WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[7101-7200]

Pages:     | 1 |   ...   | 70 | 71 || 73 | 74 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Исследования медь-углеродных систем методом ЭПР © Б.П. Попов¶ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 29 июля 2004 г. Принята к»
  2. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением + © И.Е. Тысченко¶, А.Б. Талочкин, А.Г. Черков, К.С.»
  3. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Высокотемпературные свойства манганитов. Проявление неоднородности парамагнитной фазы © Н.А. Бабушкина, Е.А. Чистотина, К.И. Кугель , А.Л. Рахманов , О.Ю. Горбенко , А.Р. Кауль Российский научный центр»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Влияние адсорбции молекул пиридина на концентрацию свободных носителей заряда и спиновых центров в слоях пористого кремния © Л.А. Осминкина¶, А.С. Воронцов, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко,»
  5. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных квантовых точек InGaAs с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного окисления © С.А. Блохин+¶, Н.В. Крыжановская+,»
  6. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Инжекционный гетеролазер на основе массива вертикально совмещенных квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs © А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф.»
  7. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Эффект Стаблера–Вронского в зависимости от положения уровня Ферми и структуры нелегированного аморфного гидрированного кремния © О.А. Голикова, М.М. Казанин, В.Х. Кудоярова Физико-технический»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Рекомбинация экситонов в -легированных сверхрешетках второго рода GaAs/AlAs © К.С. Журавлев¶, А.К. Сулайманов, А.М. Гилинский, Л.С. Брагинский, А.И. Торопов, А.К. Бакаров Институт физики»
  9. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров © Н.А. Малеев¶, А.Г. Кузьменков, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.С. Шуленков , С.В. Чумак , Е.В. Никитина, С.А. Блохин,»
  10. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Зависимость энергетического спектра механически напряженной сверхрешетки ZnSe/ZnS от концентрации носителей © Р.М. Пелещак, Б.А. Лукиянец Дрогобычский государственный педагогический университет,»
  11. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Исследование примесного состава полупроводниковых структур на основе арсенида галлия с использованием нейтронно-активационного анализа © А.Г. Дутов, В.А. Комар, С.В. Ширяев, Л.А. Смахтин Институт»
  12. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Влияние внутризонной электронной релаксации на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах © И.А. Костко, Н.А. Гунько, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря¶ Физико-технический институт»
  13. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN / GaN ¶ © Д.С. Сизов , В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов Физико-технический»
  14. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела диэлектрик–арсенид галлия © Л.Н. Возмилова, В.И. Гаман, В.М. Калыгина, А.В. Панин, Т.П. Смирнова† »
  15. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Дисперсия скорости звука в борате железа при ядерном магнитоакустическом резонансе © Х.Г. Богданова, В.Е. Леонтьев, М.М. Шакирзянов, А.Р. Булатов Казанский физико-технический институт Российской академии»
  16. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Параметрическая оптимизация брэгговских отражателей лазера с вертикальным резонатором и нелинейным преобразованием частоты † © Ю.А. Морозов¶, И.С. Нефедов, В.Я. Алешкин , М.Ю. Морозов Институт»
  17. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Исследования зависимостей структуры и магнитных свойств пленок FeTaN от концентрации азота © А.С. Камзин, Фулинь Вей, Зхенг Янг, С.А. Камзин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  18. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Релаксация доменной структуры кристаллов ТГС и ДТГС в процессе статической переполяризации © С.Н. Дрождин, О.М. Голицына, А.И. Никишина, Ф.А. Тума, Д.П. Тарасов Воронежский государственный университет,»
  19. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений ¶ © А.П. Астахова, Н.Д. Ильинская, А.Н.»
  20. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Радиационное охлаждение в условиях магнитоконцентрационного эффекта © А.И. Липтуга, В.К. Малютенко, В.И. Пипа, Л.В. Леваш Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252650»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Транзистор с туннельным МОП эмиттером как инструмент для определения эффективной массы дырки в тонкой пленке диоксида кремния © М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, А.Ф. Шулекин¶ Физико-технический»
  22. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 О двух видах релаксации поляризации полидоменных сегнетоэлектриков в электрическом поле © В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, С.В. Нехлюдов Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской»
  23. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Влияние p-легирования активной области на температурную стабильность характеристик лазеров на InAs/GaAs-квантовых точках © И.И. Новиков¶, Н.Ю. Гордеев, Л.Я. Карачинский, М.В. Максимов, Ю.М.»
  24. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Влияние ультразвуковой обработки на деформационные эффекты и структуру локальных центров в подложке и приконтактных областях структур M/n-n+-GaAs (M = Pt, Cr, W) © И.Б. Ермолович, В.В. Миленин,»
  25. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Кинетика фрактальных кластеров при фазовых превращениях в релаксорной PLZT-керамике © В.Я. Шур, Г.Г. Ломакин, В.П. Куминов, Д.В. Пелегов, С.С. Белоглазов, С.В. Словиковский, И.Л. Соркин Институт физики и»
  26. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Природа низкочастотного комбинационного рассеяния света в конгруэнтных кристаллах ниобата лития © Н.В. Суровцев, В.К. Малиновский, А.М. Пугачев, А.П. Шебанин Институт автоматики и электрометрии Сибирского»
  27. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Температурная зависимость эффективного коэффициента оже-рекомбинации в лазерах InAs/GaAs на квантовых точках с длиной волны излучения 1.3 мкм © И.И. Новиков¶, Н.Ю. Гордеев, М.В. Максимов, Ю.М.»
  28. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Долговременная релаксация упорядоченной магнитной структуры © С.К. Годовиков, Ю.Д. Перфильев, Ю.Ф. Попов, А.И. Фиров Научно-исследовательский институт ядерной физики при Московском государственном университете»
  29. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Воздействие слабых импульсных магнитных полей на кристаллы триглицинсульфата © М.Н. Левин, В.В. Постников , М.Ю. Палагин , А.М. Косцов Воронежский государственный университет, 394693 Воронеж, Россия »
  30. «НелинейнаяНелинейнаяНелинейная фотолюминесценция варизонных твердых растворов Alx Ga1-xAs излучения через плоскую полированную поверхность с выходом на насыщение в слоях с большими значенив отсутствие переизлучения. ями E при высоких уровнях»
  31. «ВлияниеВлияниеВлияние условий пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных комплексов... одного зерна в другое, т. е. проводимостью межзеренных влиять на высоту межзеренных барьеров и тем самым границ. Как правило, проводимость кристаллов значи-»
  32. «ВлияниеВлияниеВлияниеВлияниеВлияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS тие спектров, по-видимому, вследствие нестабильности Список литературы пересыщенного твердого раствора ZnS : O. Имеющиеся в литературе данные по люминесценции „чистых“»
  33. «НаноразмерныеНаноразмерныеНаноразмерныеНаноразмерныеНаноразмерные атомные кластеры в полупроводниках — новый подход к формированию свойств... Такие лазеры обладали ультравысокой стабильностью составляет 10-18 Ф. Поэтому один электрон, попорогового»
  34. «НаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенныйНаведенный фотоплеохроизм в полупроводниках [7101-7200] А.»
  35. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 К теории квантового стохастического резонанса в однодоменных магнитных частицах © Э.К. Садыков, А.Г. Исавнин, А.Б. Болденков Казанский государственный университет, 420008 Казань, Россия (Поступила в Редакцию»
  36. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Равновесные характеристики и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe : Pb © А.В. Савицкий, О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, А.Й. Савчук, С.Н. Чупыра¶ Черновицкий национальный»
  37. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Затухание звука конечной амплитуды вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода © О.Ю. Сердобольская, А.В. Сердобольский, Г.П. Морозова Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119899»
  38. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Микрокинетика модели Изинга–Глаубера в бинарном приближении © В.А. Муравьев, В.М. Воробьев, А.С. Гаревский Нижегородский государственный университет, 603600 Нижний Новгород, Россия (Поступила в Редакцию 2»
  39. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Особенности определения концентраций мелких примесей в полупроводниках из анализа спектров экситонной люминесценции © К.Д. Глинчук¶, А.В. Прохорович Институт физики полупроводников Национальной»
  40. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Магнитотранспортные свойства гетеропереходов II типа на основе GaInAsSb/InAs и GaInAsSb/GaSb © Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев¶, А.Ф. Липаев, Ю.П. Яковлев»
  41. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 3 Флуктуационная теория фотолюминесценции пористого кремния © В.Н. Бондарев, П.В. Пихица, С.В. Зеленин Научно-исследовательский институт физики Одесского национального университетa им. И.И. Мечникова, 65026»
  42. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Теплопроводность и соотношение Видемана–Франца в расплавах антимонидов индия и галлия © Я.Б. Магомедов¶, А.Р. Билалов Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,»
  43. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Эффекты магнитного упорядочения в сильно легированных кристаллах GaAs Fe © Б.П. Попов¶, В.К. Соболевский, Е.Г. Апушкинский, В.П. Савельев Санкт-Петербургский государственный политехнический»
  44. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Распределение мелкой донорной примеси в пластине p-CdTe при ее отжиге в парах Cd ©В.Н. Бабенцов, З.К. Власенко, А.И. Власенко, А.В. Любченко Институт физики полупроводников Национальной академии»
  45. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Наблюдение диамагнитных доменов в бериллии © В.С. Егоров, Е.П. Красноперов, Ф.В. Лыков, Г. Шолт, К. Байнс, Д. Герлах, У. Циммерманн Российский научный центр ”Курчатовский институт, 123182 Москва, Россия »
  46. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Особенности фотопроводимости тонких эпитаксиальных слоев n-PbTe(Ga) © Б.А. Акимов¶, В.А. Богоявленский, Л.И. Рябова, В.Н. Васильков Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,»
  47. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Особенности теплового излучения плоскопараллельных пластин полупроводника ¶ © К.Ю. Гуга, А.Г. Коллюх , А.И. Липтуга, В.А. Мороженко, В.И. Пипа Институт физики полупроводников Национальной»
  48. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Спектры глубоких уровней в слоях ZnTe : Cr2+, полученных эпитаксией из молекулярных пучков ¶ © Ю.Г. Садофьев , М.В. Коршков Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,»
  49. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Индуцированный электрическим полем фазовый переход в монокристаллах цинкониобата свинца © Л.С. Камзина, Н.Н. Крайник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  50. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Зонная структура полупроводниковых соединений Mg2Si и Mg2Ge с напряженной кристаллической решеткой © А.В. Кривошеева¶, А.Н. Холод, В.Л. Шапошников, А.Е. Кривошеев, В.Е. Борисенко Белорусский»
  51. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Природа центров локализации дырок в халькогенидах свинца с примесью натрия © Г.Т. Алексеева, Е.А. Гуриева, П.П. Константинов, Л.В. Прокофьева, Ю.И. Равич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  52. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Динамическое влияние постоянного электрического поля на кинетику фотонов, взаимодействующих с электронами полупроводника © Р.Х. Амиров, В.Н. Гусятников¶ НИИ механики и физики Саратовского»
  53. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Электрофизические и оптические свойства InP, облученного большими интегральными потоками нейтронов ¶ ¶¶ © В.Н. Брудный , Н.Г. Колин , Д.И. Меркурисов , В.А. Новиков Сибирский физико-технический»
  54. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 О дифференциальной проводимости полупроводниковых сверхрешеток © Ю.А. Романов Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия E-mail: romanov@ipm.sci-nnov.ru»
  55. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующих нелегированных кристаллах арсенида галлия ¶ © К.Д. Глинчук , Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н.»
  56. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Модель квантовых ям и край оптического поглощения в структурно-неоднородных сплавах на основе a-Si : H © Б.Г. Будагян, А.А. Айвазов, Д.А. Стряхилев, Е.М. Соколов Московский институт электронной»
  57. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe © В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, В.Я. Костюченко , В.Н. Овсюк, Д.Ю. Протасов¶ Институт физики полупроводников Сибирского отделения»
  58. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te) © К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев,»
  59. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Влияние диффузионной длины и поверхностной рекомбинации на фотоплеохроизм анизотропных кристаллов © Г.А. Медведкин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Локализованные состояния в соединении Hg3In2Te6 Cr © П.Н. Горлей, О.Г. Грушка, В.М. Фрасуняк Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина (Получена 14 мая 2001 г. Принята к»
  61. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Исследование спектров инфракрасной люминесценции ZnSe, содержащего медь и кислород © Н.К. Морозова¶, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук# Московский энергетический институт (Технический»
  62. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Теплопроводность HgSe, введенного в решетку пустот монокристалла синтетического опала © В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, В.В. Попов, Л.М. Сорокин, И.А. Смирнов, Х. Мисиорек , »
  63. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Проводимость и эффект Холла в CdF2 : In и CdF2 : Y © И.И. Сайдашев, Е.Ю. Перлин , А.И. Рыскин , А.С. Щеулин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  64. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Особенности массо- и теплообмена в микро- и наночастицах, формирующихся при электрокристаллизации меди © А.А. Викарчук, И.С. Ясников Тольяттинский государственный университет, 445056 Тольятти, Россия»
  65. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Об электронных фазовых переходах металл-диэлектрик в полупроводниках © М.И. Даунов¶, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 О природе полосы люминесценции с hm = 1.5133 эВ в арсениде галлия © К.Д. Глинчук¶, Н.М. Литовченко, А.В. Прохорович, О.Н. Стрильчук Институт физики полупроводников Национальной академии наук»
  67. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Спектр стимулированного излучения, возникающего при межзонном поглощении пикосекундного импульса света в тонком слое GaAs © И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов Институт радиотехники и электроники»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Управление характером токопереноса в барьере Шоттки с помощью -легирования: расчет и эксперимент для Al/GaAs © В.И. Шашкин¶, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин Институт физики»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Оптические свойства монокристаллов синтетических алмазов ¶ © А.В. Мудрый , Т.П. Ларионова, И.А. Шакин, Г.А. Гусаков , Г.А. Дубров , В.В. Тихонов Институт физики твердого тела и полупроводников»
  70. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Исследование свойств низкопороговых гетеролазеров с массивами квантовых точек © С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов,»
  71. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Резонансные трехмерные фотонные кристаллы © Е.Л. Ивченко, А.Н. Поддубный Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 24 мая 2005»
  72. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Взаимодействие электронов с полярными оптическими фононами в полупроводниковых сверхрешетках © В.Г. Тютерев Томский государственный педагогический университет, 634041 Томск, Россия E-mail: vgt@phys.tsu.ru»
  73. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 5 Новый материал для активной области приборов сине-зеленого спектрального диапазона — BeCdSe © О.В. Некруткина¶,, С.В. Сорокин,+, В.А. Кайгородов,-, А.А. Ситникова, Т.В. Шубина, А.А. Торопов,»
  74. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Влияние диаметра фотовозбуждаемой области на пикосекундную релаксацию просветления тонкого слоя GaAs © И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,»
  75. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Компьютерное моделирование межузельных атомов в двумерных нанокристаллах © В.А. Лагунов , А.Б. Синани Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия»
  76. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5 Exciton–polariton transition induced by elastic exciton–exciton collisions in ultra-high quality AlGaAs alloys © T.S. Shamirzaev¶, A.I. Toropov, A.K. Bakarov, K.S. Zhuravlev, A.Yu. Kobitski,»
  77. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Магнитооптические осцилляции в висмуте при температурах T 77 K © О.В. Кондаков, К.Г. Иванов Елецкий государственный университет им. И.А. Бунина, 399700 Елецк, Россия Санкт-Петербургский»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Обращение волнового фронта на поверхности оптически возбужденного ZnO © А.Н. Грузинцев¶, В.Т. Волков Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка,»
  79. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Влияние отжига на дислокационную электропроводность германия ¶ © С.А. Шевченко Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия (Получена 16 ноября 1999 г.»
  80. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Электроны, дырки и экситоны в сверхрешетке цилиндрических квантовых точек с предельно слабой связью квазичастиц между слоями квантовых точек ¶ © Н.В. Ткач, А.М. Маханец, Г.Г. Зегря Черновицкий»
  81. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 5 Тензор проводимости и частота релаксации импульса электронов при рассеянии на ионизованной примеси в магнитном поле:метод матрицы плотности ¶ © В.Э. Каминский Институт сверхвысокочастотной»
  82. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Глубокие уровни вакансий в сверхрешетке (AlAs)1(GaAs)3 © С.Н. Гриняев, Г.Ф. Караваев Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050 Томск, Россия (Получена 24 января 1996 г.»
  83. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Особенности спектров отражения в дальней инфракрасной области полумагнитных полупроводников Hg1-xMnxTe1-ySey © А.И. Белогорохов, В.А. Кульбачинский, П.Д. Марьянчук, И.А. Чурилов Московский»
  84. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Локальная особенность изменения спектра пикосекундной суперлюминесценции при дополнительной генерации носителей в нефермиевскую электронно-дырочную плазму в GaAs ¶ © Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой»
  85. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Взаимосвязь спиновых структурных дефектов и проводимости в пленках гидрированного нанокристаллического кремния с добавками углерода ¶ © О.И. Шевалеевский , А.А. Цветков, Л.Л. Ларина, S.Y. Myong»
  86. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными носителями заряда в n-Cd1-xZnxTe © А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова, А.Г. Белов, В.М. Лакеенков, Н.А. Смирнова Институт»
  87. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Влияние ультрафиолетового облучения на люминесценцию и оптические свойства пленок ZnS : Mn © Я.Ф. Кононец, Л.И. Велигура, О.А. Остроухова Институт физики полупроводников Национальной академии наук»
  88. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Оптическая спектроскопия экситонных состояний в CuInSe2 © А.В. Мудрый¶, М.В. Якушев†, Р.Д. Томлинсон†, А.Е. Хилл†, Р.Д. Пилкингтон†, И.В. Боднарь, И.А. Викторов, В.Ф. Гременок, И.А. Шакин, А.И.»
  89. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 5 Определение щелей подвижности и плотности локализованных состояний дырок для гетероструктур p-Ge/Ge1-xSix в режиме квантового эффекта Холла ¶ © Ю.Г. Арапов , О.А. Кузнецов , В.Н. Неверов, Г.И.»
  90. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Диэлектрические и ЯМР-исследования нанопористых матриц, заполненных нитритом натрия , © C.В. Барышников , Е.В. Стукова , Е.В. Чарная , Cheng Tien , M.K. Lee , W. Bhlmann , D. Michel Благовещенский»
  91. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Плазмон-фонон-поляритоны в легированных акцепторной примесью сплавах висмут-сурьма © Н.П. Степанов¶ Забайкальский государственный педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского, 672000 Чита,»
  92. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Фононная люминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии ¶ © М.Г. Ткачман , Т.В. Шубина, В.Н. Жмерик, С.В. Иванов, П.С.»
  93. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 5 Оптоэлектронные явления в полуизолирующих монокристаллах CdTe и структурах на их основе © Г.А. Ильчук, Н.А. Украинец, В.И. Иванов-Омский, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь† Государственный университет»
  94. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 3 New approach to nonlinear dynamics of fullerenes and fullerites © G.M. Chechin, O.A. Lavrova, V.P. Sakhnenko, H.T. Stokes, D.M. Hatch Research Institute of Physics of Rostov State University, 344090»
  95. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Колебательные состояния на поверхностях Cu (100) с адслоями Ni , © Г.Г. Русина , И.Ю. Скляднева , Е.В. Чулков, Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук,»
  96. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 5 Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол © А.А. Копылов, А.Н. Холодилов Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376»
  97. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 5 Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений ¶ © Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, С.С. Кижаев , С.С. Молчанов, Б.В. Пушный, Ю.П.»
  98. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 5 Особенности проявления магниторезистивных эффектов в магнитозависимом микроволновом поглощении вырожденного n-InAs © А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Г. Бискупски Физико-технический»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 5 Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми ¶ © В.Н. Брудный , С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050»
  100. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 5 Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии © Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков Физико-технический институт им.»

Pages:     | 1 |   ...   | 70 | 71 || 73 | 74 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.