WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[6601-6700]

Pages:     | 1 |   ...   | 65 | 66 || 68 | 69 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Влияние упругих полей ростовых дефектов на фотодиэлектрический отклик кристаллов Cd1-xZnxTe © И.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайко Государственный аэрокосмический университет»
  2. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 7 01;09 Замкнутые геодезические траектории на части поверхности тора © С.С. Романов Национальный научный центр „Харьковский физико-технический институт“, 61108 Харьков, Украина (Поступило в Редакцию 9»
  3. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 8 09;10 Применение методики контроля хаоса для устранения автомодуляции в лампе обратной волны © А.М. Долов, С.П. Кузнецов Саратовское отделение Института радиотехники и электроники РАН, 410019 Саратов,»
  4. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 10 05;12 Последействие при испытании корунда на микротвердость © Ю.Г. Носов, Л.И. Деркаченко Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия e-mail: p.antonov@mail.ioffe.ru»
  5. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 4 05;12 Исследование изменения субмикрорельефа поверхности медных образцов при пропускании по ним импульсов электрического тока большой плотности © И.П. Щербаков, Д.В. Чураев, В.Н. Светлов»
  6. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 6 01;04 Расчет функции распределения ионов по поперечным скоростям в условиях ИЦР нагрева © А.И. Карчевский , Е.П. Потанин Российский научный центр „Курчатовский институт“ Институт молекулярной физики,»
  7. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 9 02;06;11 О предельной физической адсорбции водорода в углеродных материалах © А.А. Богданов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия e-mail:»
  8. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 03;12 О влиянии структурной организации на релаксацию магнитного момента дисперсных частиц в магнитной жидкости © Д.В. Гладких,1 Ю.И. Диканский,1 К.А. Балабанов,2 А.В. Радионов3 1 Ставропольский»
  9. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 11 01;09 Расчет характеристик линзы из кубиков методом эквивалентных токов © Д.В. Шанников, В.В. Суриков, С.В. Кузьмин Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251»
  10. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Плазмонно-волноводные поляритоны в металлодиэлектрических фотонно-кристаллических слоях © Н.А. Гиппиус, С.Г. Тиходеев, А. Крист, Й. Куль, Х. Гиссен Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской»
  11. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Излучение конденсата экситонов в двойных квантовых ямах © В.В. Криволапчук, А.Л. Жмодиков, Е.С. Москаленко Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия»
  12. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 06;12 Влияние электронного облучения вакуумного резиста NOVER-1 на его стойкость к ионно-лучевому травлению © Ю.И. Коваль, В.Т. Петрашов Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых»
  13. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 11 01;03 Интенсивное испарение молекулярного газа с поверхности сферической частицы в вакуум © И.А. Кузнецова, А.А. Юшканов, Ю.И. Яламов Ярославский государственный педагогический университет им. К.Д.»
  14. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 2 11;12 Дислокационный механизм трения при взаимодействии нанозонда с поверхностью твердого тела © С.Ш. Рехвиашвили Институт прикладной математики и автоматизации КБНЦ РАН, 360000 Нальчик, Россия»
  15. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 4 01;05 Влияние кулоновской блокады куперовских пар на динамические свойства малых джозефсоновских переходов © И.Н. Аскерзаде Институт физики АН Азербайджана, 370143 Баку, Азербайджан Physics Department,»
  16. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 7 03 О характерном времени реализации неустойчивости плоской заряженной поверхности жидкости © А.И. Григорьев, С.О. Ширяева, Д.Ф. Белоножко, А.В. Климов Ярославский государственный университет им. П.Г.»
  17. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 8 05 Взаимосвязь ангармонизма и поперечной деформации квазиизотропных поликристаллических тел © В.Н. Беломестных, Е.П. Теслева Юргинский технологический институт (филиал) Томского политехнического»
  18. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 5 05;06 Морфология, текстура и свойства продуктов отжига пористых серебро-полиакрилатных нанокомпозитов © Т.И. Изаак, О.В. Бабкина, Г.М. Мокроусов Томский государственный университет, 634050 Томск,»
  19. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 6 01 Новый подход к проблеме формирования солнечного ветра © Ю.В. Вандакуров Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поcтупило в Редакцию 21 октября 2004 г.)»
  20. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 8 06 Особенности формирования пленок высшего силицида марганца на кремнии © Т.С. Камилов,1 Д.К. Кабилов,1 И.С. Самиев,1 Х.Х. Хуснутдинова,1 Р.А. Муминов,2 В.В. Клечковская3 1 Ташкентский государственный»
  21. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 6 12 О составной ветви низкотемпературного термоэлемента © О.И. Марков Орловский государственный университет, 302015 Орел, Россия e-mail: Markov@e-mail.ru (Поступило в Редакцию 10 ноября 2005 г.)»
  22. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 05;06;11;12 Исследование свойств пленок фуллеренов, осажденных с высокой кинетической энергией, на различных поверхностях 2 © М.А. Ходорковский,1 С.В. Мурашов,2 А.Л. Шахмин,1 Т.О. Артамонова,1 Л.П.»
  23. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 05;12 Реактор с активированным водородом для синтеза углеродных нанотрубок © Л.А. Апресян, Д.В. Власов, Т.В. Власова, В.И. Конов, Г.А. Крикунов, А.А. Климанов Центр естественно-научных исследований»
  24. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 7 07 Увеличение длины корреляции немонохроматического излучения при распространении в одномодовом волоконном световоде со случайными неоднородностями и ее влияние на работу волоконного кольцевого»
  25. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Магнитоэлектрический эффект в молибдате самария © Б.К. Пономарёв, Б.С. Редькин, Э. Штип, Г. Вигельманн, А.Г.М. Янсен, П. Видер Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка,»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Микрофотолюминесценция нелегированного теллурида кадмия, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов © В.В. Ушаков¶, Ю.В. Клевков Отделение физики твердого тела»
  27. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 5 06;07;12 Неразрушающий метод диагностики глубоких уровней в полуизолирующих материалах © Э.А. Ильичев Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, 103460 Москва,»
  28. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Влияние отклонения от стехиометрии и легирования на спектры фотопроводимости слоистых кристаллов GeSe © Д.И. Блецкан¶, Й.Й. Мадяр, В.Н. Кабаций Ужгородский национальный университет, 88000»
  29. «Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Атомная структура наночастиц сульфида кадмия © А.С. Ворох, А.А. Ремпель Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук, 620219 Екатеринбург, Россия E-mail: rempel@ihim.uran.ru»
  30. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Примесные экситоны никеля и фотоиндуцированная деформация решетки в твердых растворах ZnSe1-ySy : Ni и Zn1-xCdxSe : Ni © В.И. Соколов¶, В.Н. Старовойтова Институт физики металлов Уральского»
  31. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Релаксация пьезооптического двулучепреломления в кристаллах триглицинсульфата © Н.М. Демьянишин, Б.Г. Мыцык Львовский центр Института космических исследований Национальной академии наук Украины и»
  32. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 ”LO-фононная” корреляция между спектром пикосекундной суперлюминесценции и особенностями спектра поглощения света в GaAs при нефермиевском распределении носителей заряда, генерированных»
  33. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Сверхпроводящие состояния нановключений свинца в полупроводниковой матрице PbTe © Л.А. Дарчук¶, С.Д. Дарчук , Ф.Ф. Сизов, А.Г. Голенков Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева»
  34. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Структура интерфейсов многослойных систем в спектрах зеркального рассеяния рентгеновского излучения © В.П. Романов, С.В. Уздин, В.М. Уздин, С.В. Ульянов, Научно-исследовательский институт им. В.А. Фока,»
  35. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Аномалии статической и динамической проводимости моноселенида индия ¶ © Г.В. Лашкарев , А.И. Дмитриев, А.А. Байда, З.Д. Ковалюк, М.В. Кондрин , А.А. Пронин Институт проблем материаловедения им.»
  36. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Генерация магнитоиндуцированной третьей гармоники в наноструктурах и тонких пленках © Т.В. Мурзина, Е.М. Ким, Р.В. Капра, О.А. Акципетров, М.В. Иванченко , В.Г. Лифшиц , С.В. Кузнецова , А.Ф. Кравец»
  37. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Физические аспекты формы спектров электронной эмиссии из сегнетоэлектриков-электретов © В.В. Колесников, А.Т. Козаков Научно-исследовательский институт физики Ростовского государственного университета,»
  38. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Деформационные потенциалы экстремумов зон (000) в CdGa2S4 ©Т.Г. Керимова, Ш.С. Мамедов, И.А. Мамедова Институт физики Академии наук Азербайджана, 370143 Баку, Азербайджан (Получена 3 февраля 1997»
  39. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированных Si © О.А. Парфенюк¶, М.И. Илащук, К.С. Уляницкий, П.М. Фочук, О.М. Стрильчук, С.Г. Крилюк,»
  40. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe под давлением © Е.П. Скипетров¶, А.В. Голубев†, В.Е. Слынько Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет),»
  41. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Краевая ультрафиолетовая люминесценция активированных в плазме азота пленок GaN : Zn © А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев ¶, У.А. Аминов, М.О. Воробьев, И.И. Ходос Физический институт им. П.Н.»
  42. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Линейный фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах © Р.Я. Расулов, Ю.Е. Саленко, Д. Камбаров Ферганский государственный университет, 71200 Фергана, Узбекистан (Получена 9 апреля 2001 г.»
  43. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Анизотропные фотонные кристаллы и микрорезонаторы на основе мезопористого кремния © О.А. Акципетров, Т.В. Долгова, И.В. Соболева, А.А. Федянин Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,»
  44. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Оптические спектры микрокристаллов слоистого полупроводника PbI2, выращенных в стеклянных матрицах © А.С. Аблицова, В.Ф. Агекян, А.Ю. Серов Научно-исследовательский институт физики»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 U-пик в спектрах DLTS n-GaAs, облученного быстрыми нейтронами и протонами (65 МэВ) ¶ © В.Н. Брудный, В.В. Пешев Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, 634050 Томск, Россия »
  46. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Наблюдение излучения среднего инфракрасного диапазона в полупроводниковых лазерах, генерирующих две частотные полосы в ближнем инфракрасном диапазоне ¶ © В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, С.В.»
  47. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 Электрофизические свойства InP, облученного быстрыми нейтронами реактора © Н.Г. Колин¶, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев Филиал ГНЦ ”НИФХИ им. Л.Я. Карпова”, 249020 Обнинск, Россия Институт»
  48. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Увеличение эффективности нелинейно-оптических взаимодействий в наноструктурированных полупроводниках © П.К. Кашкаров, Л.А. Головань, С.В. Заботнов, В.А. Мельников, Е.Ю. Круткова, С.О. Коноров, А.Б. Федотов,»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Морфология, двойникование и фотолюминесценция кристаллов ZnTe, выращенных методом химического синтеза компонентов из паровой фазы © Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, В.С. Багаев¶, В.С. Кривобок»
  50. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Возбужденные состояния ионов халькогенов в германии © А.Ю. Ушаков, Р.М. Штеренгас, Л.М. Штеренгас, Н.Б. Радчук Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург,»
  51. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Особенности спектров отражения легированных кристаллов висмут–сурьма в длинноволновой инфракрасной области спектра © В.М. Грабов, Н.П. Степанов† Российский государственный педагогический»
  52. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Оптические свойства флюорита в широкой области энергий © В.В. Соболев¶, А.И. Калугин Удмуртский государственный университет, 426034 Ижевск, Россия (Получена 30 октября 2000 г. Принята к печати»
  53. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Инверсия типа проводимости в монокристаллах ZnSe, полученных методом свободного роста ¶ © Ю.Ф. Ваксман , Ю.А. Ницук, Ю.Н. Пуртов, П.В. Шапкин Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова»
  54. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Оптически активные слои кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии © А.Ю. Андреев, Б.А. Андреев, М.Н. Дроздов, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник, Ю.А.»
  55. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Разрушение и стабилизация электромагнитной прозрачности полупроводниковой сверхрешетки © Ю.А. Романов, Ю.Ю. Романова Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия»
  56. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Resonant terahertz response of a slot diode with a two-dimensional electron channel © V.V. Popov¶, G.M. Tsymbalov, M.S. Shur, W. Knap+ Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov»
  57. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Электронный спиновый резонанс нанопористого углерода с кластерами кобальта © А.И. Вейнгер, Б.Д. Шанина, А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, Д.А. Курдюков, С.К. Гордеев, Ю.А. Кукушкина Физико-технический институт»
  58. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Самокомпенсация в CdTe Cl в условиях фазового равновесия кристалл–пар кадмия (теллура) © О.А. Матвеев, А.И. Терентьев Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021»
  59. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру пористого карбида кремния © Н.С. Савкина¶, В.В. Ратников, В.Б. Шуман Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  60. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Особенности определения концентраций мелких примесей в полупроводниках из анализа спектров краевой люминесценции ¶ © К.Д. Глинчук , А.В. Прохорович Институт физики полупроводников Национальной»
  61. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe(Ga) © Б.А. Акимов, В.А. Богоявленский, В.А. Васильков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов Московский государственный университет»
  62. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn5Se8 + ‡ +¶ © И.В. Боднарь , А.А. Вайполин , В.Ю. Рудь , Ю.В. Рудь , Е.И. Теруков+ Белорусский государственный университет»
  63. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Влияние плотности лазерного возбуждения на характеристическую временную постоянную и величину среднеполевой электромодуляционной компоненты сигнала фотоотражения в области фундаментального»
  64. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Монте-Карло моделирование эффекта Дембера в n-InAs при фемтосекундном лазерном возбуждении © В.Л. Малевич¶ Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Белоруссии, 220072 Минск,»
  65. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Проявление 2-проводимости в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников © Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Т.А. Полянская, А.С. Саидов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской»
  66. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 О терагерцевом блоховском генераторе © Ю.А. Романов, Ю.Ю. Романова Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия E-mail: romanov@ipm.sci-nnov.ru Исследованы»
  67. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 Термоакцепторы в облученном кремнии © В.Ф. Стась, И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, Л.С. Смирнов Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Блоховские колебания в сверхрешетках. Проблема терагерцового генератора ¶ © Ю.А. Романов , Ю.Ю. Романова Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Влияние ионизации на поведение кремния в арсениде галлия при радиационном отжиге © М.В. Ардышев¶, В.М. Ардышев Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском»
  70. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1 Позитронные исследования элементов свободного объема в полимерных газоразделительных мембранах © В.П. Шантарович, Ю.А. Новиков, З.К. Азаматова Институт химической физики Российской академии наук, 117334»
  71. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Люминесценция в тонких пленках фталоцианина © Г.Л. Пахомов, Д.М. Гапонова, А.Ю. Лукьянов, Е.С. Леонов Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия E-mail:»
  72. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Отрицательная динамическая дифференциальная проводимость на циклотронной частоте в Ga1-xAlxAs в условиях баллистического междолинного переноса электронов © Г.Э. Дзамукашвили, З.С. Качлишвили, Н.К.»
  73. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Прыжковый перенос в твердых растворах (Pb0.78Sn0.22)1-xInxTe при дополнительном легировании © Ю.И. Равич, С.А. Немов Санкт-Петербургский технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия»
  74. «Физика твердого тела, 1999, том 41, № 1 Структуры и термоэлектрическая конвекция в холестерических жидких кристаллах © Е.Д. Эйдельман Химико-фармацевтический институт, Санкт-Петербург, Россия (Поступила в Редакцию 3 июля 1998 г.) Рассмотрены»
  75. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Классификация частот осцилляций Шубникова–де-Гааза в слоистых зарядово-упорядоченных кристаллах при наличии магнитного пробоя © П.В. Горский Черновицкий национальный университет, 58000 Черновцы,»
  76. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Рассеяние электронов проводимости на пространственно коррелированной системе зарядов в сильно легированном GaAs : Te © В.А. Богданова, Н.А. Давлеткильдеев¶, Н.А. Семиколенова, Е.Н. Сидоров»
  77. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GaInAsSb/InAs(GaSb) © М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев¶, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев Физико-технический»
  78. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Отжиг глубоких центров бора в карбиде кремния © В.С. Балландович, Е.Н. Мохов¶ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 25»
  79. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Особенности температурной зависимости фотолюминесценции сверхрешеток квантовых точек CdTe / ZnTe © В.С. Багаев, Е.Е. Онищенко Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва,»
  80. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Фоточувствительные структуры на основе соединения AgIn11S17 ¶ + ¶¶ © И.В. Боднарь , Г.А. Ильчук , В.Ю. Рудь , Ю.В. Рудь+ Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,»
  81. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1 Исследование пленок фторированного фуллерена методами электронной спектроскопии © А.Л. Шахмин, С.В. Мурашов, Н.В. Баранов, М.А. Ходорковский Российский научный центр ”Прикладная химия”, 199034 Санкт-Петербург,»
  82. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Об обработке экспериментальных данных по осцилляции магнитосопротивления в двумерном электронном газе ¶ © Н.С. Аверкиев, А.М. Монахов , Н.И. Саблина, P.M. Koenraad Физико-технический институт»
  83. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Фоточувствительность пленок Pb1-xSnxTe In в терагерцовой области спектра © А.Н. Акимов, В.Г. Ерков, В.В. Кубарев, Е.Л. Молодцова, А.Э. Климов¶, В.Н. Шумский Институт физики полупроводников»
  84. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2 Длинноволновое излучение горячих носителей заряда в кремнии © Л.А. Косяченко, М.П. Мазур Черновицкий государственный университет, 274012 Черновцы, Украина (Получена 16 марта 1998 г. Принята к»
  85. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Возбуждение и ионизация кластеров натрия сильным электромагнитным полем © Л.И. Куркина Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия»
  86. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Электронные состояния и колебательные спектры сверхрешеток квантовых точек CdTe/ZnTe © В.С. Багаев, Л.К. Водопьянов, В.С. Виноградов, В.В. Зайцев, С.П. Козырев, Н.Н. Мельник, Е.Е. Онищенко, Г. Карчевский»
  87. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Конкуренция мод, неустойчивость и генерация вторых гармоник в двухчастотных лазерах InGaAs/GaAs/InGaP © В.Я. Алешкин¶, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, Вл.В. Кочаровский+ Институт физики»
  88. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой с дискретным энергетическим уровнем в кристаллах -La2S3 © Е.М. Зобов¶, М.А. Ризаханов Институт физики им. Х.И. Амирханова»
  89. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Влияние способа легирования кристаллов n-ZnSe медью на структуру центров свечения длинноволновой люминесценции © Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Д.Д. Недеогло, С.В. Опря Молдавский государственный»
  90. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Total resonant absorption of light by plasmons on the nanoporous surface of a metal © T.V. Teperik, V.V. Popov, Garca de Abajo F.J.Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Division), Russian»
  91. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 2 Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях между многозарядными центрами в полупроводниках © Н.И. Бояркина, А.В. Васильев Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской»
  92. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Влияние напряженного Si-слоя на фотолюминесценцию Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных на релаксированных SiGe/Si(001)-буферных слоях © М.В. Шалеев,¶, А.В. Новиков,+, А.Н. Яблонский,»
  93. «Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Кинетика процесса плавления-диспергирования тонких пленок меди © Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, Р.М. Аммосов Московский государственный институт электронной техники, 124498 Москва, Зеленоград,»
  94. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 Магнитные свойства теллурида кадмия, легированного германием ¶ © Ю.В. Шалдин , И. Вархульска , Ю.М. Иванов Институт кристаллографии Российской академии наук, 119333 Москва, Россия »
  95. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Резонансное стоксовое и антистоксовое комбинационное рассеяние света в наноструктурах CdSe / ZnSe © М.Я. Валах, В.В. Стрельчук, Г.Н. Семенова, Ю.Г. Садофьев Институт физики полупроводников Национальной»
  96. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Концентрационная зависимость краевой фотолюминесценции полуизолирующего нелегированного GaAs © В.Ф. Коваленко, М.Б. Литвинова, С.В. Шутов Инcтитут физики полупроводников Национальной академии»
  97. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 1 Динамические и диэлектрические свойства жидких кристаллов © А.В. Захаров, Л.В. Миранцев Институт проблем машиноведения Российской академии наук, 199178 Санкт-Петербург, Россия E-mail: miran@microm.ipme.ru»
  98. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Прохождение фононов через фотонные кристаллы — среды с пространственной модуляцией акустических свойств © В.Н. Богомолов, Л.С. Парфеньева, И.А. Смирнов, Х. Мисиорек, А. Ежовский Физико-технический институт»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 2 Примесная зона в кристаллах Hg3In2Te6, легированных кремнием © П.Н. Горлей, О.Г. Грушка Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина (Получена 23 апреля 2002 г. Принята к печати»
  100. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 2 Фотолюминесценция комплексов CuGaTeAs и CuGaSnGa в n-GaAs при резонансном поляризованном возбуждении © Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, В.Е. Седов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»

Pages:     | 1 |   ...   | 65 | 66 || 68 | 69 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.