WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[6301-6400]

Pages:     | 1 |   ...   | 62 | 63 || 65 | 66 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 2 02;10;11;12 Влияние процесса ионного распыления на статистические характеристики поверхности 1 © А.В. Меркулов , О.А. Меркулова2 1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021»
  2. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 4 01;10 Расчет фокусировки и аберраций пучков заряженных частиц в полярно-тороидальных анализаторах © М.И. Явор Институт аналитического приборостроения РАН, 198103 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в»
  3. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 2 10;12 Диагностика трубчатого пучка релятивистских электронов по передаточной функции мишени-конвертера © Н.Г. Мордасов Федеральное государственное унитарное предприятие „Научно-исследовательский»
  4. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 9 04;10 Повышение эффективности ионного эмиттера на основе тлеющего разряда с осциллирующими электронами © Н.В. Гаврилов, Д.Р. Емлин Институт электрофизики УрО РАН, 620016 Екатеринбург, Россия e-mail:»
  5. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 10 11;12 Перспективные варианты монокристаллических вольфрамовых электродных оболочек для высокоэффективных термоэмиссионных преобразователей © В.П. Кобяков Институт структурной макрокинетики и проблем»
  6. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 02;11;12 Влияние температуры эмиттера и потенциалов ионизации атомов эмиттера на процесс полевого испарения © О.Л. Голубев, М.В. Логинов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021»
  7. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Межпримесное поглощение света в тонких проволоках полупроводников типа AIIIBV © А.П. Джотян, Э.М. Казарян, А.С. Чиркинян Ереванский государственный университет, 375049 Ереван, Республика Армения»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамики SnO2 с варьируемым размером кристаллитов © Р.Б. Васильев¶, С.Г. Дорофеев, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова, А.М. Гаськов Московский государственный»
  9. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию © Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М.»
  10. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 9 05;10;11;12 Энергораспределение автоэлектронов из углеродного нанокристалла 2 © В.М. Лобанов,1 Ю.М. Юмагузин 1 Башкирский государственный аграрный университет, 450001 Уфа, Россия 2 Башкирский»
  11. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 7 04;10 Определение конечного равновесного радиуса и прироста эмиттанса неподстроенного к равновесным условиям релятивистского электронного пучка при транспортировке вдоль внешнего магнитного поля в»
  12. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 8 11;12 Эмиссия заряженных кластеров при ионном распылении металла © В.И. Матвеев Отдел теплофизики АН Узбекистана, 700135 Ташкент, Узбекистан E-mail: matveev@vict.silk.org (Поступило в Редакцию 24 мая»
  13. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 11 01;10 Расчет характеристик волны магнитной самоизоляции в вакуумной передающей линии на основе законов сохранения © С.Я. Беломытцев, А.А. Ким, А.В. Кириков, В.В. Рыжов Институт сильноточной»
  14. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 1 10;11;12 Усиление потока электронов с помощью алмазной мембраны © С.А. Гаврилов,1 Н.Н. Дзбановский,2 Э.А. Ильичев,1 П.В. Минаков,2 Э.А. Полторацкий,1 2 Г.С. Рычков,1 Н.В. Суетин 1 Федеральное»
  15. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 9 10;12 Моделирование методов экспрессного определения энергетического спектра тормозного излучения ускорителей электронов © Н.Г. Мордасов, Д.М. Иващенко, А.М. Членов, А.А. Астахов Федеральное»
  16. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 11 01;10;12 Теоретическое исследование режима масс-селективного нестабильного осевого вывода ионов из нелинейной ловушки © М.Ю. Судаков Рязанский государственный педагогический университет им. С.А.»
  17. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 5 01;05;12 Определение зависимости переохлаждения грани (211) BGO от скорости роста из данных по зависимости переохлаждения от времени при заданном темпе охлаждения расплава © Я.В. Васильев, В.Д.»
  18. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 1 01;03;05;11;12 Деформация сегнетоэлектрической смектической пленки в электрическом поле 2 © В.П. Романов,1 С.В. Ульянов 1 Санкт-Петербургский государственный университет, 198904 Санкт-Петербург, Россия»
  19. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 6 07;11;12 Влияние лазерной эрозии на концентрацию меди и цинка в поверхностном слое латуни © А.И. Борискин, В.М. Еременко, П.А. Павленко, А.Н. Скрипченко, С.Н. Хоменко Институт прикладной физики НАН»
  20. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 5 01;11 Влияние температуры на выход ионов, десорбированных вследствие электронных переходов: релаксационная модель © С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург,»
  21. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 8 05;11;12 Высокотемпературное полевое испарение рения © О.Л. Голубев, В.Н. Шредник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия e-mail: V.Shrednik.@pop.ioffe.rssi.ru»
  22. «Журнал технической физики, 2007, том 77, вып. 1 04;07;11;12 Состояние поверхности и эмиссия электронов с холодных катодов в вакууме и в тлеющем разряде в благородных газах © П.А. Бохан, Дм.Э. Закревский Институт физики полупроводников СО РАН, 630090»
  23. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 7 02;11;12 Активировка калием полевых эмиттеров с фуллереновыми покрытиями © Т.А. Тумарева, Г.Г. Соминский, А.А. Веселов Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251»
  24. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 2 05;11;12 Образование колец вокруг первичного автоэмиссионного изображения и возможности их практического использования © К.Н. Никольский, А.С. Батурин, А.И. Князев, Р.Г. Чесов, Е.П. Шешин Московский»
  25. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 11 Краткие сообщения 04;07;12 Плазменный фокус как коммутатор тока для капиллярного разряда © Э.Ю. Хаутиев1, П.С. Анциферов2, Л.А. Дорохин2, К.Н. Кошелев2, Ю.В. Сидельников2 1 Сухумский физико-технический»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Перенос носителей заряда в наноразмерных периодических структурах Si/CaF2 с участиемловушек © Ю.А. Берашевич¶, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод, В.Е. Борисенко Белорусский государственный университет»
  27. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 8 01;05;11 Эффекты поверхностной магнитной анизотропии в эластообменной спиновой динамике тонких магнитных пленок © С.В. Тарасенко Донецкий физико-технический институт АН Украины, 340114 Донецк, Украина»
  28. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 10;11;12 Сильноточная электронная пушка на основе автоэмиссионного катода и алмазной сетки © Н.Н. Дзбановский, П.В. Минаков, А.А. Пилевский, А.Т. Рахимов, Б.В. Селезнев, Н.В. Суетин, А.Ю. Юрьев»
  29. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 2 11;12 Формирование микрообразований с упорядоченной структурой эмиссии в фуллереновых покрытиях полевых эмиттеров © Т.А. Тумарева, Г.Г. Соминский, А.С. Поляков Санкт-Петербургский государственный»
  30. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 5 10 Динамика электронного пучка пикосекундного сильноточного ускорителя © К.А. Желтов, И.Г. Зданович, М.Н. Нечаев Научно-исследовательский институт импульсной техники, 115304 Москва, Россия (Поступило в»
  31. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 2 02;05;11;12 Взаимодействие графита с атомарным водородом © Е.А. Денисов, Т.Н. Компаниец Санкт-Петербургский государственный университет, 198904 Санкт-Петербург, Россия E-mail: kompan@paloma.spbu.ru»
  32. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 9 10;11;12 Приравновесные термополевые микровыступы как эффективные полевые точечные источники электронов и ионов © О.Л. Голубев, В.Н. Шредник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021»
  33. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Характеризация электрофизическими и оптическими методами гетероструктур GaAs/InxGa1-xAs с квантовыми точками © В.Я. Алешкин, Д.М. Гапонова, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, З.Ф. Красильник, А.В. Мурель,»
  34. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1 Формирование пленок нанокристаллического кремния имплантацией больших доз ионов H+ в слои кремния на изоляторе и последующим быстрым термическим отжигом © И.Е. Тысченко¶, В.П. Попов, А.Б.»
  35. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 6 08;12 Экспериментальное исследование процессов фокусировки субмикросекундных импульсов давления в жидкости © Ю.В. Судьенков1, Э.В. Иванов2 1 Санкт-Петербургский государственный университет, 198904»
  36. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 7 05;11;12 Механизмы и кинетика начальных стадий роста пленок, выращиваемых методом химического газофазного осаждения © Д.А. Григорьев, С.А. Кукушкин Институт проблем машиноведения РАН, 199178»
  37. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 8 02;11;12 Описание силовых поверхностей в атомно-силовой микроскопии с учетом подвижности атомов решетки © Е.В. Благов1, Г.Л. Климчицкая2, В.М. Мостепаненко1 1 Исследовательско-внедренческое предприятие»
  38. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 6 11;12 Фазовые переходы в атомной, электронной и магнитной подсистемах пленок LaSrMnO с изменением температуры роста © З.А. Самойленко,1 В.Д. Окунев,1 Е.И. Пушенко,1 Н.Н. Пафомов,1 2 R. Szymczak,2 M.»
  39. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 4 01;04;10;12 Динамика электронных пучков в плазме © А.С. Мустафаев Санкт-Петербургский государственный горный институт (технический университет), 199026 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 16»
  40. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Особенности структурного взаимодействия в гетероструктурах (AlGaIn)N / GaN как дислокационных фильтрах ¶ © И.П. Сошников , Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.»
  41. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 9 04;05;09;11;12 Процессы разрушения поверхности электрода в плазме высокочастотного разряда © Г.П. Строкань Научно-исследовательский институт физики при Ростовском государственном университете, 344104»
  42. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 4 04;10 О возможности уменьшения эффективного эмиттанса компенсированных ионных пучков © С.Ю. Удовиченко Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д.Е. Ефремова, 189631»
  43. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Прыжковая 2-проводимость легированных бором пленок a-Si : H, подвергнутых высокотемпературному отжигу в водороде © И.П. Звягин, И.А. Курова, М.А. Нальгиева, Н.Н. Ормонт¶ Московский»
  44. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Метод расчета времени переходного процесса многоступенчатой охлаждающей термобатареи © Ю.И. Равич, А.Н. Гордиенко¶ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251»
  45. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 8 04;12 Некоторые результаты визуальных исследований излучения магнитоплазменного компрессора в атмосфере © Ю.Я. Волколупов, М.А. Красноголовец, М.А. Острижной, В.Г. Нестеренко, О.И. Харченко, В.И.»
  46. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 9 10;11;12 Состав примесей и очистка цилиндрической поверхности газофазного поликристаллического вольфрама © А.В. Браварец, Б.М. Зыков, В.Н. Зыкова, В.Н. Лебедев, Ю.К. Удовиченко Сухумский»
  47. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 7 01;09;10 Ускорение и фокусировка интенсивных ионных пучков в высокочастотных структурах с использованием ондуляторов © Э.С. Масунов, С.М. Полозов Московский инженерно-физический институт»
  48. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 5 05;11;12 Влияние замещений на магнитную анизотропию Gd-содержащих магнитооптических пленок феррит-гранатов © В.В. Рандошкин, В.И. Козлов, В.Ю. Мочар, Н.В. Васильева, В.В. Воронов Совместная хозрасчетная»
  49. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 10 05;11;12 Эмиссионные характеристики порошков из нанопористого углерода © В.Б. Бондаренко,1 П.Г. Габдуллин,1 Н.М. Гнучев,1 С.Н. Давыдов,1 В.В. Кораблев,1 2 А.Е. Кравчик,2 В.В. Соколов 1»
  50. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 2 04;10;11;12 Генерация электронных пучков в многокатодном вторично-эмиссионном источнике © Н.И. Айзацкий, В.Н. Борискин, А.Н. Довбня, В.В. Закутин, В.А. Кушнир, В.А. Митроченко, Н.Г. Решетняк, В.П.»
  51. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 9 04;11;12 Запаздывание пробоя в вакууме © А.А. Емельянов Орловский государственный технический университет, 302020 Орел, Россия e-mail: orelrce@ostu.ru (Поступило в Редакцию 7 октября 2002 г.) На основе»
  52. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 6 Краткие сообщения 06;07 Оптические и электрические свойства пленок терпентина 1 © С.И. Драпак,1 И.Т. Драпак,2 З.Д. Ковалюк 1 Институт проблем материаловедения им. И.М. Францевича НАН Украины,»
  53. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 11 05;12 Внутреннее трение в направленно закристаллизованных сплавах (Cu–Sn)–Nb © В.М. Аржавитин, В.Я. Свердлов Национальный научный центр ”Харьковский физико-технический институт”, 310108 Харьков, Украина»
  54. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 The role of microstructure in luminescent properties of Er-doped nanocrystalline Si thin films © M.V. Stepikhova, M.F. Cerqueira, M. Losurdo, M.M. Giangregorio, E. Alves, T. Monteiro, M.J. Soares Institute»
  55. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 11 Краткие сообщения 01;05;09 Поглощение электромагнитного излучения металлической частицей цилиндрической формы © Э.В. Завитаев, А.А. Юшканов, Ю.И. Яламов Московский педагогический университет, 107005»
  56. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 Краткие сообщения 01 Об электро- и магнитостатических полях в средах с неоднородной скоростью движения © Н.Н. Розанов, Г.Б. Сочилин Научно-исследовательский институт лазерной физики, 199034»
  57. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Латеральная фотопроводимость структур AlGaAs / InGaAs с квантовыми ямами и самоорганизующимися квантовыми точками при межзонной подсветке ¶ © О.А. Шегай , А.К. Бакаров, А.К. Калагин, А.И.»
  58. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 5 06;07 Оптимизация лидара с полупроводниковыми лазерами для зондирования молекулярного иода и водорода в атмосфере © Р.Н. Веремьев, В.Е. Привалов, В.Г. Шеманин Балтийский государственный технический»
  59. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 6 06;11;12 Формирование однослойного массива наночастиц для просвечивающей электронной микроскопии © А.Б. Воробьев, А.К. Гутаковский, В.Я. Принц, В.А. Селезнев Институт физики полупроводников СО РАН,»
  60. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 8 03 О нелинейных поправках к частотам осцилляций заряженной капли в несжимаемой внешней среде © А.Н. Жаров, С.О. Ширяева, А.И. Григорьев Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, 150000»
  61. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 9 Краткие сообщения 04;12 Исследование тепловых и электрических характеристик ТЭП при комбинированном нагреве электродов © Ю.И. Дударев, Б.И. Ермилов Сухумский физико-технический институт АН Республики»
  62. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 5 01;02;11 О влиянии начального состояния адатомов на соотношение атомов и ионов в потоке распыляемых частиц © С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 191194 Санкт-Петербург, Россия»
  63. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 4 01;05;10;12 Об образовании релятивистских позитронных систем путем осевого каналирования позитронов в ионных кристаллах © А.С. Геворкян1, А.Г. Григорян1, А.Р. Мкртчян2, А.Г. Тонеян2 1 Институт»
  64. «Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 1 Особенности перемагничивания трехслойных наноструктур © К.А. Звездин Институт общей физики Российской академии наук, 117942 Москва, Россия E-mail: zvezdin@hotmail.com (Поступила в Редакцию 1 февраля 1999»
  65. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si : H p-типа, легированного бором © А.Г. Казанский, Э.В. Ларина Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, 119889»
  66. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 7 05;11;12 Эрозия поверхности автоэмиттеров под действием низкоэнергетичной ионной бомбардировки © Т.И. Мазилова, И.М. Михайловский Национальный научный центр „Харьковский физико-технический институт“,»
  67. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 10 05;10;11;12 Условия зарождения наноостровков в поверхностных термических вспышках при облучении материалов быстрыми тяжелыми ионами © М.В. Сорокин,1 А.Е. Волков 1 Российский научный центр»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Влияние тыльного контакта на электрические свойства пленочных солнечных элементов на основе CdS/CdTe © Г.С. Хрипунов¶ Национальный технический университет „Харьковский политехнический институт“,»
  69. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Нестабильность характеристик SiC-детекторов, подвергнутых экстремальному воздействию ядерных частиц © А.М. Иванов¶, Н.Б. Строкан, Е.В. Богданова, А.А. Лебедев Физико-технический институт им.»
  70. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 4 10;11;12 Особенности перераспределения кобальта по поверхности пленок неоднородных сплавов кобальт–медь © А.И. Стогний, С.В. Корякин, Н.Н. Новицкий Институт физики твердого тела и полупроводников НАН»
  71. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 8 12 Метод регулируемого расходования энергии, накопленной в электрическом конденсаторе © Д.И. Адейшвили1, В.П. Кортхонджия2, Н.Ф. Шульга1 1 Национальный научный центр ”Харьковский физико-технический»
  72. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 5 02;11;12 Холодная эмиссия горячих электронов © А.В. Разин, В.Ф. Харламов Орловский государственный технический университет, 302020 Орел, Россия e-mail: kharl@ostu.ru (Поступило в Редакцию 11 июля 2005»
  73. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 2 05;06;11;12 Адсорбционная чувствительность систем Si–электролит и Si–пористый Si–электролит © В.М. Демидович, Г.Б. Демидович, В.Р. Карибьянц, С.Н. Козлов Московский государственный университет им. М.В.»
  74. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 4 01;11 Переход к хаотизации и потеря самоусредняемости в двумерных двухфазных средах на пороге протекания © С.П. Лукьянец1, А.Е. Морозовский2, А.А. Снарский2 1 Институт физики АН Украины, 252650 Киев,»
  75. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1 Микроскопическая теория электроакустического эха в антисегнетоэлектриках типа порядок–беспорядок © М.Б. Белоненко, С.В. Назаренко Волгоградский государственный университет, 400062 Волгоград, Россия (Поступила»
  76. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 01 Электромагнитное поле диполя в анизотропной среде 2 © А.О. Савченко,1 О.Я. Савченко 1 Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия 2»
  77. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 11 01;05;07;08 Акустооптические ячейки с неодинаковой длиной взаимодействия в поперечном сечении светового луча © В.Б. Волошинов, Г.А. Князев Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,»
  78. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 6 05;11;12 Термополевые формоизменения сплава вольфрам–гафний © О.Л. Голубев, В.Н. Шредник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия e-mail:»
  79. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 4 Краткие сообщения 06;07;08;12 Синтез пленок оксида цинка с прямой и наклонной текстурой в неоднородной газоразрядной плазме © А.Г. Веселов, А.С. Джумалиев Саратовский филиал Института радиотехники и»
  80. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Спиновые эффекты в индуцированном параллельным магнитным полем магнитосопротивлении двойной квантовой ямы n-InxGa1-xAs/ GaAs ¶ © М.В. Якунин , Г.А. Альшанский, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И.»
  81. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 2 05;11;12 Многообразие структурных форм в LaSrMnO, инициируемое условиями роста и лазерного облучения © З.А. Самойленко,1 В.Д. Окунев,1 Е.И. Пушенко,1 Т.А. Дьяченко,1 А. Черенков,1 P. Gierlowski,2 2»
  82. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 6 05;12 Псевдоупругость сплава Ti–Ni при действии всестороннего давления © С.А. Егоров, И.Н. Лобачев Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт математики и»
  83. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Внутризонное поглощение и излучение света в квантовых ямах и квантовых точках © Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, Н.К. Федосов, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, S. Hanna , A. Seilmeier , Kh. Moumanis , F. Julien ,»
  84. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 1 01;09 Синтез токов по заданной направленности на диске © С.И. Эминов Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, 173003 Великий Новгород, Россия e-mail: theorphy@novsu.ac.ru»
  85. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 5 03;08;12 Термокондуктометрическое детектирование газов и газовых потоков с помощью линий задержки на поверхностных акустических волнах © В.И. Анисимкин1, С.А. Максимов2, М. Пенза3, Л. Васанелли4 1»
  86. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 9 01;02;04;05;12 Динамические характеристики нагрева графитового проводника с учетом скин-эффекта © П.В. Новиков,1 Г.Н. Чурилов2 1 Красноярский государственный технический университет, 660074 Красноярск,»
  87. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 11 01;10,11 Моделирование процесса двухпучковой высокодозной ионной имплантации в твердотельные мишени © А.Ф. Комаров Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,»
  88. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 10 Краткие сообщения 01;10 Масс-анализатор зеркального типа с цилиндрической формой полюсов © Л.П. Овсянникова, Т.Я. Фишкова Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия»
  89. «Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 1 Динамика доменных границ в легкоплоскостном магнетике в поле звуковой волны © В.С. Герасимчук, А.А. Шитов Донбасская государственная академия строительства и архитектуры, 86123 Макеевка, Донецкая обл.,»
  90. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 7 04;10;12 Влияние пучково-плазменного взаимодействия на транспортировку ионов в инжекторе циклотрона © С.В. Григоренко, С.Ю. Удовиченко Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им.»
  91. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 7 01;04;10 Уравнения переноса и условие динамического равновесия релятивистского электронного пучка, распространяющегося в плотных и разреженных газоплазменных средах продольно внешнему магнитному полю ©»
  92. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Распределение катионов в механосинтезированном магнетите © С.И. Новиков, Е.М. Лебедева, А.К. Штольц, Л.И. Юрченко, В.А. Цурин, В.А. Баринов Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии»
  93. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 10 Краткие сообщения 01;03;11 Поверхностная ионизация продуктов мономолекулярного распада многомолекулярных комплексов © Г.Я. Лаврентьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021»
  94. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 11 01;07 Прохождение импульсов через границу раздела линейной и резонансной сред © С.Ш. Таджимуратов Физико-технический институт АН Республики Узбекистан, 700084 Ташкент, Республика Узбекистан e-mail:»
  95. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 7 01;03 Анализ эффективности фокусировки импульсных волн давления в зависимости от начального распределения амплитуды и временного профиля © Э.В. Иванов1, Ю.В. Судьенков2 1 Санкт-Петербургский»
  96. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 4 Краткие сообщения 05;06;11;12 Влияние термодиффузии на совершенство кристаллической структуры, формирующейся при конденсации из паровой фазы © А.П. Беляев, В.П. Рубец, М.Ю. Нуждин, И.П. Калинкин»
  97. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 8 03;12 Особенности структуры сквозного электрогидродинамического течения в симметричной системе электродов © А.В. Буянов, Ю.К. Стишков Научно-исследовательский институт радиофизики Санкт-Петербургского»
  98. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 7 01;05 К расчету электрострикционного эффекта в тонкослойных структурах металл–сегнетоэлектрик–металл © В.М. Богомольный Государственная академия сферы быта и услуг, 141220 ст. Тарасовская, Московская»
  99. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 9 11 К теории динамических изменений поверхности во время высокотемпературного полевого испарения © В.Н. Шредник, Д.В. Глазанов,1 Е.Л. Конторович Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021»
  100. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 2 Краткие сообщения 05;06;07;11 Влияние адсорбции на поперечное фотонапряжение в кристаллах иодистого кадмия при рентгеновском возбуждении © И.М. Матвиишин, С.С. Новосад, И.С. Новосад Львовский»

Pages:     | 1 |   ...   | 62 | 63 || 65 | 66 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.