WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[6701-6800]

Pages:     | 1 |   ...   | 66 | 67 || 69 | 70 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением © Э.Б. Каганович¶, Э.Г. Манойлов, Е.В. Бегун Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева»
  2. «AbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbAbrikosov, V.B. Bankina, L.V. Portskaya, L.E. Shelimova, E.V. Skudnova. Semiconducting II–VI, IV–VI, and V–VI compounds (Plenum, N.Y.,»
  3. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Структура центров и механизмы высокотемпературного голубого излучения селенида цинка © Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Н.Д. Недеогло, Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич Молдавский государственный»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si : Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии © В.Б. Шмагин¶, Б.А. Андреев, А.В. Антонов, З.Ф. Красильник, В.П.»
  5. «Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Перенос заряда в тонких полимерных пленках полиариленфталидов © Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, А.А. Бунаков Башкирский государственный педагогический университет, 450000 Уфа, Россия Институт физики молекул и»
  6. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Нелинейность пьезорезистивного эффекта в пленках поликристаллического кремния ¶ © В.А. Гридчин, В.М. Любимский Новосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия»
  7. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Фото- и электролюминесценция вблизи 1.3 мкм структур с квантовыми точками на подложках GaAs © А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, Б.В. Воловик, М.В. Максимов, А.Ф.»
  8. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 1 Низкотемпературная теплоемкость и теплопроводность монокристаллов синтетического опала © В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Мисёрек, А. Ежовский, А.И. Кривчиков, Б.И. Веркин»
  9. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Люминесценция наностержней оксида цинка © Г.А. Емельченко¶, А.Н. Грузинцев, А.Б. Кулаков, Э.Н. Самаров, И.А. Карпов, А.Н. Редькин , Е.Е. Якимов , C. Barthou+ Институт физики твердого тела»
  10. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Влияние гетероэпитаксиальной пассивации поверхности на спектры фоточувствительности и рекомбинационные параметры слоев GaAs © И.А. Карпович, М.В. Степихова Нижегородский государственный университет»
  11. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Различия в атомном окружении неэквивалентных узлов в структурах политипов SiC © А.Е. Мадисон Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия (Поступила в»
  12. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Оптическое поглощение в (Pb0.78Sn0.22)1-XInXTe (X = 0.001-0.005) © А.Н. Вейс Санкт-Петербургский технический университет, 195251 Санкт-Петербуг, Россия (Получена 18 июня 2001 г. Принята к печати»
  13. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 1 Акустические исследования плавления и затвердевания галлия, введенного в матрицу опала © J.M. Dereppe, Б.Ф. Борисов, Е.В. Чарная, А.В. Шеляпин, М.М. Нассар, Ю.А. Кумзеров Научно-исследовательский институт»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Поверхностное геттерирование фоновых примесей и дефектов в пластинах GaAs © Л.С. Власенко, А.Т. Гореленок, В.В. Емцев, А.В. Каманин¶, Д.С. Полоскин, Н.М. Шмидт Физико-технический институт им.»
  15. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Емкостная спектроскопия глубоких состояний в InAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми точками © М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин Физико-технический»
  16. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Температурные зависимости диэлектрических свойств литий-титановой ферритовой керамики © А.В. Малышев, В.В. Пешев, А.М. Притулов Томский политехнический университет, 634034 Томск, Россия E-mail:»
  17. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Из истории науки Обменное давление и приближение Вигнера–Зейтца1 © Н.А. Дмитриев Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, 607180»
  18. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 1 Скорость звука в монокристаллах синтетических опалов © В.Н. Богомолов, И.А. Смирнов, Н.В. Шаренкова, Г. Брулс Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  19. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Примесные состояния олова в твердых растворах Bi2Te3-xSex (x = 0.06, 0.12) + © М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова , Е. Мюллер Санкт-Петербургский государственный политехнический»
  20. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Свойства двумерного электронного газа в гетеропереходах AlGaAs/GaAs с тонкими слоями AlGaAs ,¶ ,+ + + © Д.А. Козлов , З.Д. Квон , А.К. Калагин , А.И. Торопов Новосибирский государственный»
  21. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Распределение носителей заряда в диссипативной структуре в полупроводниках © И.К. Камилов, А.А. Степуренко¶, А.С. Ковалев Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,»
  22. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения © Л.П. Авакянц¶, П.Ю. Боков, А.В. Червяков Московский государственный университет им. М.В.»
  23. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Наблюдение бозе-конденсации куперовских пар в полупроводниковых твердых растворах (Pb1-xSnx)1-zInzTe + © С.А. Немов, П.П. Серегин, В.П. Волков, Н.П. Серегин , Д.В. Шамшур Санкт-Петербургский»
  24. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Диэлектрическая проницаемость квазидвумерных полупроводниковых наноструктур © Н.Л. Баженов¶, К.Д. Мынбаев, Г.Г. Зегря Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  25. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлектрическом поле на спектр излучения варизонных полупроводников © В.Ф. Коваленко, А.Ю. Миронченко, С.В. Шутов Институт физики полупроводников»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Влияние импульсного токового отжига на электрофизические характеристики поликристаллического кремния p-типа ¶ © В.А. Гридчин, В.М. Любимский Новосибирский государственный технический»
  27. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Поверхность Ферми и электрофизические характеристики дисилицида молибдена © С.И. Курганский, Н.С. Переславцева, Е.В. Левицкая Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия E-mail:»
  28. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Магнитные фазовые диаграммы манганитов в области их электронного легирования (Обзор) © С.М. Дунаевский Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова Российской академии наук, 188300 Гатчина,»
  29. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Влияние условий выращивания на формирование и люминесцентные свойства квантовых точек InGaAs в матрице Si © А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф.»
  30. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Компьютерное изучение физических свойств наноразмерных кремниевых структур © А.Е. Галашев¶, И.А. Измоденов, А.Н. Новрузов, О.А. Новрузова Институт теплофизики Уральского отделения Российской»
  31. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 О природе гистерезиса низкотемпературного прыжкового магнетосопротивления вблизи перехода металл–изолятор в компенсированном Ge:Ga ¶ © С.В. Егоров , А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев»
  32. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Спектроскопия германия, легированного Ga, при одноосном сжатии © Я.Е. Покровский¶, Н.А. Хвальковский Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009 Москва, Россия (Получена»
  33. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 Термоотжиг дефектов в гетероструктурах InGaAs/GaAs с трехмерными островками © М.М. Соболев, И.В. Кочнев, В.М. Лантратов, Н.А. Берт, Н.А. Черкашин, Н.Н. Леденцов, Д.А. Бедарев Физико-технический»
  34. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Влияние взаимного увлечения электронов и фононов на термомагнитные эффекты в HgSe © Х.М. Биккин, А.Т. Лончаков, И.И. Ляпилин Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219»
  35. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Сегрегация индия при выращивании квантовых ям InGaAs / GaAs в условиях газофазной эпитаксии ¶ © Ю.Н. Дроздов , Н.В. Байдусь , Б.Н. Звонков , М.Н. Дроздов, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин Институт»
  36. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Резонансы в массиве квантовых точек InAs, управляемые внешним электрическим полем © В.Г. Талалаеↇ¶, Б.В. Новиков†, А.С. Соколов†, И.В. Штром†, J.W. Tomm, Н.Д. Захаров‡, P. Werner‡, Г.Э.»
  37. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Эффект больших доз в рентгеновских эмиссионных спектрах кремния, имплантированного ионами железа © Д.А. Зацепин, Е.С. Яненкова, Э.З. Курмаев, В.М. Черкашенко, С.Н. Шамин, С.О. Чолах Институт физики металлов»
  38. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах © С.И. Борисенко¶ Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050 Томск, Россия (Получена 12 марта»
  39. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Модификация квантовых точек в наноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением © В.А. Володин¶, А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, Е.И. Гацкевич, Г.Д. Ивлев, Г.Ю.»
  40. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Исследование лазерно-индуцированного дефектообразования в кристаллах CdTe методом резерфордовского обратного рассеяния © Л.А. Головань, П.К. Кашкаров, В.М. Лакеенков, Ю.Н. Сосновских, В.Ю. Тимошенко, Н.Г.»
  41. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Фотоэлектрическая память в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs / AlGaAs © В.Н. Овсюк, М.А. Демьяненко, В.В. Шашкин, А.И. Торопов Конструкторско-технологический институт»
  42. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Эффект Рашбы в инверсионных и обогащенных слоях InAs ¶ ¶¶ © В.Ф. Раданцев , И.М. Иванкив , А.М. Яфясов Уральский государственный университет им. А.М. Горького, 620083 Екатеринбург, Россия »
  43. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Кинетическая теория процессов ионизации и захвата электрона заряженной примесью в полупроводнике © В.Д. Каган Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  44. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Влияние давления и анионного замещения на электрические свойства кристаллов HgTeS © В.В. Щенников, А.Е. Карькин, Н.П. Гавалешко, В.М. Фрасуняк Институт физики металлов Уральского отделения Российской»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Фотолюминесценция антимодулированно легированных GaAs/AlGaAs-структур с одиночными квантовыми ямами, обработанных в водородной плазме + © Ю.А. Бумай, Г. Гобш, Р. Гольдхан, Н. Штайн, А. Голомбек,»
  46. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Механизм воздействия электрического поля поверхностной акустической волны на кинетику низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs © Д.В. Гуляев¶, К.С. Журавлев»
  47. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 О шнуровании холловского тока диска Корбино в условиях квантового эффекта Холла © В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия »
  48. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Влияние содержания In и Al на характеристики собственных дефектов в квантовых точках на основе арсенида галлия © Т.В. Безъязычная, В.М. Зеленковский, Г.И. Рябцев, М.М. Соболев+ ¶ Институт»
  49. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Электрические и термоэлектрические свойства биоморфного композита SiC/Si при высоких температурах © А.И. Шелых, Б.И. Смирнов, Т.С. Орлова, И.А. Смирнов, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martinez-Fernandez, F.M.»
  50. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs © Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев»
  51. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Оптическая дефазировка в твердом толуоле, активированном цинк-октаэтилпорфином © Ю.Г. Вайнер, М.А. Кольченко, А.В. Наумов, Р.И. Персонов, С.Дж. Цилкер Институт спектроскопии Российской академии наук, 142190»
  52. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах InAs/GaAs со слоями квантовых точек ¶ © В.А. Кульбачинский , В.А. Рогозин, В.Г. Кытин, Р.А. Лунин, Б.Н. Звонков, З.М. Дашевский , В.А.»
  53. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Фотолюминесценция квантовых ям и квантовых точек германия в кремнии, полученных при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии ¶ © Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов , А.О. Погосов, М.М. Рзаев,»
  54. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Энергетический спектр и оптические свойства комплекса квантовая точка–примесный центр © В.Д. Кревчик, А.В. Левашов Пензенский государственный университет, 440017 Пенза, Россия (Получена 5»
  55. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Исследование температурной зависимости параметра кристаллической решетки SmS © В.В. Каминский, Н.В. Шаренкова, Л.Н. Васильев, С.М. Соловьёв Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Управление временем жизни носителей заряда в высоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs © Ф.Ю. Солдатенков¶, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков Физико-технический»
  57. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Фоточувствительность структур с квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, при нормальном падении излучения ¶ © В.Б. Куликов , Г.Х. Аветисян, Л.М. Василевская, И.Д. Залевский»
  58. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Модель прыжковой и зонной фотопроводимости на постоянном токе в легированных кристаллах © Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия E-mail:»
  59. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Исследование оптических свойств структур со сверхплотными массивами квантовых точек Ge в матрице Si ¶ © А.Г. Макаров , Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, В.М. Устинов,»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Локализация электронов и блоховские осцилляции в сверхрешетках из квантовых точек в постоянном электрическом поле © И.А. Дмитриев¶, Р.А. Сурис Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  61. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Anisotropy of electric resistivity of Sapele-based biomorphic SiC/Si composites © T.S. Orlova, B.I. Smirnov, A.R. de Arellano-Lopez, J. Martnez Fernndez, R. Seplveda A.F. Ioffe Physico-Technical Institute,»
  62. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 2 Магнитные и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированных иттербием © Н.Т. Баграев, В.В. Романов, В.П. Савельев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  63. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Межзонное поглощение длинноволнового излучения в -легированных сверхрешетках на основе монокристаллических широкозонных полупроводников © В.В. Осипов, А.Ю. Селяков, M. Foygel† Государственный»
  64. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Инжекционное возбуждение люминесценции в многослойных структурах nc-Si/диэлектрик © Ю.А. Берашевич¶, Б.В. Каменев, В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет информатики и»
  65. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Сверхпроводящие туннельные детекторы рентгеновского излучения.Вопросы энергетического разрешения © В.А. Андрианов¶, В.П. Горько↶¶, В.П. Кошелец‡¶¶¶, Л.В. Филиппенко‡ Научно-исследовательский»
  66. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Энергетическая структура A+-центров в квантовых ямах ¶ © Н.С. Аверкиев, А.Е. Жуков, Ю.Л. Ивнов, П.В. Петров, К.С. Романов , А.А. Тонких, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин Физико-технический институт им.»
  67. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Аномалии в спектре собственных электромагнитных волн в анизотропных пластинах © В.И. Альшиц, В.Н. Любимов Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия E-mail:»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда в полупроводниковых квантовых точках © С.И. Покутний¶ Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Инверсия заселенности -подзон в квантовых ямах в условиях междолинного -L-переноса ¶ © В.Я. Алешкин , А.А. Андронов, А.А. Дубинов Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603600»
  70. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Исследование образования и модификации нанокристаллических включений кремния в пленках a-Si : H методом просвечивающей электронной микроскопии © В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, А.З.»
  71. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Гигантское теплосопротивление ZnSeNi при низких температурах © В.М. Михеев Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия E-mail: mikheev@imp.uran.ru»
  72. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Температурная зависимость оптической энергетической щели квантовых точек CdSXSe1-X © В.П. Кунец¶, Н.Р. Кулиш, Вас.П. Кунец, М.П. Лисица, Н.И. Малыш Институт полупроводников Национальной академии»
  73. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Латеральная бегущая волна как форма переходного процесса в резонансно-туннельной структуре © Д.В. Мельников, А.И. Подливаев Московский государственный инженерно-физический институт (технический»
  74. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Кремниевый фотодиод с сетчатым p-n-переходом © В.И. Блынский¶, Ю.Г. Василевский, С.А. Малышев, А.Л. Чиж Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, 220090 Минск, Республика»
  75. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Механо-электрический эффект в твердых электролитах © В.И. Барбашов, Ю.А. Комыса Донецкий физико-технический институт Национальной академии наук Украины, 83114 Донецк, Украина E-mail: yurkom@inbox.ru»
  76. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Спектрально-люминесцентные свойства и структура оптических центров Eu- и Ce–Eu-содержащих кварцевых гель-стекол © Г.Е. Малашкевич, А.Г. Маханек , А.В. Семченко, В.Е. Гайшун, И.М. Мельниченко, Е.Н.»
  77. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Излучение свободного и связанного экситонов в напряженных пленках ZnTe, выращенных на подложках GaAs (100) © В.В. Зайцев, В.С. Багаев, Е.Е. Онищенко, Ю.Г. Садофьев Физический институт им. П.Н. Лебедева»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Зонная структура и спектр фотолюминесценции сверхрешетки Ge0.8Si0.2/Ge0.1Si0.9 с вертикально совмещенными квантовыми точками © Н.В. Сибирев¶, В.Г. Талалаев+,, А.А. Тонких,,, Г.Э. Цырлин,,, В.Г.»
  79. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Спектроскопия экситонных поляритонов в напряженных полупроводниковых структурах AIIBVI с широкими квантовыми ямами ¶ © С.А. Марков, Р.П. Сейсян , В.А. Кособукин Физико-технический институт им.»
  80. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Новый механизм оптоакустического отклика в полупроводнике © Н.В. Чигарев Международный лазерный центр Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия E-mail: cnv@mail.ru»
  81. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 2 Границы существования континуального трехмерного биполярона © В.К. Мухоморов Агрофизический научно-исследовательский институт, 195220 Санкт-Петербург, Россия E-mail: ivl@agrophys.spb.su (Поступила в»
  82. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Спектр фотоионизации создаваемых пластической деформацией электронных состояний в диапазоне 1.2–2.2 eV в гамма-облученных кристаллах NaCl © Е.В. Коровкин Институт физики твердого тела Российской академии»
  83. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами © Н.В. Алкеев¶, С.В. Аверин, А.А. Дорофеев, P. Velling+, E. Khorenko+, W. Prost+, F.J. Tegude+»
  84. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Электролюминесценция квантово-каскадных структур AlGaAs/GaAs в терагерцовом диапазоне © Н.Н. Зиновьев+, А.В. Андрианов+, В.Ю. Некрасов+, Л.В. Беляков+, О.М. Сресели+¶, Г. Хилл , Дж.М. Чемберлен»
  85. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2 Центры окраски в кристаллах молибдата свинца © Т.М. Бочкова, М.Д. Волнянский, Д.М. Волнянский, В.С. Щетинкин Днепропетровский национальный университет, 49050 Днепропетровск, Украина E-mail:»
  86. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) © Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, О.А. Кузнецов, Д.Н Лобанов, А.В. Новиков, М.В.»
  87. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Исследования структуры пористого фосфида галлия © Т.Н. Заварицкая, В.А. Караванский, А.В. Квит, Н.Н. Мельник Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия »
  88. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 К температурной зависимости упругих постоянных второго порядка кубических кристаллов © Б.П. Сорокин, Д.А. Глушков, К.С. Александров Красноярский государственный университет, 660041 Красноярск, Россия»
  89. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 2 Расчет энергии замещения атомов кремния и углерода элементами III и V групп в карбиде кремния © С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  90. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Анализ структурных факторов, определяющих образование шейки при растяжении металлов и сплавов с ГЦК-решеткой © Г.А. Малыгин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  91. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Исследование кристаллов в средней и длинноволновой ИК-области методом спектроскопии поверхностных электромагнитных волн © Е.В. Алиева, Г.Н. Жижин, Л.А. Кузик, В.А. Яковлев Институт спектроскопии Российской»
  92. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Неомическая проводимость и механизмы релаксации энергии 2D электронного газа в гетероструктурах GaAs/InGaAs/GaAs ¶ © А.А. Шерстобитов, Г.М. Миньков , О.Э. Рут, А.В. Германенко, Б.Н. Звонков»
  93. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN © В.И. Гавриленко+¶, Е.В. Демидов+, К.В. Маремьянин+, С.В. Морозов+, W. Knap, J.»
  94. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2 Рекристаллизация теллура в условиях микрогравитации и свойства полученных образцов © Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, И.Л. Шульпина, С.В. Якимов, В.П. Шалимов, А.М. Турчанинов, А.И. Иванов, С.Ф. Савин»
  95. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Электролюминесценция в пористом кремнии при обратном смещении барьера Шоттки © Ю.А. Берашевич¶, С.К. Лазарук, В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет информатики и»
  96. «Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 2 Использование криволинейных координат в ab initio расчетах диэлектриков на базе метода псевдопотенциала © А.С. Федоров Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук,»
  97. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 2 Эффект Дюфура в суперионном селениде меди © М.А. Коржуев Институт металлургии им. А.А.Байкова Российской академии наук, 117911 Москва, Россия (Поступила в Редакцию 5 августа 1997 г.) Эффект Дюфура, обратный»
  98. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Исследование резистивных фоточувствительных элементов на основе HgCdTe методом наведенного тока © П.С. Вергелес, В.В. Крапухин, Е.Б. Якимов¶ Институт проблем технологии микроэлектроники и»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2 Особенности межэлектронного взаимодействия в потенциальной яме сильно легированного гетероперехода AlxGa1-xAs(Si)/GaAs © В.И. Кадушкин¶ Рязанский государственный педагогический университет им.»
  100. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2 Структура и свойства покрытий Ti–B–N, Ti–Cr–B–(N) и Cr–B–(N), полученных магнетронным распылением мишеней, приготовленных методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза © Д.В. Штанский, Ф.В.»

Pages:     | 1 |   ...   | 66 | 67 || 69 | 70 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.