WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

плавно уменьшаются с ростом температуры.В то же время температурные зависимости энергий Задавшись целью дать по возможности полное объяснение темпепереходов между подзонами валентной зоны и зоны проратурной зависимости спектрального состава пробойного излучения, нужно было бы рассчитать зависимость от температуры матричных водимости, предположительно играющих важную роль элементов соответствующих межзонных переходов под действием Решение системы уравнений методом эмпирического псевдопотен- приложенного электрического поля. Они строятся на „истинных“ циала для всех политипов при разных температурах дает две группы псевдоволновых функциях Блоха, являющихся собственными вектоуровней, разделенных запрещенной зоной. При этом уровни валентных рами системы уравнений метода эмпирического псевдопотенциала, зон повышаются, а уровни зон проводимости понижаются с ростом решаемой для каждой конкретной температуры (см. разд. 3). Предтемпературы. варительные оценки показали, что такая зависимость исчезающе мала.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Температурная зависимость зонной структуры политипов 3C, 2H, 4H и 6H карбида кремния [12] P.B. Allen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 23, 1495 (1981).

[13] P.B. Allen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 27, 4760 (1983).

[14] P. Lautenschlager, P.B. Allen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 31, 2163 (1985).

[15] A. Zywietz, K. Karch, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 54, (1996).

[16] H.-G. Junginger, W. Haeringen. Phys. St. Sol., 37, 709 (1970).

[17] J.F. Vetelino, S.P. Gour, S.S. Mitra. Phys. Rev. B, 5, (1972).

[18] P. Kackell, B. Wenzien, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 50, 10 (1994).

[19] Physics of group IV elements and III–V compounds of Landolt-Bornstein numerical data and functional relationships in science and technology, New Series, Group III, vol. 17a, ed. by O. Modelung, M. Schultz and H. Weiss (N. Y., Springer, 1982).

[20] M. Rohlung, P. Kruger, J. Pollmann. Phys. Rev. B, 48, 17 (1993).

[21] I.N. Remediakis, E. Kaxiras. Phys. Rev. B, 59, 5536 (1999).

[22] C.H. Park, B.-Ho Cheong, K.-Ho Lee, K.J. Chang. Phys.

Rev. B, 49, 4485 (1994).

[23] Y. Fujino, H. Sato, N. Otsuka. B кн.: Materials problem solving with transmission electron microscope, ed. by L.W. Hobbs, K.W. Westmacott, D.B. Williams (Pittsburgh, Materials Research Society, 1986) [MRS Symp. Proc., 62, 349 (1986)].

[24] V.I. Gavrilenko, A.V. Postnikov, N.I. Klyui, V.G. Litovchenko.

Phys. St. Sol. B, 162, 477 (1990).

[25] W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev., 105, 1721 (1957).

[26] А.М. Генкин, В.Н. Родионов. ФТП, 13, 789 (1979).

[27] М.В. Белоус, А.М. Генкин, В.К. Генкина. ФТП, 33, (1999).

Редактор Л.В. Шаронова Temperature dependence of the band structure of 3C, 2H, 4H and 6H polytypes of SiC S.M. Zubkova, L.N. Rusina, E.V. Smelyansky Frantzevich Insitute for Problems of Material Science, National Academy of Sciences of Ukraine, 03680 Kiev, Ukraine National Technical University of Ukraine Kiev Polytechnical Institute“, ” 03056 Kiev, Ukraine Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.