WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[7301-7400]

Pages:     | 1 |   ...   | 72 | 73 || 75 | 76 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Влияние электрического поля на разрушение сегнетокерамики © Л.В. Жога, А.В. Шильников , В.В. Шпейзман Волгоградский архитектурно-строительный институт, Волгоград, Россия Физико-технический институт им.»
  2. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Мощные лазеры ( = 808-850 нм) на основе асимметричной гетероструктуры раздельного ограничения © А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин,»
  3. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Фотоакустическая спектроскопия пористого кремния © А.Н. Образцов, Х. Окуши, Х. Ватанабе, В.Ю. Тимошенко Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899 Москва, Россия »
  4. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Самоорганизация в нанокомпозитах на основе наноалмазов детонационного синтеза © А.П. Возняковский ФГУП „Научно-исследовательский институт синтетического каучука им. С.В. Лебедева“, 198035 Санкт-Петербург,»
  5. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 In situ исследование влияния магнитного поля на подвижность дислокаций в деформируемых монокристаллах KCl : Ca © Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов Тамбовский государственный университет им. Г.Р.»
  6. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Визуализация каналов проводимости и динамика ионного транспорта суперионных проводников © В.И. Поляков ОАО ”Гипрониигаз”, 410600 Саратов, Россия (Поступила в Редакцию в окончательном виде 15 сентября 2000»
  7. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Рассеяние экситонов на флуктуациях концентрации и проекции спинов магнитных примесей в квантовых ямах в полумагнитных полупроводниках © А.В. Верцимаха, В.И. Сугаков Институт ядерных исследвоаний»
  8. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 4 Спектры характеристических потерь алмаза © В.В. Соболев, А.П. Тимонов, В.Вал. Соболев Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Поступила в Редакцию 16 марта 1999 г.) Определен полный»
  9. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Анализ факторов, вызывающих нестабильность деформации и потерю пластичности облученной нейтронами меди © Г.А. Малыгин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  10. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe–n-InSe ¶ © С.И. Драпак , М.О. Воробец, З.Д. Ковалюк Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича,»
  11. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Вертикально-излучающие лазеры на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs ¶ © С.А. Блохин , Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Ю.М. Шерняков, И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, В.В. Дюделев,»
  12. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Оптический край поглощения и его модификация при распаде пленок твердых растворов теллурида и сульфида кадмия © А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин Санкт-Петербургский технологический институт,»
  13. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Влияние анизотропии на дисперсию поверхностных плазмон-фононных поляритонов карбида кремния © А.В. Мельничук, Ю.А. Пасечник Институт физики полупроводников Академии наук Украины, 252650 Киев, Украина »
  14. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Влияние эффекта насыщения усиления на мощность излучения полупроводниковых лазеров на квантовых ямах © Г.Г. Зегря, И.Ю. Соловьев¶ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  15. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 4 Определение релаксационных констант многоуровневой квадрупольной спин-системы © И.В. Золотарев, А.С. Ким, П.Г. Нейфельд Пермский государственный университет, 614600 Пермь, Россия Пермское отделение РНЦ»
  16. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Исследование радиационных дефектов в синтетическом кварце методом малоуглового рассеяния нейтронов © В.М. Лебедев, В.Т. Лебедев, С.П. Орлов, Б.З. Певзнер, И.Н. Толстихин Петербургский институт ядерной»
  17. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Создание экситонов и дефектов в кристалле CsI при импульсном электронном облучении © Е.С. Гафиатулина, С.А. Чернов, В.Ю. Яковлев Томский политехнический университет, 634004 Томск, Россия (Поступила в Редакцию»
  18. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Electron emission properties of detonation nanodiamonds , , © V.V. Zhirnov , O.A. Shenderova , D.L. Jaeger , T. Tyler , D.A. Areshkin , D.W. Brenner , J.J. Hren North Carolina State University, Raleigh,»
  19. «ИсследованиеИсследованиеИсследованиеИсследование квантовых ям в системе ZnCdSe/ZnSe... Найдена технология подготовки поверхности для эпи- Study of ZnCdSe/ZnSe quantum wells таксиального роста, включающая коллоидно-химическую grown by molecular–beam»
  20. «МагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитныеМагнитные свойства углеродных структур [7301-7400] A. Nakayama, K.»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Связь рекомбинации на интерфейсных состояниях и аномально малого показателя степени люксамперной характеристики в микрокристаллическом кремнии © К.В. Коугия, Е.И. Теруков Физико-технический»
  22. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Структура парамагнитных дефектов во фториде кадмия, легированном иттрием и гадолинием © В.А. Важенин, А.П. Потапов, А.Д. Горлов, В.А. Чернышев, С.А. Казанский , А.И. Рыскин Уральский государственный»
  23. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Неустойчивость деформации и разрушение при температуре жидкого гелия © В.И. Николаев, В.В. Шпейзман Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила»
  24. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 4 Оптико-структурный анализ фотонных кристаллов на основе опалов © В.Н. Богомолов, А.В. Прокофьев, А.И. Шелых Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия»
  25. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Мезоскопические эффекты в области прыжковой проводимости макроскопических квази-2D объектов ,† †, © Б.А. Аронзон , А.С. Веденеев , В.В. Рыльков Российский научный центр ”Курчатовский институт”,»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Влияние эрбия на электронные ловушки в структурах a-Si : H(Er)/c-Si, полученных методом плазмохимического осаждения © В.С. Лысенко, И.П. Тягульский, И.Н. Осиюк, А.Н. Назаров, Я.Н. Вовк, Ю.В.»
  27. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Межзонное излучение тиогаллата кадмия © А.И. Мачуга, В.Ф. Житарь¶, Е.Д. Арама Институт прикладной физики АНРМ, 2028 Кишинев, Молдова Кишиневский государственный технический университет, 2012»
  28. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Температурные аномалии нелинейных магнитоакустических свойств монокристалла марганец-цинковой шпинели © Л.К. Зарембо, С.Н. Карпачев, Т.А. Лудзская, И.В. Саенко, А.И. Яфасов Московский государственный»
  29. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Возбуждение ЯМР электрическим полем как динамическое проявление магнитоэлектрического и антиферроэлектрического взаимодействий © М.И. Куркин, В.В. Лесковец, В.В. Николаев, Е.А. Туров, Л.В. Туров Институт»
  30. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb © И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев Физико-технический институт им. А.Ф.»
  31. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Локальная атомная структура нанокристаллического GaAs по данным EXAFS-исследований © Р.Г. Валеев¶, А.Н. Деев, Ю.В. Рац, Ю.А. Бабанов, П.Н. Крылов+, В.Ф. Кобзиев+, С.Ф. Ломаева Физико-технический»
  32. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Перераспределение атомов фосфора, имплантированных в сильно легированный бором кремний © Е.Г. Тишковский¶, В.И. Ободников, А.А. Таскин, К.В. Феклистов, В.Г. Серяпин Институт физики»
  33. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Низкочастотное поведение оптических эффектов пространственной дисперсии © В.Н. Гриднев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:»
  34. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Нелинейный эффект Керра в магнитных кристаллах © А.Д. Петренко Донецкий государственный технический университет, 340000 Донецк, Украина E-mail: info@dgtu.donetsk.ua (Поступила в Редакцию 17 июля 1998 г.)»
  35. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Электронные свойства и объемные модули новых полиморф нитрида бора — гипералмазного B12N12 и простых кубических B24N24, B12N12 фулборенитов © В.В. Покропивный¶, В.Л. Бекенеⶶ Институт проблем»
  36. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Локальные колебательные моды комплекса кислород–вакансия в германии † © В.В. Литвинов, Л.И. Мурин , Дж.Л. Линдстром , В.П. Маркевич , А.Н. Петух Белорусский государственный университет, 220050»
  37. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении © Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.А.»
  38. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Динамическая устойчивость спирального домена в переменном магнитном поле © В.Н. Мальцев, Г.С. Кандаурова, Л.Н. Картагулов Уральский государственный университет им. А.М. Горького, 620083 Екатеринбург, Россия»
  39. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Нестехиометрия и низкотемпературные магнитные свойства кристаллов FeSi © Г.С. Патрин,, В.В. Белецкий, Д.А. Великанов, О.А. Баюков, В.В. Вершинин, О.В. Закиева, Т.Н. Исаева Институт физики им. Л.В.»
  40. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Физические свойства сплава Si20Te80 с различной степенью структурного совершенства и его применение в акустооптических устройствах © Л.А. Кулакова¶, Б.Т. Мелех, Э.З. Яхкинд, Н.Ф. Картенко, В.И.»
  41. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Статистические критические свойства моделей гадолиния © А.К. Муртазаев, И.К. Камилов, К.Ш. Хизриев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия E-mail:»
  42. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Характер зависимости скорости доменной стенки от продвигающего поля в пленках гранатов © В.А. Боков, В.В. Волков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  43. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Влияние отжига на магнитные и магнитооптические свойства пленок Ni © Е.Е. Шалыгина, Л.В. Козловский, Н.М. Абросимова, М.А. Мукашева Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119992 Москва,»
  44. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Многофононный захват носителей на глубокие центры в обедненной области полупроводника © М.А. Демьяненко¶, В.Н. Овсюк, В.В. Шашкин Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Определение концентрации глубоких уровней в полуизолирующих монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии ¶ © А.П. Одринский Институт технической акустики»
  46. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия и рентгеновский микроанализ монокристаллов на основе теллурида висмута + © И.В. Гасенкова¶, В.А. Чубаренко , Е.А. Тявловская, Т.Е. Свечникова»
  47. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Светоизлучающие слои твердого раствора кремний–германий, легированные эрбием в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии © В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов¶, В.Ю. Чалков, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник,»
  48. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb © Т.Н. Данилова, О.И. Евсеенко, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев Физико-технический»
  49. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Поворот плоскости поляризации и линейное двупреломление звука в гематите ниже точки Морина © С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков, М.М. Шакирзянов Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Российской»
  50. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Немонотонное поведение магнитофотопроводимости в p-CdHgTe © Д.Ю. Протасов¶, В.Я. Костюченко, В.Н. Овсюк Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090»
  51. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Переход диэлектрик–металл под действием давления в сплавах Pb1-xSnxSe (x 0.03), облученных электронами © Е.П. Скипетров, Е.А. Зверева, Б.Б. Ковалев, Л.А. Скипетрова Московский государственный»
  52. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Коэффициент отражения электромагнитных волн от поверхности пластины феррита кубической симметрии © В.Д. Бучельников, А.В. Бабушкин, И.В. Бычков Челябинский государственный университет, 454021 Челябинск,»
  53. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Chemical mechanical modification of nanodiamond in aqueous system , , © Y.W. Zhu , X.Q. Shen , B.C. Wang , X.Y. Xu , Z.J. Feng Department of Precision Instruments & Mechanology, Tsinghua University,»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах p-Si ¶ © Т.А. Пагава Грузинский технический университет, 380075 Тбилиси, Грузия (Получена 27 октября 2003 г. Принята к печати 4»
  55. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Уровни структурной модификации свойств некристаллических полупроводников и области их применимости © А.И. Попов¶, В.А. Воронцов, И.А. Попов Московский энергетический институт (Технический»
  56. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 4 Неоднородные магнитострикционные состояния в однооосных ферромагнитных пленках © Ю.И. Беспятых, И.Е. Дикштейн Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Московская обл.,»
  57. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Эффекты деполяризации и фотоионизация квантовых ям © А.Г. Петров, А.Я. Шик Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 15 августа»
  58. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Фотоэлектрические явления в монокристаллах CdV2S4 и структурах на их основе © А.А. Вайполин, Ю.А. Николаев, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь¶, Е.И. Теруков, N. Fernelius† Физико-технический»
  59. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 4 Температурные магнитные фазовые переходы при конкуренции одно- и межионной магнитных анизотропий © В.М. Калита, В.М. Локтев Институт физики Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина Институт»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Миграция точечных дефектов в соединениях AIVBVI в поле лазерной волны ¶ © С.В. Пляцко Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина (Получена 16 июля»
  61. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Электрические характеристики монокристаллов CdTe Pb при высоких температурах ¶ © П.М. Фочук , О.А. Парфенюк, О.Э. Панчук Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы,»
  62. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Индентификация параметров примесных уровней в высокоомных полупроводниковых кристаллах с помощью термостимулированных токов при дозированном освещении образцов © П.Г. Кашерининов, Д.Г. Матюхин»
  63. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Энергетические параметры двухэлектронных центров олова в PbSe ¶ + © С.А. Немов, Ф.С. Насрединов , П.П. Серегин, Н.П. Серегин , Э.С. Хужакулов Санкт-Петербургский государственный политехнический»
  64. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Оптические свойства вертикально связанных квантовых точек InGaAs в матрице GaAs ©М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, А.О. Косогов, А.В.»
  65. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Длинноволновый край спектра излучения горячей электронно-дырочной плазмы в фотовозбужденном арсениде индия ¶ © Э. Шатковскис , А. Чеснис Вильнюсский технический университет им. Гедиминаса, 2040»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Подвижность носителей заряда в кристаллах n-CdxHg1-xTe в условиях динамического ультразвукового нагружения © А.И. Власенко, Я.М. Олих, Р.К. Савкина¶ Институт физики полупроводников Национальной»
  67. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Применение наноалмазов Наноалмазы для полирования © А.С. Артёмов Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия E-mail: artpol@mail1.lebedev.ru Приводятся результаты»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 6 Электрические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры ¶ © А.П. Беляев , В.П. Рубец, М.Ю. Нуждин Санкт-Петербургский государственный»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Влияние некоторых органических аддендов на величину зазора HOMO–LUMO фуллерена C60 © Д.А. Сыкманов, Ю.Ф. Бирюлин, Л.В. Виноградова, В.Н. Згонник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  70. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Влияние доменной структуры в подмагничивающем поле на высокочастотную восприимчивость ферромагнетика © Ю.И. Джежеря, И.К. Локтионов Донецкий государственный университет, 340055 Донецк, Украина Донецкий»
  71. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Влияние эффекта генерации электродвижущей силы на электрические свойства тонких пленок сульфида самария © В.В. Каминский¶, М.М. Казанин, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова, Н.М. Володин»
  72. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Структурные и магнитные фазовые превращения в многослойных пленках гадолиния © В.О. Васьковский, А.В. Свалов, А.В. Горбунов, Н.Н. Щёголева, С.М. Задворкин Уральский государственный университет, 620083»
  73. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 О природе марганцевых центров свечения в монокристаллах сульфида цинка © М.Ф. Буланый, Б.А. Полежаев, Т.А. Прокофьев Днепропетровский государственный университет, 320625 Днепропетровск, Украина»
  74. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 Динамический хаос в частично освещенном компенсированном полупроводнике в условиях примесного электрического пробоя ¶ © К.М. Джандиери , З.С. Качлишвили, А.Б. Строганов Тбилисский»
  75. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Выступ на спектрах поглощения GaAs, возбужденного мощными пикосекундными импульсами света © Г.С. Алтыбаев, И.Л. Броневой , С.Е. Кумеков¶ Казахский национальный технический университет, 480013»
  76. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Физические свойства полуизолирующих монокристаллов CdTe : Cl, выращенных из газовой фазы ¶ © В.Д. Попович , Г.М. Григорович, Р.М. Пелещак, П.Н. Ткачук Дрогобычский государственный педагогический»
  77. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Усиление магниторефрактивного эффекта в магнитофотонных кристаллах © Ю.В. Борискина, С.Г. Ерохин, А.Б. Грановский, А.П. Виноградов, M. Inoue Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,»
  78. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами © А.М. Иванов, Н.Б. Строкан Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук,»
  79. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Магнитная микроструктура в гексаферритах стронция с коррелированными неизоморфными замещениями © Ш.Ш. Башкиров, А.Б. Либерман, Л.Д. Зарипова, А.А. Валиуллин Казанский государственный университет, 420008»
  80. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Магнитная анизотропия, переход первого рода и парадокс Брауна в соединениях редкоземельных металлов © Ю.П. Ирхин Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург,»
  81. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Особенности механизмов проводимости сильно легированных интерметаллических полупроводников n-ZrNiSn © В.А. Ромака,+, М.Г. Шеляпина,¶, Ю.К. Гореленко•, Д. Фрушарт , Ю.В. Стаднык•, Л.П. Ромака•,»
  82. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Кооперативная генерация когерентных фононов локализованными возбуждениями в стеклах © А.М. Андриеш, Н.А. Енаки, В.И. Король, П.И. Бардетский, И.П. Куляк Институт прикладной физики Академии наук»
  83. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 О природе термополевой асимметрии процессов ионной поляризации / деполяризации окисла Si-МОП структур © Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева Институт радиотехники и электроники, 141120 Фрязино,»
  84. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Светочувствительные полиимиды, содержащие в цепи замещенные дифенилметановые фрагменты © Е.Л. Александрова, Г.И. Носова, Н.А. Соловская, К.А. Ромашкова, В.А. Лукьяшина, Е.В. Конозобко, В.В.»
  85. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 4 Спиновое состояние и магнитное взаимодействие между ионами кобальта в легированных ниобием кобальтитах © И.О. Троянчук, Д.В. Карпинский, R. Szymczak Институт физики твердого тела и полупроводников»
  86. «Физика твердого тела, 1997, том 39, № 4 Аномальная электронная эмиссия из монокристаллов ниобата и танталата лития © А.Т. Козаков, В.В. Колесников, А.В. Никольский, В.П. Сахненко Научно-исследовательский институт физики при Ростовском-на-Дону»
  87. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBVI, легированных элементами III группы © А.И. Белогорохов, И.И. Иванчик, З. Попович,†, Н. Ромчевич†, Д.Р. Хохлов Московский»
  88. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 4 Nanodiamonds in magnetic recording system technologies © V.I. Kurmachev , Y.V. Timoshkov , T.I. Orehovskaja , V.Y. Timoshkov PLASMOTEG Engineering Center, National Academy of Science Belarus, Minsk,»
  89. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 Низкотемпературная время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN © А.В. Андрианов, В.Ю. Некрасов, Н.М. Шмидт, Е.Е. Заварин, А.С. Усиков, Н.Н. Зиновьев, М.Н. Ткачук»
  90. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 6 Влияние всестороннего давления на подвижность электронов и корреляционные свойства системы примесей железа со смешанной валентностью в кристаллах HgSe : Fe © И.Г. Кулеев, Г.Л. Штрапенин Институт»
  91. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 4 Магнитная и орбитальная структуры манганитов в области электронного легирования © С.М. Дунаевский, В.В. Дериглазов Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук,»
  92. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 6 „Модуляция“ характеристик интенсивного пикосекундного стимулированного излучения из GaAs ¶ † © Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой , А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков , Т.А. Налет , С.В. Стеганцов Институт»
  93. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Равновесное энергетическое распределение локализованных носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках при низких температурах в присутствии внешнего электрического поля © Д.В. Николаенков,»
  94. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 6 Фотолюминесценция в поликристаллических слоях Pb1-xCdxSe, активированных в присутствии паров йода © А.Е. Гамарц¶, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова Санкт-Петербургский государственный»
  95. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 4 Магнитные свойства и структура интерметаллидного соединения Gd–Ti–Ge с нанокристаллической структурой © Г.Ф. Корзникова, Х.Я. Мулюков, С.А. Никитин, Ю.А. Овченкова Институт проблем сверхпластичности»
  96. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 6 Влияние хвостов зон a-Si : H на заполнение состояний оборванных связей и величину фотопроводимости © С.В. Кузнецов, Е.И. Теруков¶ Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,»
  97. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 6 Инфракрасные спектры отражения и спектры комбинационого рассеяния света твердых растворов CuxAg1-xGaS2 © И.В. Боднарь Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220069»
  98. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6 Анализ поляризационно-модуляционных спектров индуцированного одноосным сжатием фотоплеохроизма в кристалле Ge ¶ © И.Е. Матяш, Б.К. Сердега Институт физики полупроводников им. В. Лашкарева»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6 Фотоэлектрические явления в гетероструктурах a-Si : H/p-CuInSe2 © Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков Физико-технический институт им. А.Ф Иоффе Российской академии наук, 194021»
  100. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 6 О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Si ¶ © Г.А. Качурин , С.Г. Яновская, В.А. Володин, В.Г. Кеслер, А.Ф. Лейер, M.-O. Ruault Институт физики»

Pages:     | 1 |   ...   | 72 | 73 || 75 | 76 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.