WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[6801-6900]

Pages:     | 1 |   ...   | 67 | 68 || 70 | 71 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Анализ процесса огрубления твердых дисперсных систем © В.И. Псарев, Л.А. Пархоменко Запорожский национальный технический университет, 69063 Запорожье, Украина E-mail: dilap@zntu.edu.ua (Поступила в Редакцию»
  2. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Избыточный объемный заряд в титанате стронция © А.И. Дедык, Л.Т. Тер-Мартиросян Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 9»
  3. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Упругие постоянные кристаллов инертных газов под давлением и соотношения Коши © Е.В. Зароченцев, Е.П. Троицкая, Вал.В. Чабаненко Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины,»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Необычные фотоэлектрические свойства полимерных композитов, содержащих гетерополиядерные комплексы переходных металлов © Н.А. Давиденко¶, В.Н. Кокозей, И.И. Давиденко, О.В. Нестерова, Д.В.»
  5. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 О влиянии флуктуаций толщины на статическую электропроводность квантовой полупроводниковой проволоки ¶ © М.А. Рувинский , Б.М. Рувинский Прикарпатский университет им. В. Стефаника, 76000»
  6. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Дефекты и отслаивание аморфных нанопленок от кристаллических подложек , © С.В. Бобылев , И.А. Овидько , А.Е. Романов , А.Г. Шейнерман Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178»
  7. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Влияние особенностей структуры на теплопроводность поликристаллического сульфида цинка © Н.В. Лугуева, С.М. Лугуев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала,»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Селективный перенос электрона между квантовыми точками под действием резонансного импульса © Л.А. Опенов¶, А.В. Цуканоⶶ Московский инженерно-физический институт (государственный университет),»
  9. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Моделирование кинетики накопления повреждений вероятностным клеточным автоматом © Д.В. Алексеев, Г.А. Казунина Кузбасский государственный технический университет, 650026 Кемерово, Россия E-mail:»
  10. «ТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературнаяТемпературная зависимость зонной структуры политипов 3C, 2H, 4H и 6H карбида кремния [6801-6900] P.B. Allen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 23, 1495»
  11. «ДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузияДиффузия легирующих примесей из полимерных диффузантов и применение этого метода... [6801-6900] R.O. Carlson, R.N. Hall, E.M.»
  12. «»
  13. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Оптические свойства пористого наноразмерного GaAs © А.И. Белогорохов¶, С.А. Гаврилов, И.А. Белогорохов+, А.А. Тихомиров ФГУП „Гиредмет“, 119017 Москва, Россия Московский государственный»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Фотоэлектрические и электрические свойства поликристаллических слоев CdxHg1-xTe на подложках GaAs © В.А. Гнатюк¶, Е.С. Городниченко, П.Е. Мозоль, А.И. Власенко Институт физики полупроводников»
  15. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 О механизмах долговременной релаксации проводимости в компенсированном Si B,S и Si B,Rh при радиационном воздействии © М.С. Юнусов, М. Каримов, Б.Л. Оксенгендлер Институт ядерной физики Академии»
  16. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN © Д.С. Сизов¶, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов Физико-технический институт им.»
  17. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Кинетика установления термоэдс горячих носителей заряда в p-n-переходе с учетом нагрева решетки © Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, С.Р. Бойдедаев Наманганский инженерно-педагогический институт,»
  18. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Тонкая структура длинноволнового края экситон-фононного поглощения и гиперболические экситоны в карбиде кремния политипа 6H © А.П. Крохмаль¶ Киевский национальный университет им. Тараса»
  19. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Термоэлектрические сплавы на основе теллурида олова © В.П. Веденеев, С.П. Криворучко, Е.П. Сабо Сухумский физико-технический институт Академии Наук Республики Абхазия, Грузия (Получена 26 марта»
  20. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Магниторефрактивный эффект в гранулированных сплавах с туннельным магнитосопротивлением © И.В. Быков, Е.А. Ганьшина, А.Б. Грановский, В.С. Гущин, А.А. Козлов, Т. Масумото , С. Онума Московский»
  21. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Магнитооптическое исследование гранулированных пленок оксида кремния с ферромагнитными частицами CoNbTa © А.В. Кимель, Р.В. Писарев, А.А. Ржевский, Ю.Е. Калинин , А.В. Ситников , О.В. Стогней , F.»
  22. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Статические и динамические свойства изолированного полосового домена в тонкой ферромагнитной пленке © Ю.И. Горобец, Ю.И. Джежеря Институт магнетизма Академии наук Украины, 252680 Киев, Украина (Поступила в»
  23. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 2 Избирательное подавление старших гармоник намагниченности в суперпарамагнитной системе © Ю.Л. Райхер, В.И. Степанов Институт механики сплошных сред Уральского отделения Российской академии наук, 614013»
  24. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Структура метастабильных центров атомов III группы в кристаллах IV–VI © Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин Всероссийский научный центр ”Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова”, 199034»
  25. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Динамическое перемагничивание и бистабильные состояния в антиферромагнитных многослойных структурах © А.М. Шутый, Д.И. Семенцов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск, Россия E-mail:»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Влияние примеси гадолиния на прозрачность и отражательную способность кристаллов Hg3In2Te6 © П.М. Горлей, О.Г. Грушка, З.М. Грушка Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012»
  27. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Фазочувствительный анализ спектров фотоотражений n-GaAs © А.В. Ганжа†, В. Кирхер†, Р.В. Кузьменко†, Й. Шрайбер†, Ш. Хильдебрандт† Воронежский государственный университет, 394000 Воронеж, Россия †»
  28. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 О предэкспоненциальном множителе в законе Мотта для прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка в слабокомпенсированных кристаллах p-Hg0.8Cd0.2Te © В.В. Богобоящий Кременчугский»
  29. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Люкс-амперные характеристики кристаллов CdHgTe c фотоактивными включениями © А.И. Власенко, З.К. Власенко Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина»
  30. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 2 Определение магнитной анизотропии сложных редкоземельных соединений из эффекта Мессбауэра и ЯМР © Ю.П. Ирхин, В.Ю. Ирхин Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219»
  31. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Динамика межфазных доменных границ при фазовом переходе типа Морина © В.С. Герасимчук, А.Л. Сукстанский Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк, Украина Донбасская»
  32. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Мессбауэровское исследование двухэлектронной акцепторной примеси цинка в кремнии © Ф.С. Насрединов, Н.П. Серегин, П.П. Серегин, С.И. Бондаревский Санкт-Петербургский государственный технический»
  33. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Фотоэлектрические свойства пленок ZnO, легированных акцепторными примесями Cu и Ag ¶ © А.Н. Грузинцев , В.Т. Волков, Е.Е. Якимов Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых»
  34. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Температурные зависимости фотопроводимости кристаллов CdHgTe с фотоактивными включениями © А.И. Власенко, З.К. Власенко Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028»
  35. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Фазовые переходы в ЦМД-структурах при спиновой переориентации в феррит-гранатовых пленках © А.В. Безус, А.А. Леонов, Ю.А. Мамалуй, Ю.А. Сирюк Донецкий национальный университет, 83055 Донецк, Украина E-mail:»
  36. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 Идентификация электронно-оптических переходов в области примесных состояний в E0-спектрах фотоотражения GaAs © Р.В. Кузьменко¶, Э.П. Домашевская Воронежский государственный университет, 394693»
  37. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Многодолинное расщепление энергетического спектра мелкого донора в полупроводниках со структурой типа алмаза и сфалерита ¶ © С.М. Зубкова, В.А. Изюмов, Л.Н. Русина , Е.В. Смелянская Институт»
  38. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GaInAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава © Т.И. Воронина, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П.»
  39. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Магнитные фазовые диаграммы ферримагнетиков с двумя магнитно-нестабильными подсистемами © Н.П. Колмакова, Р.З. Левитин, А.С. Маркосян, М.Ю. Некрасова Брянский государственный технический университет, 241035»
  40. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Варизонный фотоэлектрический детектор ионизирующих излучений ¶ © Л. Дапкус, К. Пожела, Ю. Пожела , А. Шиленас, В. Юцене, В. Ясутис Институт физики полупроводников, 01108 Вильнюс, Литва (Получена»
  41. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Ширина запрещенной зоны и оптические свойства твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe в ультрафиолетовой и видимой области спектра © А.И. Белогорохов¶, А.А. Флоренцев, И.А. Белогорохов, Н.В. Пашкова,»
  42. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Спектроскопия комбинационного рассеяния пленок Zn1-xCdxSe, выращенных на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии © Л.К. Водопьянов, Н.Н. Мельник, Ю.Г. Садофьев Физический институт»
  43. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Полиамидиновые супрамолекулярные структуры — новый класс светочувствительных полимерных полупроводников © Е.Л. Александрова, М.М. Дудкина , А.В. Теньковцев Всероссийский научный центр»
  44. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 Влияние отжига в радикалах кислорода на люминесценцию и электропроводность пленок ZnO : N © А.Н. Георгобиани¶, А.Н. Грузинцеⶶ, В.Т. Волков, М.О. Воробьев Физический институт им. П.Н. Лебедева»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Сенсоры аммиака на основе диодов Pd–n-Si © В.И. Балюба, В.Ю. Грицык, Т.А. Давыдова, В.М. Калыгина¶, С.С. Назаров, Л.С. Хлудкова Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при»
  46. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов Zn1-xFexTe © Ю.П. Гнатенко, И.А. Фарина, Р.В. Гамерник Институт физики Национальной академии наук Украины, 252650 Киев, Украина Львовский»
  47. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Определение концентрации галлия в германии, трансмутационно легированном нейтронами, из измерений сопротивления в области прыжковой проводимости ¶ © О.П. Ермолаев , Т.Ю. Микульчик Белорусский»
  48. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Низкочастотный шум в n-GaN © Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, S. Contreras, W. Knap, B. Beaumont†, P. Gibart† Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021»
  49. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Особенности кинетики поляризации фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика © В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Е.С. Иванова, Л.И. Ивлева Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской»
  50. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Термический перенос заряда и поляризация широкой полосы люминесценции с максимумом при энергии фотонов вблизи 1.2 эВ в n-GaAs : Te при одноосной деформации © А.А. Гуткин, М.А. Рещиков»
  51. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Лазерностимулированная компенсация объемных дефектов в p-CdZnTe © С.В. Пляцко¶, Л.В. Рашковецкий Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина (Получена»
  52. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Расчет зонной структуры твердого раствора InSb1-xBix © В.Г. Дейбук, Я.И. Виклюк, И.М. Раренко Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, 274012 Черновцы, Украина (Получена 10»
  53. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 2 Составляющие низкотемпературной теплоемкости гексаборидов редкоземельных элементов © В.В. Новиков Брянский государственный педагогический университет, 241036 Брянск, Россия (Поступила в Редакцию 24 января»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Трансформация спектров фотолюминесценции слоев GaAs, сильно легированных бериллием, после гидростатического сдавливания ¶ + © Т.С. Шамирзаев , К.С. Журавлев, J. Bak-Misiuk , A. Misiuk , J.Z.»
  55. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Поверхностный магнетизм нанокристаллического монооксида меди © Т.И. Арбузова, С.В. Наумов, В.Л. Арбузов, К.В. Шальнов, А.Е. Ермаков, А.А. Мысик Институт физики металлов Уральского отделения Российской»
  56. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Линейная и нелинейная восприимчивости манганитов самария © И.Д. Лузянин, В.А. Рыжов, С.М. Дунаевский, В.П. Хавронин, И.И. Ларионов, А.В. Лазута, Ю.П. Черненков Петербургский институт ядерной физики им. Б.П.»
  57. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Диффузионное насыщение примесью олова нелегированного аморфного гидрированного кремния © А.Н. Кабалдин, В.Б. Неймаш, В.М. Цмоць, В.С. Штым Институт физики Национальной академии наук Украины, 252650»
  58. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Термоэлектрическая эффективность твердых растворов с рассеянием фононов на нецентральных примесях © Е.А. Гуриева, П.П. Константинов, Л.В. Прокофьева, Ю.И. Равич , М.И. Федоров»
  59. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Парамагнетизм в системах на основе монооксида меди © А.А. Самохвалов, Т.И. Арбузова, Н.А. Виглин, С.В. Наумов, В.Р. Галахов, Д.А. Зацепин, Ю.А. Котов, О.М. Саматов, Д.Г. Клещев Институт физики металлов»
  60. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Проявление флуктуаций света при реализации бистабильности распределения фотоносителей © Ю.В. Гудыма, Д.Д. Никирса Черновицкий государственный университет им. Ю.Федьковича, 274012 Черновцы, Украина»
  61. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Роль объемного заряда в формировании сопротивления биполярного полупроводникового образца © А. Конин Институт физики полупроводников, 2600 Вильнюс, Литва (Получена 4 июля 2003 г. Принята к»
  62. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в квантующем магнитном поле в области инверсии неосциллирующей части магнитосопротивления © П.В. Горский Черновицкий национальный»
  63. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Модулированная лазерным излучением эпитаксия теллурида свинца © С.В. Пляцко Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 252028 Киев, Украина (Получена 7 февраля 1997 г.»
  64. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Влияние отжига в парах и в жидком Zn на фотолюминесценцию высокочистых поликристаллов ZnTe © В.С. Багаев¶, В.В. Зайцев, Ю.В. Клевков, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко Физический институт им. П.Н.»
  65. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Обменный механизм локализации фононов вблизи поверхности магнитоупорядоченного кристалла © С.В. Тарасенко Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, 340114 Донецк, Украина (Поступила в»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Магнитные исследования широкозонных полупроводников Cd1-xZnxTe (x = 0.12, 0.21) ¶ + © Ю.В. Шалдин , И. Вархульска , М.Х. Рабаданов, В.К. Комарь Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова»
  67. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Воздействие нейтронного и протонного излучений на намагниченность биотита © У. Абдурахманов, А.Б. Грановский, А.А. Радковская, М.Х. Усманов, Ш.М. Шарипов, В.П. Югай Московский государственный университет»
  68. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Эффект Баркгаузена при скачкообразном движении плоской доменной стенки в молибдате гадолиния © В.Я. Шур, Е.Л. Румянцев, В.П. Куминов, А.Л. Субботин, В.Л. Кожевников Институт физики и прикладной математики»
  69. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Оптические свойства кристаллов твердых растворов (InSb)1-x(CdTe)x © В.А. Бродовой, Н.Г. Вялый, Л.М. Кнорозок Киевский государственный университет им. Тараса Шевченко, 252022 Киев, Украина (Получена»
  70. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Самоиндуцированная прозрачность для предельно коротких импульсов в окрестности температуры Кюри водородсодержащих сегнетоэлектриков © С.В. Нестеров, С.В. Сазонов Калининградский государственный университет,»
  71. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 О влиянии вакансий в подрешетках кремния и углерода на формирование барьера Шоттки на контакте металл–SiC © С.Ю. Давыдов¶, О.В. Посредник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  72. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 3 Влияние олова на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в облученном кремнии ¶ © Л.И. Хируненко , О.А. Кобзарь, Ю.В. Помозов, М.Г. Соснин, Н.А. Трипачко Институт физики»
  73. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Магнитное двупреломление звука и магнитоакустические осцилляции в гематите © И.Ш. Ахмадуллин, С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков, М.М. Шакирзянов Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Российской»
  74. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Спектры отражения двух полиморфных модификаций арсенида кадмия ¶¶ © А.И. Козлов¶, В.В. Соболев , А.Ф. Князев+¶¶¶ Международная лаборатория сверхпроводимости и твердотельной электроники Академии»
  75. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Об импульсном перемагничивании монокристаллов бората железа в присутствии поперечного магнитного поля © О.С. Колотов, А.П. Красножон, В.А. Погожев Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова,»
  76. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Транспортные явления в крупнозернистых поликристаллах CdTe © С.А. Колосов, Ю.В. Клевков, А.Ф. Плотников Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия»
  77. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок цирконата–титаната свинца при кристаллизации © В.Я. Шур, С.А. Негашев, А.Л. Субботин, Д.В. Пелегов, Е.А. Борисова, Е.Б. Бланкова, С. Тролиер–МакКинстри»
  78. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Влияние метастабильных состояний на высвечивание экситонов в n-GaAs © В.В. Криволапчук, Н.К. Полетаев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт–Петербург,»
  79. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 3 Модель проводимости поликристаллического кремния p-типа, учитывающая растекание тока в кристаллитах ¶ © В.М. Любимский Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск,»
  80. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Неравновесная динамика квантового спинового стекла в переменном магнитном поле © Г. Бузиелло, Р.В. Сабурова , В.Г. Сушкова , Г.П. Чугунова Dipartimento di Fisica „E.R. Caianiello“, Universit di Salerno,»
  81. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Статистика электронов в PbS с U-центрами © С.А. Немов, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Н.П. Серегин, Э.С. Хужакулов Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251»
  82. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Температурная зависимость магниторезистивного эффекта в пленках ферромагнитных полупроводников на основе оксидов редкоземельных элементов © В.Ф. Кабанов, С.А. Карасев, Я.Г. Федоренк
  83. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Магнитополяронные состояния сильнокоррелированного антиферромагнетика в окрестности спин-флип-перехода © В.В. Вальков, Д.М. Дзебисашвили Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской»
  84. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Критический анализ исследования глубоких уровней в высокоомных монокристаллах CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии ¶ © А.П. Одринский Институт технической акустики»
  85. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3 Проблема селективного легирования в методе гидридной эпитаксии и электрофизические свойства квантово-размерных гетероструктур Ge / GeSi : B © Л.К. Орлов, Р.А. Рубцова, Н.Л. Орлова»
  86. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами © М.В. Ардышев¶, В.М. Ардышев, Ю.Ю. Крючков Сибирский физико-технический институт им. В.Д.»
  87. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках AIIIBV © С.И. Борисенко Cибирский физико-технический институт им. В.Д.»
  88. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 3 Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединений III–V: границы раздела, радиационные эффекты © В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев Сибирский»
  89. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Влияние уплотнения на люминесцентные свойства порошков ZnS : Ga © Ю.Ю. Бачериков¶, Н.В. Кицюк, С.В. Оптасюк, А.А. Стадник Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,»
  90. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 3 Роль сплавных эффектов в формировании электронной структуры неупорядоченных твердых растворов III-нитридов ¶ ¶¶ © А.В. Возный , В.Г. Дейбук Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы,»
  91. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 К вопросу о стабилизации электрофизических свойств 60 в компенсированном кремнии при облучении -квантами Co © М.С. Юнусов¶, М. Каримов, М.А. Джалелов Институт ядерной физики академии наук»
  92. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Особенности темновой проводимости кристаллов ниобата лития конгруэнтного состава © С.В. Евдокимов, А.В. Яценко Таврический национальный университет, 95007 Симферополь, Украина E-mail: lab2@crimea.edu»
  93. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 Оптические свойства ультрадисперсных частиц CdSexTe1-x (0 x 1) в матрице силикатного стекла © И.В. Боднарь, В.С. Гурин+, А.П. Молочко, Н.П. Соловей, П.В. Прокошин, К.В. Юмашев Белорусский»
  94. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Влияние магнитного поля на стартовые поля хаоса в кристалле триглицинсульфата © С.А. Гриднев, К.С. Дрождин,, В.В. Шмыков Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия »
  95. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 3 Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon 28 29 30 and oxygen impurities in isotopic enriched silicon Si, Si and Si © P.G. Sennikov, T.V. Kotereva, A.G. Kurganov, B.A. Andreev»
  96. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Магнитное двулучепреломление света в гематите © И.Ш. Ахмадуллин, В.А. Голенищев-Кутузов, С.А. Мигачев, М.Ф. Садыков Казанский физико-технический институт Российской академии наук, 420029 Казань, Россия»
  97. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 3 Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках © И.Н. Воловичев†, Ю.Г. Гуревич† Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, 310085 Харьков, Украина †»
  98. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Теплоемкость сегнетоэлектрика-релаксора SBN © Е.Д. Якушкин Институт кристаллографии Российской академии наук, 117333 Москва, Россия E-mail: yakushkin@ns.crys.ras.ru (Поступила в Редакцию 10 июня 2003 г.)»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 3 Фотолюминесцентные и электролюминесцентные свойства спонтанно формирующихся периодических InGaAsP-структур © Л.С. Вавилова, В.А. Капитонов, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, А.В. Мурашова, Н.А.»
  100. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 3 Стабилизация формы солитона в сверхрешетке со спектром, выходящим за рамки учета ”ближайших соседей”, в поле нелинейной волны © С.В. Крючков, Э.Г. Федоров¶ Волгоградский государственный»

Pages:     | 1 |   ...   | 67 | 68 || 70 | 71 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.