WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[6901-7000]

Pages:     | 1 |   ...   | 68 | 69 || 71 | 72 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Влияние диффузии Te из подложки n-GaSb : Te на свойства твердых растворов GaInAsSb, выращенных в присутствии свинца © Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, А.Ф. Липаев, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко¶,»
  2. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Свойства периодических структур a-Si : H a-SiNx : H, полученных нитридизацией слоев аморфного кремния © Д.И. Биленко, О.Я. Белобровая, Ю.Н. Галишникова, Э.А. Жаркова, Н.П. Казанова, О.Ю.»
  3. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Механизмы распада твердого раствора InGaAlAs, стимулированного квантовыми точками InAs © А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик, Д.А. Бедарев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А.»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Люминесценция квантовых точек ZnO, полученных с помощью синтетического опала ¶ © А.Н. Грузинцев , В.Т. Волков, Г.А. Емельченко , И.А. Карпов , В.М. Масалов , Г.М. Михайлов, Е.Е. Якимов»
  5. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Вольт-фарадные характеристики p-n-структур на основе (111)Si, легированного эрбием и кислородом © А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, А.Н. Якименко Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  6. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 Резонансные переходы между расщепленными уровнями трехбарьерных наноструктур и перспективы их применения в приборах субмиллиметрового диапазона © Е.И. Голант, А.Б. Пашковский Государственное»
  7. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Термодинамика и кинетика начальных стадий переключения в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках © С.А. Кукушкин, М.А. Захаров Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург,»
  8. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Ионизация примесных центров в полупроводниковой квантовой сверхрешетке нелинейными электромагнитными волнами © С.В. Крючков, К.А. Попов Педагогический университет, 400013 Волгоград, Россия»
  9. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 О внутренней структуре сферических частиц опала © И.А. Карпов, Э.Н. Самаров, В.М. Масалов, С.И. Божко, Г.А. Емельченко Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская»
  10. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Структура энергетических квантовых уровней в квантовой точке, имеющей форму сплюснутого тела вращения © Г.Г. Зегря, О.В. Константинов, А.В. Матвеенцев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  11. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Двухуровневые волновые функции электронов в двухбарьерных квантово-размерных структурах в электрическом поле конечной амплитуды © Е.И. Голант, А.Б. Пашковский Государственное»
  12. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Синхротронные исследования особенностей электронно-энергетического спектра кремниевых наноструктур © Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, Э.Ю. Мануковский, С.Ю. Турищев, С.Л. Молодцов , Д.В.»
  13. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Уширение спектральных линий в квантовых ямах при кулоновском взаимодействии носителей заряда ¶ © А.А. Афоненко Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия (Получена 10 июня»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Связывание состояний электронов в молекуле квантовых точек InAs/GaAs © М.М. Соболев¶, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.С. Михрин, Г.Э. Цырлин, Ю.Г. Мусихин Физико-технический институт»
  15. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Эффекты фотоупругости в сверхрешетках с наклонным дном квантовой ямы вблизи межзонных резонансов © Р.А. Аюханов, Г.Н. Шкердин Физико-технический институт НПО „Физика-Солнце“ Академии наук Узбекистана,»
  16. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Генерация гармоник в квантово-размерных структурах в сильном электромагнитном поле © В.В. Капаев, А.Е. Тюрин Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия»
  17. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Пентагональные кристаллы меди: многообразие форм роста и особенности внутреннего строения © А.А. Викарчук, А.П. Воленко Тольяттинский государственный университет, 445667 Тольятти, Россия E-mail:»
  18. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев 1. Фотолюминесценция ¶ © Ю.В. Хабаров Институт радиотехники и электроники»
  19. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Форма линий ЭПР и ЯМР в разупорядоченных сегнетоэлектриках © М.Д. Глинчук, И.В. Кондакова Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, 252680 Киев, Украина (Поступила в Редакцию 19 июня 1997 г.В»
  20. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Переменный пространственный заряд и неоднозначность квантовых состояний в двухбарьерных структурах © А.Б. Пашковский Государственное научно-производственное предприятие ”Исток”, 141120 Фрязино,»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Зависимость структурных и оптических свойств ансамблей квантовых точек в системе InAs / GaAs от температуры поверхности и скорости роста ¶ © В.Г. Дубровский , Ю.Г. Мусихин , Г.Э. Цырлин, В.А.»
  22. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Особенности фотолюминесценции самоформирующихся островков Ge(Si)/Si (001), выращенных на напряженном слое Si1-xGex © Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов¶, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н.»
  23. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 О стабильности кубического диоксида циркония и стехиометрических наночастиц диоксида циркония © В.Г. Заводинский, А.Н. Чибисов Институт материаловедения Хабаровского научного центра Дальневосточного»
  24. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Влияние зарядового состояния дефектов на индуцированную светом кинетику фотопроводимости аморфного гидрированного кремния © О.А. Голикова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  25. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Электропроводность одномерного полупроводника с периодическим потенциалом ¶ © С.Д. Бенеславский, А.А. Елистратов , С.В. Шибкоⶶ Институт криптографии, связи и информатики Академии ФСБ России,»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Гетероструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками InAs/InGaNAs/GaNAs, излучающие в спектральном диапазоне 1.4–1.8 мкм © В.С. Михрин¶, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, Н.В. Крыжановская, А.Г.»
  27. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Когерентные эффекты в правильных трехмерных решетках нанокристаллов изоляторов в матрице опала © В.Н. Богомолов, Н.Ф. Картенко, Д.А. Курдюков, Л.С. Парфеньева, А.А. Сысоева, Н.В. Шаренкова, И.А. Смирнов, Х.»
  28. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Особенности поглощения в наноструктурах a-Si / ZrOx © А.Ф. Хохлов, И.А. Чучмай, А.В. Ершов¶ Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603600 Нижний Новгород, Россия»
  29. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Размерный эффект Штарка и электропоглощение в полупроводниковом сферическом слое © В.А. Арутюнян, К.С. Арамян , Г.Ш. Петросян Гюмрийский образовательный комплекс государственного инженерного»
  30. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP © Л.Б. Карлина¶, А.С. Власов, М.М. Кулагина, Н.Х. Тимошина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  31. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Процессы медленной поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках © В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия E-mail:»
  32. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Деформация слоев в сверхрешетках AlGaN/GaN по данным рентгенодифракционного анализа © Р.Н. Кютт, М.П. Щеглов, В.Ю. Давыдов, А.С. Усиков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  33. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Дихроизм пропускания света массивом квантовых проволок GaAs, самоформирующихся на нанофасетированной поверхности (311)A © В.А. Володин, М.Д. Ефремов, Р.С. Матвиенко , В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин ,»
  34. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs в квантовой яме InGaAsN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии © И.П. Сошников, Н.В. Крыжановская, Н.Н.»
  35. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1.94 мкм © Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев¶, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Шленский»
  36. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Тепловые и акустические свойства хризотилового асбеста © Ю.А. Кумзеров, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, А.И. Кривчиков , Г.А. Звягина , В.Д. Филь , Х. Мисиорек , Я. Муха , А. Ежовский Физико-технический»
  37. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Фотовозбуждение носителей с уровней в квантовых точках в состояния континуума в процессе лазерной генерации © Л.В. Асрян¶, Р.А. Сурис¶¶ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  38. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Рассеяние фононов на границах малых кристаллов, помещенных в диэлектрическую матрицу пористого стекла © Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, А.В. Фокин, Х. Мисиорек, Я. Муха , А. Ежовский Физико-технический»
  39. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Анализ состава когерентных нановключений твердых растворов по высокоразрешающим электронно-микроскопическим изображениям ¶ © И.П. Сошников , О.М. Горбенко, А.О. Голубок , Н.Н. Леденцов»
  40. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Большое повышение максимальной дрейфовой скорости электронов в канале полевого гетеротранзистора © Ю.К. Пожела¶, В.Г. Мокеров+ Институт физики полупроводников, 01108 Вильнюс, Литва + Институт»
  41. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Роль примеси бора в активации свободных носителей заряда в слоях пористого кремния при адсорбции акцепторных молекул ¶ © Л.А. Осминкина , Е.А. Константинова, К.С. Шаров, П.К. Кашкаров, В.Ю.»
  42. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Размерность мезогенных молекул как атомных кластеров © Е.М. Аверьянов Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия E-mail: aver@iph.krasn.ru»
  43. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Гетероструктурный транзистор на квантовых точках с повышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов © В. Мокеров, Ю. Пожела¶, К. Пожела, В. Юцене Институт СВЧ полупроводниковой электроники»
  44. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Модели углеродных микротрубок и распределение электронной плотности в них © В.А. Волошин, В.Г. Бутько, А.А. Гусев, Т.Н. Шевцова Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, 83114»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Плотность состояний в щели подвижности аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием ¶ © А.В. Бирюков, А.Г. Казанский , Е.И. Теруков , К.Ю. Хабарова Московский государственный»
  46. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Дисперсия и затухание волн Рэлея на статистически шероховатой, свободной поверхности гексагонального кристалла © В.В. Косачёв, Ю.Н. Гандурин Московский государственный инженерно-физический институт»
  47. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 2 Суперсимметричная теория неупорядоченных гетерополимеров © А.И. Олемской, В.А. Бражный Сумский государственный университет, 244007 Сумы, Украина E-mail: alexander@olem.sumy.ua valera@ssu.sumy.ua (Поступила»
  48. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Новый физический механизм формирования критического заряда включения тиристорных структур ¶ © Т.Т. Мнацаканов , С.Н. Юрков, А.Г. Тандоев Всероссийский электротехнический институт, 111250 Москва,»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Роль одномерной диффузии в модели роста поверхности кристалла Косселя © А.М. Бойко¶, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  50. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Структура и свойства нанотрубок BeO © П.Б. Сорокин, А.С. Фёдоров, Л.А. Чернозатонский Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, 660036 Красноярск, Россия Институт»
  51. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Плотность и термодинамика водорода, адсорбированного на поверхности однослойных углеродных нанотрубок © А.С. Фёдоров, П.Б. Сорокин Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской»
  52. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Формирование дислокационной спирали на грани (010) кристалла бифталата калия © Л.Н. Рашкович, Е.В. Петрова, О.А. Шустин, Т.Г. Черневич Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119992»
  53. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Генерация третьей гармоники в пленках сополимеров с оптически нелинейным N-замещенным 4-нитроазобензолом в боковой и основной полимерных цепях © Г.К. Лебедева, Н.Л. Лорецян, В.Н. Иванова, К.А. Ромашкова,»
  54. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 2 Фотовольтаический эффект в пленках поли(алкилтиофена) на кремниевой подложке © А.С. Комолов Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, 198904 Петродворец,»
  55. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Определение коэффициента ослабления света в тонких слоях светодиодных структур © А.А. Ефремов¶, Д.В. Тархин, Н.И. Бочкарева, Р.И. Горбунов, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер Санкт-Петербургский»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Спектрометрия короткопробежных ионов детекторами на основе CVD-пленок 4H-SiC © Н.Б. Строкан, А.М. Иванов¶, Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, Г.Н. Виолина»
  57. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Низкочастотная оптическая проводимость неоднородных сплавов © Н.И. Коуров, Ю.В. Князев Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия E-mail:»
  58. «ГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктурыГетероструктуры с квантовыми точками: получение,»
  59. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения © Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А.»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Трансформация параметров фазового перехода полупроводник–металл при кристаллизации аморфных пленок диоксида ванадия ¶ © В.А. Климов, И.О. Тимофеева, С.Д. Ханин, Е.Б. Шадрин , А.В. Ильинский ,»
  61. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Исследование необратимой структурной релаксации в объемном металлическом стекле Pd–Cu–Ni–P © Н.П. Кобелев, Е.Л. Колыванов, В.А. Хоник Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432»
  62. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Влияние электронной и нейтронной радиации на спектры оранжевой люминесценции специально не легированных и легированных медью монокристаллов сульфида кадмия © Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара, Н.С.»
  63. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Излучение горячих носителей при образовании высокополевых автосолитонов в электронно-дырочной плазме в n-Ge ¶ © М.Н. Винославский , А.В. Кравченко Институт физики Национальной академии наук»
  64. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+-n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе ¶ © Б.С.»
  65. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Эффект латерального переноса фотоиндуцированных носителей заряда в гетороструктуре с двумерным электронным газом © В.А. Сабликов, С.В. Поляков†, О.А. Рябушкин Институт радиотехники и электроники»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 СВЧ фотопроводимость и фотодиэлектрический эффект в тонких пленках PbS, полученных из тиомочевинных координационных соединений ¶ © Н.Л. Сермакашева, Г.Ф. Новиков , Ю.М. Шульга, В.Н. Семенов»
  67. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Оптические спектры и электронная структура нитрида индия © В.В. Соболев, М.А. Злобина Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Получена 16 марта 1998 г. Принята к печати 29»
  68. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 3 Собственная и активированная примесями Zn, Ce, Tb, Er, Sm и Eu фотолюминесценция псевдоаморфных тонких пленок GaN и InGaN © А.А. Андреев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Анализ формы полосы люминесценции, обусловленной переходами свободных электронов на атомы углерода в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs © К.Д. Глинчук¶, Н.М. Литовченко, А.В.»
  70. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Обобщенный характер диэлектрического отклика кристаллов CdTe, выращенных из расплава © И.А. Клименко, В.П. Мигаль Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского ”ХАИ”, 61070»
  71. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Оптическое отражение в твердых растворах (Pb0.78Sn0.22)1-xInxTe с высоким содержанием индия © А.Н. Вейс, А.В. Нащекин Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251»
  72. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Насыщение межзонного поглощения в полупроводниках © А.О. Меликян¶ Г.Р. Минасян Государственный инженерный университет, 375009 Ереван, Армения (Получена 22 апреля 1999 г. Принята к печати 12»
  73. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Сенсорные свойства по отношению к сероводороду и электропроводность поликристаллических пленок SnO2(Cu) © Б.А. Акимов, А.В. Албул, А.М. Гаськов, В.Ю. Ильин, М. Лабо, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова»
  74. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Дипольная модель сужения энергетической щели между зонами Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках ¶ © Н.А. Поклонский , С.А. Вырко, А.Г. Забродский Белорусский государственный»
  75. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Влияние радиального электрического поля на поглощение в квантованном сферическом слое © В.А. Арутюнян Государственный инженерный университет Армении, Гюмрийский образовательный комплекс, 377503»
  76. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 4 Емкостные исследования электронных ловушек в низкотемпературном арсениде галлия © П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, А.К. Моисеенко, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Черкашин, С.Г. Конников, В.В.»
  77. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Электростатическая модель энергетической щели между зонами Хаббарда атомов бора в кремнии © Н.А. Поклонский, А.И. Сягло Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Полупроводниковые свойства CrSi2 с деформированной решеткой © А.В. Кривошеева¶, В.Л. Шапошников, А.Е. Кривошеев, А.Б. Филонов, В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет информатики»
  79. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Рассеяние фононов пространственно-коррелированной системой ионов железа и низкотемпературная аномалия теплопроводности кристаллов HgSe : Fe © И.Г. Кулеев¶, А.Т. Лончаков, И.Ю. Араповබ Институт»
  80. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Релаксационный характер диэлектрического отклика кристаллов Cd1-xZnxTe, выращенных из расплава © И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко Государственный аэрокосмический»
  81. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Нижние критические поля сверхпроводника Y–Ba–Cu–O © В.Е. Милошенко, И.М. Шушлебин, О.В. Калядин Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия E-mail: miloshenko@mail.ru»
  82. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Фотоэлектрическое C-V-профилирование концентрации основных и эффективного времен жизни неосновных носителей заряда в геттерированных пластинах GaAs © В.Ф. Андриевский , А.Т. Гореленок, Н.А.»
  83. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Метод открытой оболочки для электронной структуры дивакансии кремния © С.С. Моливер Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия (Поступила в Редакцию 29 апреля 1998 г.) Ограниченный»
  84. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов GaSe, подвергнутых воздействию лазерного облучения ¶ © А. Байдуллаева , З.К. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, Л.Ф. Кузан, П.Е. Мозоль Институт»
  85. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Влияние кластеров дефектов на перераспределение легирующей примеси в n- и p-Si0.7Ge0.3 в процессе реакторного облучения © А.П. Долголенко Институт ядерных исследований Национальной академии»
  86. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного и межузельного типов в бездислокационном кремнии с различным содержанием кислорода © И.И. Колковский, В.В. Лукьяница Белорусский»
  87. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 3 Electron density as the main parameter influencing the formation of fullerenes in a carbon plasma © G.N. Churilov, P.V. Novikov, V.A. Lopatin, N.G. Vnukova, N.V. Bulina, S.M. Bachilo, D. Tsyboulski, R.B.»
  88. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Полуэмпирическая модель подвижности носителей заряда в карбиде кремния для анализа ее зависимости от температуры и легирования © Т.Т. Мнацаканов¶, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков Всероссийский»
  89. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Эффективная масса электронов в сильно легированном арсениде галлия при упорядочении примесных комплексов © В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев¶, Н.А. Семиколенова, Е.Н. Сидоров Институт»
  90. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3 Спиновая поляризация и андреевское отражение носителей заряда в точечных контактах (LaCa)MnO/сверхпроводник © А.И. Дьяченко, В.А. Дьяченко, В.Ю. Таренков, В.Н. Криворучко Донецкий физико-технический»
  91. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 4 Временная и пространственная устойчивость фотоэлектрического отклика кристаллов CdZnTe © В.П. Мигаль¶, А.С. Фомин¶¶ Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского „ХАИ“, 61070»
  92. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Электрофизические свойства InAs, облученного протонами ¶ © В.Н. Брудный , Н.Г. Колин , А.И. Потапов Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050 Томск, Россия »
  93. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 4 Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами ( 2 МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов ¶ ¶¶ © В.Н. Брудный , С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин Сибирский»
  94. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 4 Акустостимулированная активация связанных дефектов в твердых растворах CdHgTe © А.И. Власенко, Я.М. Олих, Р.К. Савкина Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028»
  95. «Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4 Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники I. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом»
  96. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 4 Дипольные моменты лигандов и штарковское расщепление уровней редкоземельных ионов © М.М. Чумачкова, А.Б. Ройцин Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев,»
  97. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 3 Формирование Кикучи-полос в дифракционных картинах электронов средней энергии © М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Н.С. Фараджев, Д.А. Валдайцев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  98. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 4 Активационная проводимость и переход металл–диэлектрик в примесной зоне легированных кристаллов узкощелевого p-Hg1-xCdxTe © В.В. Богобоящий, С.Г. Гасан-заде, Г.А. Шепельский Кременчугский»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 4 Определение матричного элемента оператора квазиимпульса в бесщелевом полупроводнике HgSe методом эффекта поля в электролите © О.Ю. Шевченко, В.Ф. Раданцев , А.М. Яфясов¶, В.Б. Божевольнов, И.М.»
  100. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 4 Влияние импульсного лазерного излучения на морфологию и фотоэлектрические свойства кристаллов InSb © В.А. Гнатюк¶, Е.С. Городниченко Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, 01033»

Pages:     | 1 |   ...   | 68 | 69 || 71 | 72 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.