WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[7401-7500]

Pages:     | 1 |   ...   | 73 | 74 || 76 | 77 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Ультрадисперсные алмазы в гальванотехнике © Г.К. Буркат, В.Ю. Долматов СКТБ „Технолог“, Санкт-Петербургский государственный технологический институт, 192076 Санкт-Петербург, Россия E-mail: alcen@comset.net»
  2. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 О создании концентрационных решеток в электронно-дырочной плазме при ее дрейфе в высокочастотном электрическом поле © В.Л. Борблик Институт физики полупроводников Национальной академии наук»
  3. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Поляризационный механизм сегнетоэлектрической неустойчивости решетки в кристаллах © О.Е. Квятковский Институт химии силикатов им И.В.Гребенщикова Российской академии наук, 199155 Санкт-Петербург, Россия»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Рекомбинационный механизм пьезофоторезистивного эффекта в компенсированных полупроводниках © Б.М. Павлишенко¶, Р.Я. Шувар Львовский национальный университет им. Ивана Франко (физический»
  5. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Магнитооптика квантовых ям с D(-)-центрами © В.Д. Кревчик, А.Б. Грунин, Вас.В. Евстифеев Пензенский государственный университет, 440026 Пенза, Россия (Получена 13 октября 2005 г. Принята к»
  6. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Нелинейные волны в цепочке плоскопараллельных доменных границ в ферромагнетике © М.А. Шамсутдинов, С.Э. Рахимов, А.Т. Харисов Башкирский государственный университет, 450074 Уфа, Россия E-mail:»
  7. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Роль вакансий кремния в формировании барьеров Шоттки на контактах Ag и Au с 3C- и 6H-SiC © С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник , Ю.М. Таиров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Рентгеновские исследования порошков нанопористого углерода, полученных из карбида кремния © Э.А. Сморгонская, Р.Н. Кютт, А.В. Щукарев†, С.К. Гордеев, А.В. Гречинская Физико-технический институт»
  9. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Теория переноса заряда в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами © К.М. Дощанов Физико-технический институт Научно-производственного объединения ”Физика–Солнце” Академии»
  10. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Спонтанная и стимулированная ультрафиолетовая люминесценция ZnO : N при температуре 77 K ¶ + © А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев , E.E. Якимов , C. Barthou , P. Benalloul+ Физический институт им.»
  11. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Определение концентрации глубоких центров в диодах Шоттки с высоким барьером при нестационарной спектроскопии глубоких уровней © Е.Н. Агафонов, А.Н. Георгобиани¶, Л.С. Лепнев Физический институт»
  12. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Ударноволновое спекание наноалмазов © В.В. Даниленко ЗАО „АЛИТ“, 03067 Киев, Украина E-mail: vvdan@list.ru Предложена и успешно опробована двухстадийная технология спекания ультрадисперсных алмазов»
  13. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 4 Особенности локализации фононов вблизи поверхности низкотемпературного антиферромагнетика © С.В. Тарасенко Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк, Украина (В окончательном»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Эффективное управление фотоэлектрическими свойствами полиимидов, содержащих трифениламин © Л.П. Казакова¶, Е.Л. Александрова, А.В. Чернышев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  15. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) ¶¶ © С.Н. Гриняев , А.Н. Разжувалов¶ Сибирский физико-технический институт при Томском»
  16. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Автосолитоны в InSb в магнитном поле © И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.С. Ковалев Институт физики им. Х.И. Амирханова, 367003 Махачкала, Россия (Получена 26 мая 1997 г. Принята к печати 23 декабря»
  17. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Моделирование энергетического спектра поверхностных состояний структур металл–диэлектрик–полупроводник с учетом тока через диэлектрик © Л.С. Берман Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  18. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Рекомбинационная модель диффузии цинка в GaAs © Н.Н. Григорьев, Т.А. Кудыкина Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина (Получена 23 апреля 1996 г.»
  19. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Теория электроакустического эха в монокристаллах сегнетоэлектриков типа порядок–беспорядок © В.А. Попов, А.Р. Кессель, С.С. Лапушкин Казанский физико-технический институт, 420029 Казань, Россия (Поступила в»
  20. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Наноалмазы для биологических исследований © В.С. Бондарь, А.П. Пузырь Институт биофизики Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия E-mail: apuzyr@mail.ru Сообщается о»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Плазмохимическое напыление и эмиссионные свойства углеродных пленок, осаждаемых при низкой температуре © А.Я. Виноградов¶, А.Н. Андронов, А.И. Косарев, А.С. Абрамов Физико-технический институт»
  22. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Мелкие термодоноры в монокристаллах кремния, легированных азотом © В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.В. Батунина, В.Н. Головина, Л.В. Арапкина, Н.Б. Тюрина, А.С. Гуляева, М.Г. Мильвидский Государственный»
  23. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Определение параметров многослойных наноструктур с помощью двухволновой рентгеновской рефлектометрии ¶ © Н.Л. Попов , Ю.А. Успенский, А.Г. Турьянский, И.В. Пиршин, А.В. Виноградов, Ю.Я.»
  24. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами © А.В. Герус¶, Т.Г. Герус Фрязинский институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141190 Фрязино, Россия (Получена 2»
  25. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Смешанные оптические моды колебаний в нанокристаллитах PbTe ¶ † © А.И. Белогорохов , Л.И. Белогорохова , Д.Р. Хохлов , С.В. Лемешко Государственный научный центр „Гиредмет“, 109017 Москва,»
  26. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Спонтанное излучение и упругое рассеяние света экситонами квантовой ямы в микрорезонаторе Фабри–Перо © В.А. Кособукин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  27. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Precursors for CVD growth of nanocrystalline diamond © T. Soga, T. Sharda , T. Jimbo Department of Environmental Technology and Urban Planning, Nagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan »
  28. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Токовая неустойчивость в солнечных элементах на основе a-Si : H, возникающая после их засветки © Э.Н. Воронков¶ Московский энергетический институт, 111250 Москва, Россия (Получена 9 ноября 2000»
  29. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Экспериментальное проявление коррелированных прыжков в температурных зависимостях проводимости легированного CdTe © Н.В. Агринская, В.И. Козуб Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  30. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Кинетика перераспределения примеси в квазипериодических структурах, возникающих в сильно легированном бором кремнии, облученном ионами бора © А.М. Мясников, В.И. Ободников, В.Г. Серяпин, Е.Г.»
  31. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Сверхизлучение в квантовых гетероструктурах ¶ © А.И. Климовская , Ю.А. Дрига, Е.Г. Гуле, О.А. Пикарук Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина»
  32. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Высокотемпературная сверхпроводимость в халькогенидных стеклообразных полупроводниках © А.В. Приходько, К.Д. Цэндин¶, Б.П. Попов Санкт-Петербургский государственный технический университет,»
  33. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния -излучения на многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs © А.В. Бобыль¶, А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, И.А.»
  34. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Примесные атомы эрбия в кремнии © В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, М.М. Мездрогина Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург,»
  35. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Влияние примесного германия на свойства центров серы в кремнии © М.С. Юнусов, М. Каримов, Б.Л. Оксенгендлер, А. Юсупов Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, 702132 Улугбек, Узбекистан»
  36. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Электронные состояния в сверхрешетках (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N © Г.Ф. Караваев¶, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050»
  37. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Фотонные кристаллы с перестрaиваемой запрещенной зоной на основе заполненных и инвертированных композитов опал–кремний © В.Г. Голубев¶, В.А. Кособукин, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов»
  38. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Влияние адсорбированных молекул на спектр носителей в полупроводниковом нанопроводе +¶ +¶¶ © В.А. Лыках , Е.С. Сыркин + Национальный технический университет „Харьковский политехнический»
  39. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Анализ частотных зависимостей проводимости МДП структур с учетом флуктуационной и туннельной теоретических моделей © Н.А. Авдеев¶, В.А. Гуртов, И.В. Климов, Р.А. Яковлев Петрозаводский»
  40. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Исследование электронного транспорта в связанных квантовых ямах с двухсторонным легированием ¶ © Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский , В.Г. Мокеров, В.А. Кульбачинский , Р.А. Лунин , И.С. Васильевский»
  41. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Исследование коэффициента отражения от полупроводниковой сверхрешетки, помещенной в магнитное поле © А.А. Булгаков¶, О.В. Шрамкова Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук»
  42. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Высокочастотное спин-зависящее туннелирование в нанокомпозитах © А.Б. Грановский, А.А. Козлов, Т.В. Багмут , С.В. Недух , С.И. Тарапов , Ж.П. Клерк Московский государственный университет им. М.В.»
  43. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Подвижность электронов в квантовой яме AlGaAs / GaAs / AlGaAs © В.Г. Мокеров, Г.Б. Галиев, Ю. Пожела , К. Пожела , В. Юцене Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907»
  44. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Процессы самоорганизации и оптическая активация ионов Er в пленках аморфного гидрированного кремния, легированного Er © М.М. Мездрогина, Г.Н. Мосина, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова»
  45. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd1-xMnxTe † © П.В. Жуковский, А. Родзик, Ю.А. Шостак Люблинский технический университет, Люблин,»
  46. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Электрон-электронное рассеяние в ступенчатых квантовых ямах ¶ © В.Л. Зерова , Л.Е. Воробьев, Г.Г. Зегря Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург,»
  47. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур + © Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф , Ю.И. Романов , С.А. Рыков+ Физико-технический институт»
  48. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Светодиоды флип-чип на 4.2 мкм с глубокой мезой травления © Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев¶, М.А. Ременный, Н.М. Стусь Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами и подавление»
  50. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Резонансный перенос носителей заряда через ловушечные состояния в диэлектрике в периодических наноструктурах Si/CaF2 ¶ © Ю.А. Берашевич , А.Л. Данилюк, В.Е. Борисенко Белорусский государственный»
  51. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Аномально высокие фотонапряжения в молибдате тербия © Б.К. Пономарев, И.А. Корнев, В.Д. Негрий, Г.М. Виздрик, Б.С. Редькин Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка,»
  52. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Co+ и Fe+ в кремний © Г.Г. Гумаров, В.Ю. Петухов, В.А. Жихарев, В.А. Шустов, И.Б. Хайбуллин Казанский физико-технический»
  53. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Исследование квантовых ям InxGa1-xAs/GaAs методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии © С.В. Евстигнеев, Р.М. Имамов+, А.А. Ломов+, Ю.Г. Садофьев¶, Ю.В. Хабаров,»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs2 © С.И. Борисенко, В.Ю. Рудь†, Ю.В. Рудь, В.Г. Тютерев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  55. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 4 Влияние толщины образцов на электронную эмиссию из сегнетоэлектрического кристалла ТГС © А.С. Сидоркин, Н.Ю. Пономарева, С.Д. Миловидова, А.С. Сигов Воронежский государственный университет, 394693 Воронеж,»
  56. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Получение резин, стойких к взрывной декомпрессии, с использованием углерода детонационного синтеза © Л.А. Акопян, М.Н. Злотников, Б.В. Румянцев , Н.Л. Абрамова, М.В. Зобина, Т.Л. Мордвинцева ОАО»
  57. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Автолокализованные состояния носителей и диэлектрический гистерезис в неупорядоченных дипольных системах © М.Д. Глинчук, В.А. Стефанович, Л. Ястрабик Институт проблем материаловедения Академии наук Украины,»
  58. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Влияние давления на концентрацию квазидвумерных носителей в системе GaSb/InAs/GaSb с квантовыми ямами © А.Н. Вороновский, Е.М. Дижур, Е.С. Ицкевич, Л.М. Каширская, Р.А. Стрэдлинг Институт физики высоких»
  59. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Спектроскопия экситонных состояний квантовых молекул InAs + =¶ + = = =• © В.Г. Талалаев , J.W. Tomm , N.D. Zakharov , P. Werner , Б.В. Новиков , Г.Э. Цырлин , • =• • • Ю.Б. Самсоненко , А.А.»
  60. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов в неоднородном электрическом поле при 4.2 K © А.М. Мусаев Институт физики им. Х.И.Амирханова, Дагестанского научного центра Российской»
  61. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора на основе диоксида олова © О.В. Анисимов¶, В.И. Гаман, Н.К. Максимова, С.М. Мазалов, Е.В. Черников Сибирский»
  62. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Инверсия электронной населенности подзон размерного квантования при продольном транспорте в туннельно-связанных квантовых ямах © В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов Институт физики микроструктур»
  63. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Низкотемпературная антистоксова фотолюминесценция в наноструктурах CdSe/ZnSe ¶ © М.Я. Валах , Н.В. Вуйчик, В.В. Стрельчук, С.В. Сорокин , Т.В. Шубина , С.В. Иванов , П.С. Копьев Институт физики»
  64. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Тонкая структура краевой ультрафиолетовой люминесценции активированных в плазме азота пленок GaN : Mg и электролюминесцентные гетероструктуры ZnO–GaN : Mg на их основе © А.Н. Георгобиани, А.Н.»
  65. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Электронная структура наноразмерных металлических кластеров © И.В. Бажин, О.А. Лещева, И.Я. Никифоров Донской государственный технический университет, 344010 Ростов-на-Дону, Россия E-mail: ib_rnd@mail.ru»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Самоупорядоченные микрорезонаторы в сверхмелких кремниевых p+-n-переходах © Н.Т. Баграев, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, С.А. Рыков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  67. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Интерфейсные эффекты и формирование оптических свойств ансамблей структурно-изолированных квантовых нитей InP © С.Г. Романов, Н.М. Йатс, М.И. Пембл, Д.Р. Аггер, М.В. Андерсон, К.М. Сотомайор Торрес, В.Ю.»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре +¶ + + © А.А. Герасимович , С.В. Жоховец , Г. Гобш , Д.С. Доманевский Белорусский»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Роль слоев Al0.3Ga0.7As, легированных Si, в высокочастотной проводимости гетероструктур GaAs/Al0.3Ga0.7As в режиме квантового эффекта Холла ¶ † © И.Л. Дричко , А.М. Дьяконов , И.Ю. Смирнов ,»
  70. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Исчезновение электрон-фононного взаимодействия в сверхрешетках в квантующем магнитном поле © О.В. Кибис Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия (Получена 7»
  71. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Nano-polishing of silicon wafers using ultra-dispersed diamonds © T. Kurobe, T. Fujimura, H. Ikeda Vision Development Company Limited, Tokyo 104-0031, Japan Institute of Development of Raw Materials and»
  72. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме © Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко, В. Скорупа, Р.А. Янков, К.С. Журавлев, Н.А. Паздников, В.А. Володин, А.К.»
  73. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Неомическая проводимость при переходе от слабой к сильной локализации в структурах GaAs / InGaAs с двумерным электронным газом ¶ © А.А. Шерстобитов, Г.М. Миньков , О.Э. Рут, А.В. Германенко, »
  74. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Проблемы эффективности фотоэлектрического преобразования в тонкопленочных солнечных элементах CdS/CdTe © Л.А. Косяченко¶ Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина (Получена»
  75. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Глубокие состояния в -легированном кремнием GaAs © В.Я. Алешкин, В.М. Данильцев, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603600 Нижний»
  76. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Динамика нелинейного прецессионного движения намагниченности в феррит-гранатовой пленке типа (100) © А.М. Шутый, Д.И. Семенцов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия E-mail:»
  77. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Температурная зависимость спектров плазменного отражения кристаллов висмут–сурьма © В.М. Грабов, Н.П. Степанов Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, 191186»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 О температурной зависимости статической электропроводности полупроводниковой квантовой проволоки в изоляторе ¶ © Н.А. Поклонский , Е.Ф. Кисляков, С.А. Вырко Белорусский государственный»
  79. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Luminescence of Excitons in Slightly Asymmetric Double Quantum Wells © A.V. Akimov, E.S. Moskalenko, A.L. Zhmodikov, D.A. Mazurenko, A.A. Kaplyanskii, L.J. Challis, T.S. Cheng, C.T. Foxon A.F.Ioffe»
  80. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы © В.Г. Иванов, В.И. Панасенков, Г.В. Иванов Центральный научно-исследовательский институт ”Электрон”, 194223»
  81. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Оптические свойства гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN на подложках GaAs, излучающих в области 1.3-1.55 мкм © Н.В. Крыжановская¶, А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, Н.К. Поляков, А.Ф.»
  82. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Применение наноалмазов для разделения и очистки белков © В.С. Бондарь, И.О. Позднякова, А.П. Пузырь Институт биофизики Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия E-mail:»
  83. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Баллистическая проводимость квантовой проволоки при конечных температурах © Н.Т. Баграев, В.К. Иванов, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, И.А. Шелых Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  84. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Температурные исследования диэлектрических характеристик жидкого кристалла 5СВ в области релаксации © Б.А. Беляев, Н.А. Дрокин, В.Ф. Шабанов Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения»
  85. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Влияние имплантации ионов P на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2 © Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум , А.Н. Михайлов Институт физики полупроводников Сибирского»
  86. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Электрон-фононное взаимодействие и подвижность электронов в квантово-размерных структурах II типа PbTe / PbS © В.В. Бондаренко, В.В. Забудский, Ф.Ф. Сизов Институт физики Национальной академии наук»
  87. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца © И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Е.А. Тараканов, Т.А. Шаплыгина, В.П. Афанасьев , А.В. Панкрашкин Физико-технический»
  88. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Изменение спектров оптического поглощения ядерно-легированного GaAs при отжиге © В.Н. Брудный¶, Н.Г. Колин¶¶, Д.И. Меркурисов, В.А. Новиков Сибирский физико-технический институт им. В.Д.»
  89. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Создание люминесцентного биочипа с использованием наноалмазов и бактериальной люциферазы © А.П. Пузырь, И.О. Позднякова, В.С. Бондарь Институт биофизики Сибирского отделения Российской академии наук, 660036»
  90. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Структура алмазного нанокластера © А.Е. Алексенский, М.В. Байдакова, А.Я. Вуль, В.И. Сиклицкий Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила»
  91. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Особенности фотопроводимости CdxHg1-xTe (x = 0.2 0.3) с тонкопленочным алюминиевым покрытием © Э.Ю. Салаев, Э.К. Гусейнов, Атеш Тезер, Н.Д. Исмайлов Институт фотоэлектроники Академии наук»
  92. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC : H, выращенных методом photo-CVD ¶ + © О.И. Шевалеевский , S.Y. Myong , K.S. Lim , S. Miyajima , M. Konagai+»
  93. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Теплопроводность нанокомпозита опал+эпоксидная смола при низких температурах © В.Н. Богомолов, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Мисиорек, А. Ежовский Физико-технический институт им. А.Ф.»
  94. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Особенности сегрегации углерода на поверхности вольфрама © Н.Д. Потехина, Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  95. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Межзонное поглощение света в полупроводниковых наноструктурах ¶ © С.И. Покутний Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального университета им. И.И. Мечникова, 68001 Ильичевск, Украина»
  96. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Влияние размеров кристаллов на межатомные расстояния в дисперсном углероде © Е.А. Беленков, Е.А. Карнаухов Челябинский государственный университет, 454136 Челябинск, Россия E-mail: belenkov@cgu.chel.su»
  97. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Физические свойства CdTe при совместном легировании V и Ge ¶ © С.Ю. Паранчич , Л.Д. Паранчич, В.Н. Макогоненко, Ю.В. Танасюк, М.Д. Андрийчук, В.Р. Романюк Черновицкий национальный университет,»
  98. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния © П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, С.А. Петрова, В.Ю. Тимошенко, А.Э. Юнович Московский государственный университет им.»
  99. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 4 Сегнетоэлектрические пленки титаната свинца на монокристаллическом кремнии © А.С. Сидоркин, А.С. Сигов , А.М. Ховив, О.Б. Яценко, В.А. Логачева Воронежский государственный университет, 394693 Воронеж,»
  100. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti–n-GaAs © Д.Н. Захаров¶, В.М. Калыгина, А.В. Нетудыхатко, А.В. Панин+¶¶ Сибирский»

Pages:     | 1 |   ...   | 73 | 74 || 76 | 77 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.