик–полупроводник © Б.И. Резников Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb © Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев¶, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, В.В. Шустов, Н.Г. Тараканова»
  50. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 8 Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные в слоях SiO2 ¶ © Г.А. Качурин , С.Г. Яновская, M.-O. Ruault , А.К. Гутаковский, К.С. Журавлев, O. Kaitasov , H.»
  51. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Сканирующая кельвин-зонд-микроскопия утечки дырок из активной области работающего инжекционного полупроводникового лазерного диода © А.В. Анкудинов¶, В.П. Евтихиев, К.С. Ладутенко, А.Н. Титков,»
  52. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Размножение электронных возбуждений в кристаллах AgCl © Б.П. Адуев, Э.Д. Алукер, Б.А. Сечкарев, Е.В. Тупицин, В.М. Фомченко, В.Н. Швайко Кемеровский государственный университет, 650043 Кемерово, Россия»
  53. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Вторичные ферроидные свойства частичных смешанных сегнетоэлектриков-сегнетоэластиков © С.В. Акимов, В.М. Дуда, Е.Ф. Дудник, А.И. Кушнерев, А.Н. Томчаков Научно-внедренческий центр нетрадиционных технологий»
  54. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe © А.В. Квит, С.А. Медведев, Ю.В. Клевков, В.В. Зайцев, Е.Е. Онищенко, А.В. Клоков, В.С. Багаев, А.В. Цикунов, А.В. Пересторонин, М.В. Якимов Физический»
  55. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 6 Рассеяние света электронами в области экситонного поглощения GaAs © С.О. Когновицкий, В.В. Травников, Я. Аавиксоо, И. Рейманд Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8 Свойства аморфных пленок халькогенидов мышьяка, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов ¶ © С.А. Козюхин , А.Р. Файрушин , Э.Н. Воронков Институт общей и»
  57. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Максвелл-вагнеровская релаксация упругих констант в слоистых полярных диэлектриках © А.В. Турик, Г.С. Радченко Ростовский государственный университет, 344007 Ростов-на-Дону, Россия E-mail: turik@phys.rsu.ru»
  58. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Преобразование центров красной и инфракрасной люминесценции при электронном облучении и отжиге монокристаллов CdS и CdS : Cu © Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, А.А. Федонюк Волынский»
  59. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Исследование спектра ИК-фотоионизации электронных состояний, создаваемых при пластической деформации, в окрашенных кристаллах NaCl © Е.В. Коровкин Институт физики твердого тела Российской академии наук,»
  60. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Структурообразование в кристаллизующихся сегнетоэлектрических полимерах © В.В. Кочервинский, С.Н. Сульянов Государственный научный центр „Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований“,»
  61. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 8 Акцепторы в Cd1-xMnxTe (x < 0.1) © А.И. Власенко, В.Н. Бабенцов, З.К. Власенко, С.В. Свечников, И.М. Раренко, З.И. Захарук, Е.С. Никонюк, В.Л. Шляховый Институт физики полупроводников Национальной»
  62. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 8 Конечное время рассеяния энергии носителей заряда как причина ограничения оптической мощности полупроводниковых лазеров © С.О. Слипченко¶, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А.»
  63. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Образование ядерного спинового полярона при оптической ориентации в полупроводниках типа GaAs © И.А. Меркулов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия»
  64. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Модель идеальной релаксации термоупругих напряжений при выращивании монокристаллов © Ш.Х. Ханнанов, С.П. Никаноров , С.И. Бахолдин Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра Российской»
  65. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Кинетическая трактовка структурно-временного критерия разрушения © П.А. Глебовский, Ю.В. Петров Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Петродворец, Россия E-mail:»
  66. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Низкотемпературная пластичность и динамика решетки твердого параводорода с изотопической примесью © Л.А. Алексеева, Е.С. Сыркин, Л.А. Ващенко Физико-технический институт низких температур Национальной»
  67. «ООООООООООНТИ ГИРЕДМЕТ, 1962).[7801-7900] А.Я. Потемкин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 8, (1972).[7801-7900] И.Т. Баграев, Л.С. Власенко, В.М. Волле и др. ЖТФ, 54, 917 (1984).[7801-7900] В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М.,»
  68. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 6 Описание пластических эффектов при молекулярно-динамическом моделировании откольного разрушения © А.М. Кривцов Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия E-mail:»
  69. «»
  70. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Особенности неупругого рассеяния нейтронов на TA фононах в сильно легированном арсениде галлия © С.А. Борисов, С.Б. Вахрушев, А.А. Набережнов, Н.М. Окунева Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  71. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Транспорт носителей заряда в отожженных крупно- и мелкозернистых поликристаллах CdTe © Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, А.Ф. Плотников Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,»
  72. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Оптическая спектроскопия экситонных состояний в диарсениде цинка © А.В. Мудрый, В.М. Трухан, А.И. Патук, И.А. Шакин, С.Ф. Маренкин Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук»
  73. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Микрофотолюминесценция нелегированного монокристаллического теллурида цинка, полученного неравновесными парофазными методами ¶ © В.В. Ушаков , Ю.В. Клевков Физический институт им. П.Н. Лебедева»
  74. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Ударно-ионизационные автосолитоны в компенсированном кремнии ¶ © А.М. Мусаев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия (Получена 27 ноября»
  75. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 6 Возбуждение собственных дефектов в ионных кристаллах мощными оптическими и электронными пучками © В.И. Барышников, Т.А. Колесникова Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском»
  76. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 6 Формирование и эволюция гигантских динамических доменов в гармоническом магнитном поле © М.В. Логунов, М.В. Герасимов Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, 430000 Саранск, Россия E-mail:»
  77. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 О структуре валентной зоны в халькопиритных пленках Cu(In,Ga)Se2 © А.С. Киндяк, В.В. Киндяк, Ю.В. Рудь Институт физики твердого тела и полупроводников Берорусской академии наук, 220072 Минск,»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Сенсибилизация люминесценции вюрцитных кристаллов GaN, легированных Eu и дополнительно введенной примесью Zn © В.В. Криволапчук¶, М.М. Мездрогинබ, Ю.В. Кожанова , С.Н. Родин»
  79. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Точная самокомпенсация проводимости в кристалле Cd0.95Zn0.05Te : Cl в широком интервале давлений пара Cd ¶ © О.А. Матвеев , А.И. Терентьев, Н.К. Зеленина, В.Н. Гуськов , В.Е. Седов, А.А.»
  80. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 9 Исследование внутреннего трения и эффективного модуля сдвига монокристаллического кремния на начальных стадиях преципитации кислорода ¶ © В.В. Моцкин, А.В. Олейнич-Лысюк , Н.Д. Раранский, И.М.»
  81. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Низкочастотный шум в эпитаксиальных слоях нитрида галлия с разной степенью упорядоченности мозаичной структуры ¶ © Н.М. Шмидт, М.Е. Левинштейн , В.В. Лундин, А.И. Бесюлькин, П.С. Копьев, S.L.»
  82. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 9 Исследование особенностей гальваномагнитных явлений в слоях n-CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии ¶ ¶¶ ¶¶¶ © В.С. Варавин , А.Ф. Кравченко , Ю.Г. Сидоров Институт физики»
  83. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Электронная структура комплекса Er–O6 в кремнии © Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 4 января 1997 г.»
  84. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Особенности магнитооптического поглощения молекулярного кристалла в экситонной области частот © А.В. Деревянчук, К.Ю. Зенкова, В.М. Крамар, Б.М. Ницович Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы,»
  85. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Элементарные полосы голубого свечения нелегированных пленок нитрида галлия ¶ © А.Н. Грузинцев , А.Н. Редькин, В.И. Таций, C. Barthou , P. Benalloul Институт проблем технологии микроэлектроники»
  86. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Оптические свойства кристаллов ZnGeP2 в ультрафиолетовой области ¶ © Ю.М. Басалаев , А.Б. Гордиенко, А.С. Поплавной Кемеровский государственный университет, 650043 Кемерово, Россия (Получена 20»
  87. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 9 Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах PbTe–MnTe © Е.И. Рогачева¶, И.М. Кривулькин Национальный технический университет „Харьковский»
  88. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 6 Аномалии процессов поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках © В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, Т.Р. Волк Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 119333 Москва,»
  89. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Гамма- и электронно-лучевое модифицирование цинкосульфидных люминофоров ¶ ,¶¶ + © М.М. Сычев , Е.В. Комаров, Л.В. Григорьев , С.В. Мякин , + И.В. Васильева , А.И. Кузнецов, В.П. Усачева†,¶¶¶»
  90. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Физические свойства монокристаллов твердых растворов CuxAg1-xIn5S8 и поверхностно-барьерных структур на их основе © И.В. Боднарь, Е.А. Кудрицкая, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь Белорусский»
  91. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Неустойчивость дрейфовых волн в двухкомпонентной твердотельной плазме ¶ © А.А. Булгаков, О.В. Шрамкова Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, 61085 Харьков,»
  92. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 9 Определение времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния по релаксации фотопроводимости, измеренной на сверхвысоких частотах © П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, А.С. Токареⶻ
  93. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 6 Новый тип поверхностных спиновых волн в магнитоэлектрическом кристалле © С.В. Тарасенко Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк, Украина (Поступила в Редакцию 9 февраля»
  94. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Гашение атомами меди обусловленной дефектами EL2 люминесценции в арсениде галлия © Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,»
  95. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 9 Электрон-плазмонное взаимодействие в легированных акцепторной примесью кристаллах висмута © Н.П. Степанов, В.М. Грабов Забайкальский государственный педагогический университет им. Н.Г.»
  96. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 9 Оптическое отражение в Pb0.78Sn0.22Te, легированном 3 at% индия © А.Н. Вейс, С.А. Немов Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 19»
  97. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 9 Проводимость твердых растворов Pb1-xSnxTe(In) в переменном электрическом поле © А.Е. Кожанов, А.В. Никорич, Л.И. Рябова¶, Д.Р. Хохлоⶶ Московский государственный университет им. М.В.»
  98. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 6 Электрический пробой твердых диэлектриков © Г.А. Воробьев, С.Г. Еханин, Н.С. Несмелов Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 634050 Томск, Россия E-mail:»
  99. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 9 Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-6H SiC, полученных газофазной эпитаксией © А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  100. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 9 Ловушки для электронов в тонких слоях низкотемпературного арсенида галлия с наноразмерными кластерами As-Sb © П.Н. Брунков¶, А.А. Гуткин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Берт, С.Г. Конников, В.В.»

Pages:     | 1 |   ...   | 77 | 78 || 80 | 81 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.