WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[5901-6000]

Pages:     | 1 |   ...   | 58 | 59 || 61 | 62 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 10 05;06;12 Самораспространяющийся высокотемпературный синтез и твердофазные реакции в двухслойных тонких пленках © В.Г. Мягков, В.С. Жигалов, Л.Е. Быкова, В.К. Мальцев Институт физики им. Л.В. Киренского»
  2. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 4 05;06 Динамика домена в диоде Ганна в цепи с резистивной нагрузкой © С.И. Домрачев, А.А. Кузнецов Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, 410026 Саратов, Россия E-mail:»
  3. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 3 05;06;07;10;12 Влияние последовательного электронного и лазерного облучения на фотолюминесценцию пористого кремния © Б.М. Костишко, А.М. Орлов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск,»
  4. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Электронный спектр и электрофизические свойства германия с двухзарядной примесью золота по обе стороны разнодолинного перехода L1 1 при всестороннем давлении до 7 ГПа © М.И. Даунов¶, И.К.»
  5. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 4 05;06;12 Влияние кластеризованной структуры эпитаксиальных пленок LaCa(Sr)MnO на их магнитные, электронные и оптические свойства © З.А. Самойленко,1 В.Д. Окунев,1 Е.И. Пушенко,1 Т.А. Дьяченко,1 О.П.»
  6. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 01;05;11 Фотополевая миграция и десорбция примесных ионов © В.Н. Стрекалов Московский государственный технологический университет ”Станкин”, 101472 Москва, Россия (Поступило в Редакцию 19 августа 1996»
  7. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 4 05;06;11 Структура и состав пленок нитрида галлия, полученных путем обработки монокристаллов арсенида галлия в атомарном азоте © Г.А. Сукач,1 В.В. Кидалов,2 М.Б. Котляревский,2 Е.П. Потапенко1 1»
  8. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Оптические явления в гетероструктурах InAs / GaAs с легированными квантовыми точками и искусственными молекулами ¶ © Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, Н.К. Федосов, Д.А. Фирсов , В.А. Шалыгин, + ‡ ‡»
  9. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 04;07;12 О формировании импульсов наносекундной длительности в XeBr-эксилампе барьерного разряда © С.М. Авдеев, И.Д. Костыря, Э.А. Соснин, В.Ф. Тарасенко Институт сильноточной электроники СО РАН,»
  10. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 6 05;08 Фокусировка фононов в кристаллах CdSe, ZnS, ZnO © В.В. Зубрицкий Институт физики им. Б.И. Степанова АН Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия (Поступило в Редакцию 25 января 1996 г.) Рассчитаны»
  11. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 10 03;04;06;12 Молекулярно-пучковая эпитаксия GaAsN на GaAs с использованием плазменного источника, возбуждаемого постоянным током 2 © А.Е. Жуков,1 Е.С. Семенова,1 В.М. Устинов,1 E.R. Weber 1»
  12. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 11 04 Расчет параметров сильноточного отражательного разряда с горячим катодом © Л.А. Зюлькова, А.В. Козырев, Д.И. Проскуровский Институт сильноточной электроники СО РАН, 634055 Томск, Россия e-mail:»
  13. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 11 07;08;09 Взаимодействие света с акустическими СВЧ волнами, возбуждаемыми непериодическими многоэлементными преобразователями. II © М.А. Григорьев, А.В. Толстиков, Ю.Н. Навроцкая Саратовский»
  14. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях © А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,»
  15. «Физика твердого тела, 1999, том 41, № 1 Квазиравновесные состояния твердых растворов © М.А. Захаров Новгородский государственный университет, 173003 Новгород, Россия (Поступила в Редакцию 9 февраля 1998 г.В окончательной редакции 23 июня 1998 г.)»
  16. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 9 01;05 Предельный переход при скин-эффекте в металлах к бесконечной проводимости © А.И. Спицын Харьковский национальный университет радиоэлектроники, 433053 Харьков, Украина (Поступило в Редакцию 26»
  17. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 8 06;12 Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП транзистора © М.Н. Левин, Е.Н. Бормонтов, А.В. Татаринцев, В.Р. Гитлин Воронежский государственный»
  18. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 4 05;06;12 Отрицательные кристаллы карбида кремния © В.А. Карачинов Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, 173003 Великий Новгород, Россия (Поступило в Редакцию 10 мая 2001 г.)»
  19. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 1 01;07;08;12 Повышение эффективности акустооптического модулятора с двухлучевой диаграммой направленности методом коррекции двухчастотного электрического сигнала 1 © С.Н. Антонов,1 В.В. Проклов,1 Ю.Г.»
  20. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 5 05:06:12 Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур © А.Ю. Аскинази, А.П. Барабан, Л.В. Милоглядова Санкт-Петербургский государственный»
  21. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 9 06;11;12 Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностно-барьерных структур © Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021»
  22. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 05;06 Особенности структуры и магнитные свойства аморфных сплавов на основе железа и кобальта в зависимости от условий нанокристаллизации © Н.И. Носкова, В.В. Шулика, А.Г. Лаврентьев, А.П. Потапов,»
  23. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 11 04;07;12 Пространственное изменение характеристик эрозионной плазмы свинца при распространении лазерного факела от мишени © А.К. Шуаибов, М.П. Чучман Ужгородский национальный университет, 88000»
  24. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 2 01;06 Теория планарно-неоднородного МОП транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров © Е.Н. Бормонтов, М.Н. Левин, С.А. Вялых, С.Н. Борисов Воронежский»
  25. «Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1 Влияние водорода на электронную структуру и свойства нитрида бора +¶ + + © С.Е. Кулькова , Д.В. Чудинов , Д.В. Ханин Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской»
  26. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 3 05;11;12 Внедрение щелочноземельного металла в структуру графита с целью снижения работы выхода © А.С. Батурин, К.Н. Никольский, А.И. Князев, Р.Г. Чесов, Е.П. Шешин Московский физико-технический»
  27. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 1 05;06;11 Моделирование фазовых переходов, инициируемых в арсениде галлия комбинированным воздействием лазерного излучения © С.П. Жвавый, Г.Д. Ивлев, О.Л. Садовская Институт электроники АН Белоруссии,»
  28. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 12 10 Ахроматические дефлектроны из совмещенных электродов-полюсов 2 © Л.П. Овсянникова,1 Т.Я. Фишкова,1 И.А. Петров 1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург 2 Applied»
  29. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 10 04;12 Локализация плазмы в протяженном полом катоде плазменного источника ленточного электронного пучка © Ю.А. Бурачевский, В.А. Бурдовицин, А.С. Климов, Е.М. Окс, М.В. Федоров Томский государственный»
  30. «Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1 Структурные характеристики и физические свойства диселенида титана, интеркалированного марганцем © В.Г. Плещев, А.Н. Титов, Н.В. Баранов Уральский государственный университет им. А.М. Горького, 620083»
  31. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 10;11;12 Атомное строение кластеров серебра на кремнии © М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Н.С. Фараджев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 21»
  32. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 1 01;05;06 О прогнозировании свойств двухфазных композиционных материалов с пьезоактивным компонентом © В.И. Алешин, Е.С. Цихоцкий, В.К. Яценко Научно-исследовательский институт физики при Ростовском»
  33. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 04;10;12 О распределении электронных потоков по поверхности катода в разряде с осциллирующими электронами © Г.А. Егиазарян, Ж.Б. Хачатрян, Э.С. Бадалян, Э.И. Тер-Геворкян, В.Н. Оганесян Ереванский»
  34. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 5 01;05;09 Распространение прямоугольных импульсов магнитостатических волн в пленках железоиттриевого граната 1 © А.А. Галишников,1 А.В. Кожевников,1 Р. Марчелли,2 С.А. Никитов,3 Ю.А. Филимонов 1»
  35. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Фотолюминесценция GeSi/Si(001) самоорганизующихся наноостровков различной формы © Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский Институт физики микроструктур»
  36. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 05;06;12 Связь электронных свойств границы раздела фаз с межфазными взаимодействиями в гетероструктурах NbN–GaAs © А.А. Беляев1, И. Готовы2, Е.Ф. Венгер1, В.Г. Ляпин1, Р.В. Конакова1, В.В. Миленин1, Ю.А.»
  37. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 10 05;06;12 Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и островковым слоем палладия на поверхности © И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, Б.Н. Звонков»
  38. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Расчет состояний мелких доноров в квантовых ямах в магнитном поле методом разложения по плоским волнам ¶ © В.Я. Алешкин , Л.В. Гавриленко Институт физики микроструктур Российской академии наук,»
  39. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 8 07 Динамика связанных волн в световодах с переменными по длине дисперсионными и нелинейными параметрами © И.О. Золотовский, Д.И. Семенцов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск,»
  40. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 10 06;12 Кремниевый двухэмиттерный дифференциальный тензотранзистор с ускоряющим электрическим полем в базе © Г.Г. Бабичев, С.И. Козловский, В.А. Романов, Н.Н. Шаран Институт физики полупроводиников АН»
  41. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 10 05;06 Неравновесные индуктивные быстродействующие детекторы на основе тонких сверхпроводниковых пленок © И.Г. Гогидзе, П.Б. Куминов, А.В. Сергеев, А.И. Елантьев, Е.М. Меньщиков, Е.М. Гершензон Московский»
  42. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 9 01;02;06 Термодинамика образования углеродных нанотрубок разной структуры из пересыщенных капель расплава © Н.И. Алексеев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия»
  43. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 4 06 Источники фликкер-шума и технология сверхпроводящих микрополосков на основе пленок иттрий-бариевого купрата © С.Ф. Карманенко,1 А.А. Семенов,1 В.Н. Леонов,2 А.В. Бобыль,3 А.И. Дедоборец,3 А.В.»
  44. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 7 05;06;07;12 Количественный рентгенотопографический анализ дефектов монокристаллов 6H–SiC и гомоэпитаксиального карбида кремния © Г.Ф. Кузнецов Институт радиотехники и электроники РАН, 141120 Фрязино,»
  45. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 11 06;12 Метод оценки погрешностей измерения вольт-амперных характеристик джозефсоновских контактов © С.И. Боровицкий, В.Д. Геликонова, А.В. Комков, Х.А. Айнитдинов , А.М. Клушин Нижегородский»
  46. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Металлические пленки на поверхности ЩГК, образованные в процессе термодиффузии внутрикристаллической примеси © Л.И. Брюквина, Е.А. Ермолаева, С.Н. Пидгурский, Л.Ф. Суворова, В.М. Хулугуров Иркутский филиал»
  47. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 04;07;12 Рентгеновское излучение при формировании объемных разрядов наносекундной длительности в воздухе атмосферного давления © И.Д. Костыря,1 В.Ф. Тарасенко,1 А.Н. Ткачев,2 С.И. Яковленко2 1 Институт»
  48. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 12 05;06;12 Кремниевые МОП-структуры с нестехиометрическими металлоксидными полупроводниками © Е.А. Тутов, С.В. Рябцев, Е.Е. Тутов, Е.Н. Бормонтов Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж,»
  49. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Распределение электронов между долинами и сужение запрещенной зоны при пикосекундной суперлюминесценции в GaAs © Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой¶, А.Н. Кривоносов Институт радиотехники и электроники»
  50. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 5 05;06;10;11;12 Формирование заданных профилей концентрации внедренных атомов и радиационных дефектов при использовании монохроматических пучков ускоренных ионов © Г.М. Гусинский, А.В. Матюков»
  51. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 3 01;05;11 Энергетические спектры и температурные распределения кластеров при ионном распылении металла © В.И. Матвеев,1 С.А. Кочкин Поморский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 163006»
  52. «Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 1 Об одном механизме зародышеобразования в кристаллах с комбинированной анизотропией © Р.М. Вахитов, А.Р. Юмагузин Башкирский государственный университет, 450074 Уфа, Россия Институт физики молекул и»
  53. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 5 06;07;11;12 Кинетика электролюминесценции в пленочных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем © Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов Ульяновский государственный университет, 432700 Ульяновск,»
  54. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 01;05 Пиннинг линейных вихрей в трехмерной упорядоченной джозефсоновской среде и возможные расстояния между ними © М.А. Зеликман Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251»
  55. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 12 01;10;12 Характеристики многополюсных линз с идеальной центральной частью полюса © В.В. Вечеславов, О.В. Григорьева Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера РАН, 630090 Новосибирск, Россия e-mail:»
  56. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 1 07;08;12 Оптимизация акустооптического перестраиваемого фильтра на кристалле KDP © В.Б. Волошинов, Д.В. Богомолов, А.Ю. Трохимовский Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119992»
  57. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 1 05;06;12 Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии © Н.В. Демарина, С.В. Оболенский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603600»
  58. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 4 01;05;06;09 Кремниевый однопереходный тензотранзистор © Г.Г. Бабичев, С.И. Козловский, В.А. Романов, Н.Н. Шаран Институт физики полупроводников НАН Украины, 03028 Киев, Украина e-mail:»
  59. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 11 04;05;12 Исследование пылевой моды испарения углеродных макрочастиц в стеллараторе W7-AS 3 © В.Ю. Сергеев,1 В.Г. Скоков,1 В.М. Тимохин,1 Б.В. Кутеев,2 В.Ю. Мартыненко,2 Р. Бурхенн 1»
  60. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 11 01;06 Модель проводимости нано-МИМ диода с углеродистой активной средой с учетом эффектов перколяции © В.М. Мордвинцев, В.Л. Левин Институт микроэлектроники РАН, 150007 Ярославль, Россия (Поступило в»
  61. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 10 01;05 Диссипативные процессы в сплавах при проявлении эффекта безызносного трения © Т.А. Шахназаров, Ю.А. Тахтарова, Т.С. Лугуев Институт физики Дагестанского научного центра РАН, 367003 Махачкала,»
  62. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Пути получения упорядоченных гетероструктур Ge–Si с германиевыми нанокластерами предельно малых размеров © Ю.Б. Болховитянов, С.Ц. Кривощапов, А.И. Никифоров, Б.З. Ольшанецкий, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов,»
  63. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si © А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский Институт физики»
  64. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 2 05;06;07;12 Лазерная имплантация и диффузия магния в кремний © В.М. Арутюнян, А.П. Ахоян, З.Н. Адамян, Р.С. Барсегян Ереванский государственный университет, 375049 Ереван, Армения E-mail:»
  65. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Влияние локализации в квантовой яме на время жизни состояний мелких примесных центров † † © Е.Е. Орлова¶, P. Harrison , W.-M. Zheng , M.P. Halsall Институт физики микроструктур Российской»
  66. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 12 11,12 Температурная зависимость работы выхода островков гафния на вольфраме © О.Л. Голубев, Т.И. Судакова, В.Н. Шредник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия»
  67. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 3 04;10;12 Зависимость устойчивости транспортировки сильноточного релятивистского электронного пучка в плотных газовых средах от параметров создаваемого плазменного канала © Н.А. Кондратьев, В.И.»
  68. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Эффективная генерация второй гармоники в структуре с двойными квантовыми ямами © А.Ж. Хачатрян¶, Д.М. Седракян+¶¶, В.Д. Бадалян+¶¶¶, В.А. Хоецян+ Государственный инженерный университет Армении,»
  69. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 9 05;06 Формирование петли температурного гистерезиса при фазовом переходе металл–полупроводник в пленках диоксида ванадия © В.А. Климов,1 И.О. Тимофеева,2 С.Д. Ханин,2 Е.Б. Шадрин,1 А.В. Ильинский,3 Ф.»
  70. «Физика твердого тела, 1998, том 40, № 1 Воздействие импульсного лазерного излучения на реальную структуру монокристаллов CdTe © И.Л. Шульпина, Н.К. Зеленина, О.А. Матвеев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021»
  71. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 8 07;12 Распространение света в циркулярной системе туннельно связанных волноводов при фокусировке входного пучка света © Д.Х. Нурлигареев, К.М. Голант, В.А. Сычугов, Б.А. Усиевич Институт общей физики»
  72. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 2 05;06;09 Многощелевые линии передачи сверхвысоких частот на основе структуры сегнетоэлектрическая пленка–диэлектрическая подложка © И.Г. Мироненко, А.А. Иванов Санкт-Петербургский государственный»
  73. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 5 04;10 Расчет трекинг-силы, действующей на релятивистский электронный пучок при транспортировке внутри проводящего волновода в омическом режиме и случае ионной фокусировки © Е.К. Колесников, А.С.»
  74. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 6 05;12 Магнитные и магнитоупругие свойства аморфных ферромагнитных сплавов, обработанных электрическим током © А.А. Гаврилюк, А.Л. Семенов, А.Ю. Моховиков, Д.В. Прудников, Д.А. Ширяев Иркутский»
  75. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Перезарядка центров с глубокими уровнями и отрицательная остаточная фотопроводимость в селективно легированных гетероструктурах AlGaAs / GaAs © В.И. Борисов, В.А. Сабликов, И.В. Борисова, А.И.»
  76. «Физика твердого тела, 1999, том 41, № 1 Особенности примесного электросопротивления в ферромагнетиках с малой концентрацией носителей © В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии»
  77. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 07;12 Двухпроходный лазерный усилитель на парах меди с высокой пиковой мощностью © В.Т. Карпухин, М.М. Маликов Объединенный институт высоких температур РАН, 125412 Москва, Россия e-mail:»
  78. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 3 11;12 Полевое испарение сплава Hf–Mo © М.В. Логинов, В.Н. Шредник Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 27 ноября 1996 г.) Полевое испарение»
  79. «Журнал технической физики, 2007, том 77, вып. 1 05;12 Универсальная зависимость критического тока в керамических высокотемпературных сверхпроводниках © Н.А. Боголюбов Институт неорганической химии СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия e-mail:»
  80. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 5 05;06;11;12 Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия © С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь Нижегородский»
  81. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 11 03;04;06;07;10 О формировании рентгеновского излучения с высокой частотой следования импульсов при объемном наносекундном разряде в открытомгазовомдиоде © В.Ф. Тарасенко,1 С.К. Любутин,2 С.Н. Рукин,2»
  82. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 3 02;10;12 Фокусировка интенсивного нейтрализованного протонного пучка 2 © В.И. Энгелько,1 Х. Гизе,2 В.С. Кузнецов,1 Г.А. Вязьменова,1 С. Шальк 1 Научно-исследовательский институт электрофизической»
  83. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 12 05;11;12 Однонаправленная анизотропия в ферро-ферримагнитной пленочной структуре 1 © Г.И. Фролов,1 В.Ю. Яковчук,1 В.А. Середкин,1 Р.С. Исхаков,1 С.В. Столяр,1,2 В.В. Поляков 1 Институт физики им. Л.В.»
  84. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 10 06;07;12 Влияние длительной работы и температуры на спектры карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя © А.М. Генкин, В.К. Генкина, Л.П. Гермаш Национальный технический»
  85. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 01;05 Термодинамический подход к описанию металлических твердых тел © В.Ю. Бодряков, А.А. Повзнер, И.В. Сафонов Уральский государственный технический университет — УПИ, 620002 Екатеринбург, Россия»
  86. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 12 01;07 О времени запаздывания суммарного сигнала нескольких квазимонохроматических излучателей © Н.С. Бухман Самарский государственный архитектурно-строительный университет, 443001 Самара, Россия»
  87. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Взаимосвязь энергии наноостровков SiGe с их формой и размерами © М.Я. Валах, В.Н. Джаган, З.Ф. Красильник , П.М. Литвин, Д.Н. Лобанов , Е.В. Моздор, А.В. Новиков , В.А. Юхимчук, А.М. Яремко Институт»
  88. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Локализация пластической деформации в монокристаллах фторида бария при повышенных температурах © Н.П. Скворцова Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, 117333 Москва, Россия»
  89. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 11;12 Незаполненные электронные состояния пленки олигомера кватерфенила и ее интерфейса с поверхностями золота и окисленного кремния © А.С. Комолов1,2 1 Научно-исследовательский институт физики им.»
  90. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Исследование физической природы фотомеханического эффекта © А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе¶, Н.Г. Кутивадзе Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, 384000 Кутаиси, Грузия»
  91. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Излучательная рекомбинация в структурах с квантовыми ямами Zn1-xMnxTe/Zn0.59Mg0.41Te — экситонная и внутрицентровая люминесценция © В.Ф. Агекян¶, Н.Н. Васильев, А.Ю. Серов, Ю.А. Степанов, У.В.»
  92. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 05;11;12 Моделирование влияния радиуса иглы на чувствительность атомно-силового микроскопа © А.В. Покропивный1, В.В. Покропивный2, В.В. Скороход2 1 Московский физико-технический институт, 141700 Москва,»
  93. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 11 01;05;11 Энергобаланс в системе игла–образец туннельного микроскопа в режиме модификации поверхности © И.А. Дорофеев Институт физики микроструктур РАН, 603600 Нижний Новгород, Россия (Поступило в»
  94. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 4 01;08;12 Ультразвуковой двигатель на волнах в пластинах © А.Б. Надточий, А.М. Горб, О.А. Коротченков Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, 03022 Киев, Украина e-mail: nadt@gala.net»
  95. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1 Латеральный электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек © В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, В.А. Рогозин, В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров,»
  96. «Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 1 Спонтанная спиновая поляризация электронов в квантовых проволоках © И.А. Шелых+, Н.Т. Баграев¶, В.К. Иванов+, Л.Е. Клячкин Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,»
  97. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 8 05;12 Температурная зависимость откольной прочности и эффект аномальных температур плавления при ударно-волновом нагружении © Ю.В. Петров, Е.В. Ситникова Санкт-Петербургский государственный университет»
  98. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 5 01;05 Энергетический подход к определению уровня мгновенной поврежденности © А.В. Каштанов, Ю.В. Петров Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия e-mail:»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs / AlSb с квантовыми ямами ¶ © В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко , А.В. Иконников, Ю.Г. Садофьев , J.P. Bird , S.R.»
  100. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 2 06;07;11;12 Использование эффекта взаимодействия пленок серебра и триселенида мышьяка для профилирования голограммных дифракционных решеток © Н.В. Сопинский, П.Ф. Романенко, И.З. Индутный Институт»

Pages:     | 1 |   ...   | 58 | 59 || 61 | 62 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.