WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[7001-7100]

Pages:     | 1 |   ...   | 69 | 70 || 72 | 73 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Модель зависимости термической энергии ионизации примесей от их концентрации и компенсации в полупроводниках © Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски Белорусский государственный университет,»
  2. «статьи.e2nF где 0 = , C1 = ln(2) +J1. При H = 0 из (32) mF получаем соответствующее выражение работы [7001-7100]. В Список литературы линейном приближении по kBT/ для полного тока j имеем [7001-7100] И.М. Цидильковский. Термомагнитные явления в полупроj = xxE +»
  3. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Перенос энергии Ce3+ Eu2+ в соединении CaGa2S4 © Р.Б. Джаббаров¶ Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Академии наук Азербайджана, 370143 Баку, Азербайджан (Получена 2 июня 2001 г. Принята к»
  4. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Форма линии межзонного магнитооптического поглощения в висмуте © С.В. Бровко, А.А. Зайцев, К.Г. Иванов, О.В. Кондаков Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна, 191065»
  5. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Механизмы вхождения примеси сурьмы в кристаллы теллурида кадмия ¶¶ ¶ © Е.С. Никонюк , З.И. Захарук , В.Л. Шляховый , П.М. Фочук, А.И. Раренко Черновицкий государственный университет, 58012»
  6. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Двулучепреломление инфракрасного света в искусственном кристалле, полученном с помощью анизотропного травления кремния ¶ © Е.В. Астрова , T.S. Perova , В.А. Толмачев, А.Д. Ременюк, J. Vij , A.»
  7. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Катодолюминесценция и неупругое рассеяние света в эпитаксиальных пленках Ga1-xAlxP © Л.К. Водопьянов, В.И. Козловский, Н.Н. Мельник Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии»
  8. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Изменение спонтанного излучения в стоп-зоне опала с увеличенным контрастом показателя преломления © C.Г. Романов, А.В. Фокин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  9. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Транспортные и термоэлектрические свойства полупроводникового силицида рения ¶ ¶¶ © А.Б. Филонов, А.Е. Кривошеев , Л.И. Иваненко , Г. Бер , И. Шуманн , Д. Суптель , В.Е. Борисенко Белорусский»
  10. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Низкотемпературная фотолюминесценция кремния, легированного гольмием © Б.А. Андреев, Н.А. Соболев, Д.И. Курицын#, М.И. Маковийчук†, Ю.А. Николаев, Е.О. Паршин† Физико-технический институт им.»
  11. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках © А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук, А.Ю. Рогачев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  12. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Особенности оптическиx свойств твердых растворов AlxGa1-xN ¶ ¶¶ © В.Г. Дейбук , А.В. Возный , М.М. Слетов, А.М. Слетов Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина (Получена 3»
  13. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Исследование электрофизических и оптических свойств -легированных кремнием слоев GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [7001-7100] поверхностях (111)A GaAs © Г.Б. Галиев,»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Уровни вакансий и межузельных атомов в запрещенной зоне кремния © В.В. Лукьяница Белорусский государственный медицинский университет, 220116 Минск, Белоруссия (Получена 13 мая 2002 г. Принята к»
  15. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Кинематический квазивакансионный биэкситон Френкеля в давыдовском мультиплете © О.А. Дубовский Физико-энергетический институт, 249020 Обнинск, Калужская обл., Россия (Поступила в Редакцию 30 июня 1998 г.)»
  16. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Теплопроводность поликристаллического селенида цинка © Н.В. Лугуева, С.М. Лугуев, А.А. Дунаев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия »
  17. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях распада комплексов дефектов в полупроводниках © Н.И. Бояркина Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,»
  18. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Повышение квантового выхода инфракрасного излучения в узкощелевых полупроводниках в упругонапряженном состоянии © С.Г. Гасан-заде¶, М.В. Стриха, С.В. Старый, Г.А. Шепельский, В.А. Бойко Институт»
  19. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Энергетические состояния в короткопериодных симметричных и асимметричных сверхрешетках (GaAs)N/(AlAs)M.Зависимость от граничных условий ¶ © К.Е. Глухов , А.И. Берча, Д.В. Корбутяк , В.Г.»
  20. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Времена рассеяния частицы на одномерных потенциальных барьерах © Н.Л. Чуприков Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия (Получена 21»
  21. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Определение модуля упругости эпитаксиальных слоев GaN методом микроиндентирования © В.И. Николаев, В.В. Шпейзман, Б.И. Смирнов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  22. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 О соотношении Борна для кристаллических решеток типа алмаза и сфалерита © В.П. Михальченко Институт термоэлектричества Национальной академии наук Украины, 58002 Черновцы, Украина E-mail:»
  23. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 3 Гальвано-дипольный эффект © А.И. Грачев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: grach.shuv@mail.ioffe.ru (Поступила в Редакцию 11 июля»
  24. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 3 Поляронное состояние кристалла © Ю.А. Фирсов, Е.К. Кудинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: kudinov@ekk.ioffe.rssi.ru (Поступила в»
  25. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Оптическое поглощение и фоточувствительность структур из тонких пленок CuInxGa1-xSe2 © В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, И.В. Боднарь†, В.Ф. Гременок† Государственный технический университет, 195251»
  26. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 О поперечной устойчивости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре 1 © А.М. Минарский, П.Б. Родин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  27. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Решеточная модель прыжковой проводимости по ближайшим соседям: применение к нейтронно-легированному Ge : Ga © Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин, А.Г. Забродский Белорусский государственный университет, 220050»
  28. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Деление продольных автосолитонов в InSb в магнитном поле © И.К. Камилов¶, А.А. Степуренко, А.С. Ковалев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала,»
  29. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 3 Ultraviolet-visible absorption spectroscopy of carbon onions © S. Tomita, S. Hayashi,, Y. Tsukuda, M. Fujii Graduate School of Science and Technology, Kobe University, Rokkodai, Nada, Kobe 657-8501, Japan »
  30. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Захват электронов на примесь в полупроводниках, определяемый пространственной диффузией © В.Д. Каган Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия»
  31. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Анализ и уточнение математического аппарата для модифицированного времяпролетного метода © С.П. Вихров¶, Н.В. Вишняков, А.А. Маслов, В.Г. Мишустин Рязанская государственная радиотехническая»
  32. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Переходы Мотта в сильно легированных магнитных полупроводниках © Э.Л. Нагаев Институт физики высоких давлений Российской академии наук, 142092 Троицк, Московская обл., Россия (Поступила в Редакцию 4 января»
  33. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Энергетический спектр и магнитооптические свойства D(-)-центра в квантовом сужении ¶ © В.Д. Кревчик , А.А. Марко, А.Б. Грунин Пензенский государственный университет, 440017 Пенза, Россия»
  34. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Брэгговская дифракция света в искусственных опалах © А.В. Барышев, А.А. Каплянский, В.А. Кособукин, М.Ф. Лимонов, К.Б. Самусев, Д.Е. Усвят Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  35. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 О процессах захвата неосновных носителей тока в CdxHg1-xTe n-типа при низких температурах © С.Г. Гасан-заде, Г.А. Шепельский Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,»
  36. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Генерация дислокаций в варизонных гетеросистемах CdTe/CdHgTe на начальных стадиях эпитаксиального роста © А.И. Власенко, З.К. Власенко, И.В. Курило, И.А. Рудый Институт физики полупроводников Национальной»
  37. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Нелинейность акустических эффектов и высокочастотной проводимости в гетероструктурах GaAs/AlGaAs в режиме целочисленного квантового эффекта Холла © И.Л. Дричко¶, А.М. Дьяконов, И.Ю. Смирнов,»
  38. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Эффекты пространственной повторяемости при интерференции электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах с параболическими квантовыми ямами ¶ © В.А. Петров , А.В. Никитин Институт»
  39. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Резонансное -X-туннелирование в однобарьерных гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs ¶ © Ю.Н. Ханин , Е.Е. Вдовин, Ю.В. Дубровский Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов»
  40. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 3 Nonadiabatic superconductivity in fullerene-based materials © C. Grimaldi, E. Cappelluti , L. Pietronero, S. Strssler Dpartement de Microtechnique — IPM, cole Polytecnique Fderale Lausanne, Lausanne,»
  41. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами © А.А. Лебедев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  42. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Переходы с переносом заряда и оптические спектры ванадатов © А.В. Зенков Уральский государственный технический университет, 620002 Екатеринбург, Россия E-mail: andreas@r66.ru (Поступила в Редакцию 27 мая»
  43. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Анализ механизмов рассеяния электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами при продольном резонансном токопереносе в области сильных электрических полей и низких»
  44. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Коротковолновая фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Ar+ ©Г.А. Качурин, Л. Реболе, В. Скорупа, Р.А. Янков, И.Е. Тысченко, Х. Фрёб, Т. Бёме†, К. Ле
  45. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Спиновое расщепление и g-фактор электронов возбужденной подзоны размерного квантования © В.И. Кадушкин¶ Рязанский государственный педагогический университет, 390006 Рязань, Россия (Получена 27»
  46. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Щелевой кинематический биэкситон Френкеля © О.А. Дубовский Физико-энергетический институт, 249020 Обнинск, Россия (Поступила в Редакцию 30 июня 1999 г.) Получено общее дисперсионное уравнение, определяющее»
  47. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Влияние неоднородностей кристаллов Bi2Te3 на поперечный эффект Нернста–Эттингсгаузена © М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова Санкт-Петербургский государственный технический университет,»
  48. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 3 Особенности поведения теплосопротивления кремния в интервале температур 105–130 K © Д.К. Палчаев, А.Б. Батдалов, Ж.Х. Мурлиева, А.К. Омаров, Ф.Д. Палчаева, М.Э. Мурадханов Дагестанский государственный»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Изменение структуры дефектов в монокристаллах p-CdTe при прохождении лазерной ударной волны © А. Байдуллаева¶, А.И. Власенко, Б.Л. Горковенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль Институт физики»
  50. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Исследование транспорта носителей в системе нелегированных квантовых ям при импульсном возбуждении © А.М. Георгиевский, А.Я. Шик, В.А. Соловьев, Б.С. Рывкин, Н.А. Стругов, Е.Ю. Котельников, В.Е.»
  51. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Особенности процесса дефектообразования в Pb1-xSnxSe (x 0.06) © А.Н. Вейс, Н.А. Суворова Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Получена 6»
  52. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами © В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин Московский»
  53. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Анизотропия эффективной массы -электронов в квантовой яме GaAs/(AlGa)As ¶ © Е.Е. Вдовин , Ю.Н. Ханин Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка,»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Квазигидродинамическое моделирование особенностей электропроводности сильно легированных наноразмерных слоистых гетероструктур в сильных электрических полях ¶ © В.А. Гергель , В.А. Курбатов,»
  55. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Оптические спектры и электронная структура кубического карбида кремния ¶ © В.В. Соболев , А.Н. Шестаков Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Получена 17 июня 1999 г.»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Управление энергетическим спектром квантовых точек InAs/GaAs изменением толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InGaAs ¶ © И.А. Карпович , Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, Н.В.»
  57. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Проводимость электростатически разупорядоченных квазидвумерных полупроводниковых систем в области перколяционного перехода диэлектрик–металл © Б.А. Аронзон, Д.А. Бакаушин, А.С. Веденеев, А.Б.»
  58. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 Флуктуационные процессы в параэлектрической фазе хромаммонийных квасцов © Г.П. Вишневская, Е.Н. Фролова, А.Р. Фахрутдинов Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань,»
  59. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Фотолюминесценция пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением с введением углерода © Э.Б. Каганович¶, И.П. Лисовский, Э.Г. Манойлов, С.А. Злобин Институт»
  60. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Энергетический спектр акцептора в полумагнитном полупроводнике p-Hg1-xMnxTe в спин-стекольной области © Е.И. Георгицэ, В.И. Иванов-Омский, Д.И. Цыпишка Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  61. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Фотоионизация глубоких примесных центров в структурах с квантовыми ямами © В.И. Белявский, Ю.А. Померанцев Воронежский государственный университет, 394043 Воронеж, Россия (Получена 25 мая 1998»
  62. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Проявление эффекта локализации электронов в осцилляциях поглощения звука в режиме квантового эффекта Холла © И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, А.М. Крещук, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.Ю. Смирнов,»
  63. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Рекомбинация донорных экситонов никеля в твердых растворах ZnSe1-ySy : Ni © В.И. Соколов, О.В. Долженков Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург,»
  64. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Оптимизация температурного режима металлорганической газофазной эпитаксии квантовых точек InAs(N) на GaAs(001) с интенсивной фотолюминесценцией вблизи 1.3 мкм ¶ © В.И. Шашкин , В.М. Данильцев,»
  65. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Карты деформационных структур в облученных нейтронами металлах и сплавах © Г.А. Малыгин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail:»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев.Фотолюминесценция туннельно-связанных квантовых ям ¶ © Ю.В. Хабаров , В.В. Капаев»
  67. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Температурные зависимости модуля упругости биоморфных керамик карбида кремния © Б.И. Смирнов, Ю.А. Буренков, Б.К. Кардашев, F.M. Varela-Feria , J. Martinez-Fernandez , A.R. de Arellano-Lopez»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Плазменные колебания в двумерных полупроводниковых сверхструктурах в присутствии сильного электрического поля © С.Ю. Глазов, С.В. Крючков Волгоградский государственный педагогический»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Экситонная фотолюминесценция и вертикальный транспорт фотовозбужденных носителей в сверхрешетках CdSe/CdMgSe © И.И. Решина¶, С.В. Иванов, Д.Н. Мирлин, И.В. Седова, С.В. Сорокин»
  70. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Фотовольтаический эффект в области примесного поглощения в Si-структурах с блокированной проводимостью по примесной зоне © Б.А. Аронзон+, Л. Асадаускас- , Р. Бразис- , Д.Ю. Ковалев, Ж. Леотин-,»
  71. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Управление энергией межзонных и межподзонных переходов в квантовых ямах с помощью локализованных изоэлектронных возмущений © К. Дуринян, А. Затикян, С. Петросян¶ Ереванский государственный»
  72. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе лазерно-осажденных слоев CuIn(TexSe1-x)2 © И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь† Государственный университет информатики и»
  73. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Спектрально-люминесцентные свойства Sm- и Ce–Sm-содержащих кварцевых гель-стекол © Г.Е. Малашкевич, Е.Н. Подденежный, И.М. Мельниченко, А.В. Семченко Институт молекулярной и атомной физики Академии наук»
  74. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Релаксация спина и слабая локализация двумерных электронов в несимметричных квантовых ямах © А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  75. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Индуцированные магнитным полем переходы между минизонами в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs © В.Ф. Сапега¶, Д.Н. Мирлин, Т. Руф†, М. Кардона†, В. Винтер†, К. Эберл† Физико-технический институт им.»
  76. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии © Б.А. Борисов, С.Н. Никишин, В.В. Курятков, В.И. Кучинский¶, M. Holtz, H. Temkin»
  77. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Расчет коэффициентов оже-рекомбинации в гетероструктуре с квантовыми ямами InGaAsP/InP © Н.А. Гунько, А.С. Полковников, Г.Г. Зегря Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Квантованная проводимость в кремниевых квантовых проволоках © Н.Т. Баграев¶, А.Д. Буравлев, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В. Гельхофф, В.К. Иванов+, И.А. Шелых+ Физико-технический институт им.»
  79. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Эволюция микроструктуры в облучаемых материалах © В.В. Слезов , А.В. Субботин , О.А. Осмаев, Институт теоретической физики им. акад. А.И. Ахиезера, Национальный научный центр „Харьковский»
  80. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Исследования свойств FeAlN тонких пленок в зависимости от способов синтеза © А.С. Камзин, Фулинь Вей, Зхенг Янг, С.А. Камзин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  81. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Резонансные состояния доноров в квантовых ямах ¶ © Н.А. Бекин Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия (Получена 7 сентября 2004 г. Принята к печати»
  82. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Влияние интерфейсных ступенек роста на анизотропию экситонного излучения квантовых ям ZnCdSe/ZnSe © В.Х. Кайбышев, В.В. Травников¶ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  83. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Модель фотоотжига собственных дефектов гексагональных квантовых точек CdSxSe1-x ¶ © В.П. Кунец , Н.Р. Кулиш, М.П. Лисица, В.П. Брыкса Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева»
  84. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 3 Спектрально-люминесцентные и прочностные свойства родамин 6Ж-содержащих кремнеземных гель-пленок © Г.Е. Малашкевич, Е.Н. Подденежный, И.М. Мельниченко, В.Б. Прокопенко, Д.В. Демьяненко Институт молекулярной и»
  85. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Внутризонное поглощение света в квантовых ямах за счет электрон-электронных столкновений © Г.Г. Зегря, В.Е. Перлин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  86. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 3 О роли спектральной диффузии в спектроскопии одиночной примесной молекулы © В.В. Пальм, К.К. Ребане Институт физики Тартуского университета, 51014 Тарту, Эстония E-mail: rebanek@fi.tartu.ee (Поступила в»
  87. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs © В.Г. Талалаев¶, Б.В. Новиков, С.Ю. Вербин, А.Б. Новиков, Динь Шон Тхак, Г.»
  88. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Исследования магнитного состояния поверхности гексагональных ферритов Sr–M в области фазового перехода при температуре Кюри © А.С. Камзин, В.Л. Розенбаум Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  89. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Определение профиля распределения концентрации носителей заряда в слабосвязанных сверхрешетках GaAs / AlGaAs ¶ © П.Н. Брунков , С.О. Усов , Ю.Г. Мусихин, А.Е. Жуков, † Г.Э. Цырлин , В.М.»
  90. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Солитон поля упругой деформации в структурно-неустойчивом кристалле © Е.Е. Слядников Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, 634021 Томск, Россия E-mail: slyad@cc.tpu.edu.ru»
  91. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Моделирование массопереноса в условиях локальной газофазной эпитаксии с использованием маски © Л.Б. Проэкт, М.А. Калитеевский, В.Б. Кантор, Д.А. Пиотровский, М.А. Синицын, Б.С. Явич»
  92. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4 Излучение квантово-размерных структур InGaAs I. Спектры спонтанного излучения © П.Г. Елисеев, И.В. Акимова Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия »
  93. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Особенности электропроводности легированных пленок -Si : H с нанокристаллами кремния ¶ © С.А. Аржанникова, М.Д. Ефремов , Г.Н. Камаев, А.В. Вишняков, В.А. Володин Институт физики полупроводников»
  94. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Импульсные режимы огибающей магнитостатических волн в двухслойной магнитосвязанной структуре © А.М. Шутый, Д.И. Семенцов Ульяновский государственный университет, 432970 Ульяновск, Россия E-mail:»
  95. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Интеркаляция лития в тонкие пленки аморфного кремния © Т.Л. Кулова, А.М. Скундин, Ю.В. Плесков, О.И. Коньков, Е.И. Теруков¶, И.Н. Трапезникова Институт физической химии и электрохимии им. А.Н.»
  96. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 3 Оптические свойства и электронная структура редкоземельных ферроборатов © В.Н. Заблуда, С.Г Овчинников, А.М. Поцелуйко, С.А. Харламова Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской»
  97. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Носители заряда в спектрах оптической проводимости манганитов лантана © Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, В.Е. Архипов, С.В. Окатов, С.В. Наумов, И.Б. Смоляк, Я.М. Муковский, А.В. Шматок Институт физики»
  98. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Динамическая электропроводность анизотропно наноструктурированного кремния © П.А. Форш¶, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Интерференция носителей тока в модулированных квантовых проволоках © Н.Т. Баграев, В. Гельхофф, В.К. Иванов+, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, И.А. Шелых+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  100. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Распространение поверхностной акустической волны в слоистой системе, содержащей двумерный проводящий слой © В.Д. Каган Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»

Pages:     | 1 |   ...   | 69 | 70 || 72 | 73 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.