WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Книги (разное)

[5601-5700]

Pages:     | 1 |   ...   | 55 | 56 || 58 | 59 |   ...   | 114 |

    Предоставлены книги (разное) для свободного прочтения.

  1. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 5 02;03 Газодинамические параметры сверхзвукового молекулярного пучка, обогащенного молекулами фуллерена © М.А. Ходорковский, С.В. Мурашов, Т.О. Артамонова, Ю.А. Голод, А.Л. Шахмин, В.Л. Варенцов, Л.П.»
  2. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 6 01;03 Модель ударного запуска клиновидного сопла с учетом отрыва течения © В.Г. Масленников, В.А. Сахаров Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в»
  3. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 02;05;10;11 Ионизация и фрагментация кластеров, распыленных с поверхности металла ускоренными ионами © И.А. Войцеховский, М.В. Медведева, В.Х. Ферлегер Институт электроники им. У.А. Арифова АН»
  4. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 5 01;02;05;10;11 Новый модельный потенциал взаимодействия для описания движения заряженных частиц в веществе © Е.Г. Шейкин Научно-исследовательское предприятие гиперзвуковых систем, 196066»
  5. «Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 3 02;12 Моделирование охлаждения атомарного водорода при его адиабатическом расширении в магнитной ловушке 1 © В.Ф. Ежов,1 Е.К. Израилов,2 Г.Б. Крыгин,1 М.М. Нестеров,3 В.Л. Рябов 1 Санкт-Петербургский»
  6. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 10 01 Динамика маятника с квазипериодическим возбуждением © А.Д. Грищенко, Д.М. Ваврив Институт радиоастрономии НАН Украины, 310002 Харьков, Украина (Поступило в Редакцию 25 марта 1996 г. В окончательной»
  7. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 9 01;07 Новый метод решения задач переноса излучения в излучающих, поглощающих и рассеивающих средах © В.С. Юферев, М.Г. Васильев, Л.Б. Проэкт Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021»
  8. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 5 Обзор 02;12 Перспективы развития промышленных методов производства фуллеренов © А.А. Богданов,1 Д. Дайнингер,2 Г.А. Дюжев1 1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург,»
  9. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 3 01;02 Сечения одно- и двукратной ионизации атомов гелия ударом быстрого высокозарядного иона © А.Б. Войткив Институт электроники АН Узбекистана, 700143 Ташкент, Узбекистан (Поступило в Редакцию 5 июня»
  10. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 03;04 Предельный ток многоострийного коронного разряда © Б.А. Козлов, В.И. Соловьев Рязанская государственная радиотехническая академия, 390005 Рязань, Россия e-mail: kozlov.qe@post.rzn.ru (Поступило в»
  11. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 8 01;03 О магнитных свойствах электронов в металл-аммиачных растворах © В.К. Мухоморов Агрофизический научно-исследовательский институт, 195220 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 19 марта 1996 г.»
  12. «Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Фазовые переходы в малых частицах, формирующихся на начальных стадиях электрокристаллизации металлов © А.А. Викарчук, И.С. Ясников Тольяттинский государственный университет, 445667 Тольятти, Россия E-mail:»
  13. «ВлияниеВлияниеВлияние кратковременных высокотемпературных отжигов на фотолюминесценцию... слоя. Оценка концентрации носителей, полученная из интенсивности фононных линий симметрии E2 и A1(LO) положения линии A1(LO) = 740 см-1, дает величину и»
  14. «Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. 1 Магниточувствительные транзисторы Обзор © И.М. Викулин, Л.Ф. Викулина, В.И. Стафеев Академия связи Украины, 65021 Одесса, Украина (Получен 30 мая 2000 г. Принят к печати 1 июня 2000 г.)»
  15. «ИсторияИсторияИсторияИсторияИсторияИсторияИсторияИсторияИстория и будущее полупроводниковых гетероструктур [5601-5700] W. Shokley. US Patent 2569347, September 25 (1951). of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures [5601-5700] А.И. Губанов. ЖТФ, 20, 1287»
  16. «ЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегированиеЛегирование эпитаксиальных слоев и»
  17. «ПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковаяПрыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в PbTe... Из R > 0 следует 1 < 23. Более того, согласно Быстрое падение коэффициента Холла с»
  18. «ТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеорияТеория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках [5601-5700] C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45 (9), 1228 [5601-5700] C.L. Tang, H. Statz, G. deMars. J.»
  19. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Электрическое поглощение биметаллической цилиндрической частицы © Э.В. Завитаев Московский государственный университет леса, 141005 Мытищи, Московская обл., Россия E-mail: zav.mgul@rambler.ru (Поступила в»
  20. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 01;03;12 Модель динамики давления в вакуумной системе при вакуумировании летучей жидкости © Р.А. Невшупа, Л.С. Синев Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, 105005 Москва,»
  21. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 6 01;03;04 Индукционная цилиндрическая МГД машина в режиме идеального источника давления © Ю.А. Половко, Е.П. Романова, Э.А. Тропп Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург,»
  22. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 2 02;04;07 Сечение возбуждения атома серебра электронным ударом © Ю.М. Смирнов Московский энергетический институт, 111250 Москва, Россия (Поступило в Редакцию 20 октября 1997 г.) Методом протяженных»
  23. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 04 Исследование холловского МГД канала, работающего на ионизационно неустойчивой плазме инертных газов © Р.В. Васильева, Е.А. Дьяконова, А.В. Ерофеев, А.Д. Зуев, Т.А. Лапушкина, А.А. Мархоток»
  24. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 4 01;03;05 Термодинамически неустойчивые состояния в эвтектических системах © Е.В. Калашников Институт проблем машиноведения РАН, 199178 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 18 ноября 1995 г.)»
  25. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 10 01;02 Особенности процесса тормозного излучения при столкновениях с атомом водорода в возбужденном состоянии © А.В. Король, О.И. Оболенский, А.В. Соловьев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  26. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Свойства слоев GaSb : Mn, полученных осаждением из лазерной плазмы ¶ + + © Ю.А. Данилов , Е.С. Демидов, Ю.Н. Дроздов , В.П. Лесников , В.В. Подольский Нижегородский государственный университет»
  27. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 9 01;03 Неустойчивость заряженного слоя вязкой жидкости на поверхности твердого сферического ядра © А.И. Григорьев, В.А. Коромыслов, С.О. Ширяева Ярославский государственный университет, 150000 Ярославль,»
  28. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 01;03 Дифракция двухударной конфигурации отражения на выпуклой цилиндрической поверхности © М.К. Березкина, И.В. Красовская, Д.Х. Офенгейм Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021»
  29. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 10 01 Вариационный подход к трехмерным обратным задачам теории потенциала © Э.Л. Амромин, В.А. Бушковский Центральный научно-исследовательский институт им. А.Н. Крылова, 196158 Санкт-Петербург, Россия»
  30. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 2 01;02 Потери энергии релятивистских многозарядных ионов в электронной плазме © В.И. Матвеев1, С.Г. Толманов2 1 Научно-исследовательский институт прикладной физики Ташкентского государственного»
  31. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 3 01;02 Ионизация атома водорода релятивистскими частицами в столкновениях с малой передачей импульса © А.В. Войткив,1 И.А. Войцеховский,1 Н. Грюн,2 В. Шайд2 1 Институт электроники им. У.А. Арихова,»
  32. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода © Э.А. Штейнман Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия E-mail:»
  33. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Термостимулированные токи и неустойчивости фотоотклика в сплавах на основе PbTe(In) при низких температурах © Б.А. Акимов, В.А. Богоявленский, Л.И. Рябова, В.Н. Васильков, Е.И. Слынько Московский»
  34. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 5 01;02;07 Лазерно-индуцированный перенос атомов из области освещения в газах © А.М. Бонч-Бруевич, Т.А. Вартанян, С.Г. Пржибельский, В.В. Хромов Всероссийский научный центр ”ГОИ им. С.И. Вавилова”, 199034»
  35. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 5 02 Неупругие процессы при столкновении быстрых многозарядных ионов с молекулой водорода © В.И. Матвеев, В.А. Паздзерский, Х.Ю. Рахимов Отдел теплофизики АН Узбекистана, 700135 Ташкент, Узбекистан»
  36. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 10 01;03 Нелинейные капиллярно-гравитационные периодические волны на заряженной поверхности вязкой жидкости конечной глубины © А.В. Климов, Д.Ф. Белоножко, А.И. Григорьев Ярославский государственный»
  37. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Эффективность электролюминесценции кремниевых диодов © М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  38. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 01;02;10 Переходное излучение заряда в средах с неоднородным потенциалом © В.Л. Фалько1, С.И. Ханкина1, В.М. Яковенко1, И.В. Яковенко2 1 Институт радиофизики и электроники АН Украины, 310085 Харьков,»
  39. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 5 01;02 Температурная зависимость прилипания электронов к молекулам хлора © А.П. Головицкий Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в»
  40. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Диффузионные параметры азота в ионно-имплантированных монокристаллах вольфрама © О.Б. Боднарь, И.М. Аристова, А.А. Мазилкин, Л.Н. Пронина, А.Н. Чайка, П.Ю. Попов Московская государственная академия»
  41. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 12 01;02 Геометрические резонансы формы в многоцентровых системах с симметрией икосаэдра. Управляемая молекулярная ловушка для электронов © Ю.Ф. Мигаль, В.С. Ковалева Донской государственный технический»
  42. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 5 01;02;03;04;09 Вычисление констант скоростей реакций диссоциативной и тройной рекомбинации ионов аргона на основе результатов баллистических экспериментов © Н.Н. Пилюгин Научно-исследовательский институт»
  43. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 2 02;12 О хемоионизации молекул галогеноводородов при столкновении с метастабильными атомами гелия © Г.В. Клементьев, В.А. Картошкин, В.Д. Мельников Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021»
  44. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Влияние параметров процесса МОГФЭ на свойства эпитаксиальных пленок GaInAsN © В.М. Данильцев¶, Д.М. Гапонова, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, Д.А. Пряхин, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин»
  45. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs2 © В.Н. Брудный¶, Т.В. Ведерникова Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия (Получена 22 марта 2006 г. Принята к печати 7»
  46. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 7 01;02 О спектральном и угловом распределении медленных электронов, испускаемых атомами водорода при столкновениях с быстрыми высокозарядными ионами © А.Б. Войткив Институт электроники АН Узбекистана,»
  47. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 8 03 Особенности взаимодействия магнитной жидкости, имеющей микрокапельную структуру, с переменным магнитным полем © Д.В. Гладких, Ю.И. Диканский Ставропольский государственный университет, 355009»
  48. «Физика твердого тела, 2007, том 49, вып. 1 Оствальдовское созревание в условиях смешанного типа диффузии © Р.Д. Венгренович, А.В. Москалюк, С.В. Ярема Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина (Поступила в»
  49. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Влияние энергетического транспорта электронов путем излучения оптических фононов на суперлюминесценцию и обратимое просветление тонкого слоя GaAs, возбуждаемого мощным пикосекундным импульсом света»
  50. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1 Излучение, связанное с протяженными дефектами в эпитаксиальных слоях ZnTe/GaAs и многослойных структурах © Е.Ф. Венгер, Ю.Г. Садофьев, Г.Н. Семенова¶, Н.Е. Корсунская, В.П. Кладько, М.П. Семцив,»
  51. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 4 02;10 Упругое рассеяние медленных электронов атомами кальция в интервал углов, зависящий от энергии столкновения © Е.Ю. Ремета, О.Б. Шпеник, Ю.Ю. Билак Институт электронной физики НАН Украины, 88000»
  52. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 4 02;03;04;07 Влияние молекулярного азота на подвижность электронов в смеси аргона и оптически возбужденных паров натрия © Н.А. Горбунов, А.С. Мельников Научно-исследовательский институт физики»
  53. «ПолтораковПолтораковПолтораков А.Ю. Политико-структурное измерение «глокальной» безопасности Проблемы «глокальной» безопасности необходимо рассматривать полнее, акцентируя внимание на узловых проблемах – осуществить «институционнопроблемный»
  54. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Структурные и фотолюминесцентные свойства гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире © С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров, Ю.Н. Дроздов , З.Ф. Красильник , Л.В. Красильникова , М.В. Степихова ,»
  55. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 01;02 Тройная рекомбинация электронов и ионов в присутствии двухуровневых атомов © А.Н. Ткачев, С.И. Яковленко Институт общей физики РАН, 117942 Москва, Россия (Поступило в Редакцию 20 августа 1996 г.) В»
  56. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 4 01;02;05;11 Влияние ширины зоны проводимости субстрата на электронное состояние адатома © С.Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию»
  57. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 8 01;02 Возбужденный водородоподобный атом в сильном низкочастотном электромагнитном поле © О.Б. Препелица Институт прикладной физики АН Молдавии, 277028 Кишинев, Молдавия (Поступило в Редакцию 22 мая»
  58. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 04;07;12 Приэлектродные области термоэмиссионного преобразователя энергии лазерного излучения в электрическую энергию с легкоионизиpуемой добавкой © В.А. Жеребцов Государственный научный центр»
  59. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 1 02;04;07;12 Наблюдение циркулярного дихроизма ансамбля триплетных метастабильных атомов гелия в Na–He газоразрядной плазме при лазерной оптической ориентации атомов натрия © С.П. Дмитриев, Н.А.»
  60. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 10 01;11 Расчет пробегов тяжелых ионов низких энергий в аморфной среде © Е.Г. Шейкин Научно-исследовательское предприятие гиперзвуковых систем, 196066 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 21»
  61. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 12 01;04 К теории зонда в сильноионизованной плазме высокого давления © Ф.Г. Бакшт, А.Б. Рыбаков Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 22 июля»
  62. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 01;02;03 Математический анализ движения ионов в газе в знакопеременном периодическом несимметричном по полярности электрическом поле © И.А. Буряков Конструкторско-технологический институт»
  63. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 5 01;03 Нелинейные осцилляции капли, движущейся с постоянной скоростью относительно диэлектрической среды в электростатическом поле © В.А. Коромыслов, А.И. Григорьев, С.О. Ширяева Ярославский»
  64. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 12 02 Фрагментация многоатомных ионов, образующихся при захвате электронов у молекул бутана и изобутана ионами keV-энергий 2 © В.В. Афросимов,1 А.А. Басалаев,1 Е.А. Березовская,2 М.Н. Панов,1 О.В.»
  65. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 01;03 Эволюция формы поверхности деформированного в начальный момент времени пузырька в вязкой жидкости © А.Н. Жаров, А.И. Григорьев, И.Г. Жарова Ярославский государственный университет им. П.Г.»
  66. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 12 03;05;12 Влияние геометрии разрядной камеры на эффективность дугового способа производства фуллеренов. I. Осесимметричный случай © Н.И. Алексеев, Г.А. Дюжев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  67. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 6 02 Электронные переходы и излучение атома при взаимодействии с ультракоротким импульсом электромагнитного поля © В.И. Матвеев Поморский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 163006»
  68. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 9 02 Обдирка быстрых ионов кислорода при столкновениях с атомами легких элементов 2 © А.В. Бакалдин,1 С.А. Воронов,1 С.В. Колдашов,1 В.П. Шевелько 1 Московский государственный инженерно-физический»
  69. «Физика твердого тела, 2004, том 46, вып. 1 Краевая электролюминесценция кремния: гетероструктура аморфный кремний–кристаллический кремний © М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Е.И. Теруков, A. Froitzheim , W. Fuhs Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе»
  70. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 7 01;02 Электромагнитные переходы между ридберговскими состояниями атома водорода. Нарушение дипольных правил отбора в сильном поле © О.Б. Препелица Институт прикладной физики АН Молдавии, 277028»
  71. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 9 02;12 Атомные эффекты при бета-распаде трития © Ю.А. Акулов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Поступило в Редакцию 14 января 1999 г.) Представлены»
  72. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1 Динамика изменения спектров фотолюминесценции образцов CdTe стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов © А.В. Квит, Ю.В. Клевков, С.А. Медведев, В.С. Багаев¶, А.»
  73. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния–кремний © О.В. Александров, Н.Н. Афонин Акционерное общество закрытого типа ”Светлана–Полупроводники”, 191156 Санкт-Петербург, Россия»
  74. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 4 02;12 Ионизация молекул азота, кислорода, воды и двуокиси углерода электронным ударом вблизи порога © А.Н. Завилопуло, Ф.Ф. Чипев, О.Б. Шпеник Институт электронной физики НАН Украины, 88017 Ужгород,»
  75. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 8 04 Расчет тока электронного пучка в вакуумном диоде с кромочным магнитоизолированным катодом © А.В. Громов, Н.Ф. Ковалев Институт прикладной физики РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия e-mail:»
  76. «Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 1 Эффект Фано в спектрах магнитопоглощения арсенида галлия © Д.В. Василенко, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург,»
  77. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 11 05;08;12 Генерация предвестника импульса давления в материалах, обладающих кластерной структурой © Б.А. Демидов, В.П. Ефремов, М.В. Ивкин, И.А. Ивонин, В.А. Петров Российский научный центр ”Курчатовский»
  78. «Журнал технической физики, 1998, том 68, № 1 02;07;12 Параметры зондирования молекулярного водорода в атмосфере на наклонных трассах лидаром с YAG : Nd лазером © Г.В. Лактюшкин, В.Е. Привалов, В.Г. Шеманин Балтийский государственный технический»
  79. «Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 1 Сжатие токопроводящей области в собственном полупроводнике, вызванное джоулевым саморазогревом © Ф.Н. Рыбаков, А.В. Мелких¶, А.А. Повзнер Уральский государственный технический университет (УПИ),»
  80. «Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 10 01;02;12 Перезарядка при столкновении тяжелых малозарядных ионов © В.П. Шевелько Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 117924 Москва, Россия e-mail: shev@sci.lebedev.ru (Поступило в Редакцию 15»
  81. «Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 1 Геликон-фононный резонанс в висмуте © В.Г. Скобов, А.С. Чернов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия Московский государственный»
  82. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 10 01;03 Влияние коэффициента испарения на сильную конденсацию одноатомного газа © И.А. Кузнецова, А.А. Юшканов, Ю.И. Яламов Московский педагогический университет, 107005 Москва, Россия (Поступило в»
  83. «настоящей работы.Список литературы [5601-5700] Aronowitz L. // IEEE Trans. on Electromagn. Compability.Vol. EMC-10. 1968. N 4. P. 341–346.[5601-5700] Потапов Г.П. // Известия вузов, Авиационная техника. № 4.1978. С. 112–117.[5601-5700] Ватажин А.Б., Грабовский В.И., Лихтер»
  84. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 7 01;02;05 Рассеяние позитронов на фононах в металле © Д.А. Грязных Российский федеральный ядерный центр, Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е.И. Забабахина,»
  85. «Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 1 Фотолюминесценция нанокристаллического кремния, полученного методом имплантации ионов инертных газов © А.А. Ежевский, М.Ю. Лебедев, С.В. Морозов Нижегородский государственный университет им. Н.И.»
  86. «Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. 9 01;02 Физика атомных столкновений в ретроспективе © Дж. Мэйсек Университет Теннесси, TN 379960-1501 Ноксвилл Ок-Риджская национальная лаборатория, TN 37831 Ок-Ридж (Поступило в Редакцию 14 января 1999»
  87. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 7 01;04;12 Самосогласованная структура разряда постоянного тока с замкнутым холловским дрейфом в скрещенных полях 1 © А.А. Платонов,1 А.Г. Слышов,1 Л.Д. Цендин,2 С.Д. Вагнер 1 Карельский государственный»
  88. «Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1 Влияние электронного (зарядового) состояния E-ловушек на эффективность их накопления в n-GaAs при облучении ¶ © В.Н. Брудный , В.В. Пешев Сибирский физико-технический институт им. В.Д.»
  89. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 9 01;02 Многоэлектронная ионизация атомов быстрыми ионами:приближение нормированных экспонент © Т. Киршнер,1 Х. Тавара,2 И.Ю. Толтихина,3 А.Д. Уланцев,4 В.П. Шевелько,3 Т. Штулькер5 1 Институт»
  90. «Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 1 Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge © Г.А. Качурин¶, Л. Реболе, И.Е. Тысченко, В.А. Володин, М. Фёльсков, В. Скорупа, Х. Фрёб† Институт»
  91. «Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 1 Релаксация фотовозбужденного хлорида серебра © В.Г. Клюев¶, Ю.В. Герасименко, Н.И. Коробкина Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия (Получена 27 декабря 2004 г. Принята»
  92. «Журнал технической физики, 1997, том 67, № 5 03;05;12 Роль различных механизмов поляризации в самоорганизации директора тонкого слоя нематического жидкого кристалла © Ю.К. Корниенко, А.П. Федчук Одесский государственный университет им.»
  93. «Журнал технической физики, 2004, том 74, вып. 3 06;11;12 Особенности наноструктуры и удельной проводимости тонких пленок различных металлов 2 © И.В. Антонец,1 Л.Н. Котов,1 С.В. Некипелов,1 Е.А. Голубев 1 Сыктывкарский государственный университет,»
  94. «Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 3 01;02 Упругое рассеяние электрона на отрицательном ионе лития © В.В. Семенихина, В.К. Иванов, К.В. Лапкин Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия»
  95. «Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 1 Высокоразрешающие рентгенодифракционные исследования сверхрешеток InAs–GaAs, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре © Н.Н. Фалеев, В.В. Чалдышев, А.Е. Куницын, В.В.»
  96. «Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 8 02 Упругое рассеяние низкоэнергетических электронов атомами кадмия © Е.Э. Контрош, И.В. Чернышова, О.Б. Шпеник Институт электронной физики НАН Украины, 88000 Ужгород, Украина e-mail:»
  97. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 2 01;03 Об учете аккомодации энергии и вычислении потока тепла в плоском слое двухатомного газа © С.А. Савков, Е.Ю. Тюлькина Орловский государственный университет, 302015 Орел, Россия (Поступило в»
  98. «Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. 3 01;03 К вопросу о влияниии внутреннего тепловыделения на движение нагретой твердой частицы в вязкой жидкости © Н.В. Малай, А.А. Плесканев, Е.Р. Щукин1 Белгородский государственный университет, 308015»
  99. «Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл–квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции ¶ © Н.В. Байдусь, П.Б. Демина, М.В. Дорохин,»
  100. «Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 8 02;10 Локализация и излучение частиц магнитной ловушкой © Ю.Г. Павленко Специализированный учебно-научный центр Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, 121357 Москва, Россия»

Pages:     | 1 |   ...   | 55 | 56 || 58 | 59 |   ...   | 114 |
 



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.