WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

концентрации в приконтактных областях и в центре элемента N1/N2, а во втором — отношение диффузионных Для кривых 2 на рис. 3 наилучшее согласие додлин в приконтактных областях и в центре элемента. стигалось при размерах приконтактных областей 15.Кроме того, в обоих случаях варьировались размеры и 21.5 мкм и отношении N1/N2 = 23. Для кривых 3 соФизика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 246 П.С. Вергелес, В.В. Крапухин, Е.Б. Якимов ответственно при размерах приконтактных областей 10 Список литературы и 16 мкм диффузионные длины составляют L1 = 2мкм [1] H.J. Leamy. J. Appl. Phes., 53, R51 (1982).

и L2 = 8 мкм. Видно, что экспериментальные профили [2] Е.Б. Якимов. Зав. лаб., 68, 63 (2002).

лучше описываются в предположении неоднородного [3] О.В. Смолин, Е.В. Сусов, Е.Б. Якимов. Изв. РАН. Сер. физ., распределения доноров. На рис. 4 представлены те же 64 (4), 466 (2005).

профили для U =+50 мВ, рассчитанные при одинаковой [4] О.В. Смолин, Е.В. Сусов, Е.Б. Якимов. Прикл. физика, скорости генерации. Для сравнения на этом же рисунке №2, 54 (2005).

представлен профиль, рассчитанный для однородного [5] O.V. Smolin, E.V. Susov, E.B. Yakimov. Proc. SPIE, 5834, образца (кривая 3). Видно, что профили, рассчитанные в (2005).

[6] R. Kumar, S. Gupta, V. Gopal, K.C. Chhabra. Infr. Phys., 31, разных приближениях, различаются не только формой, 101 (1991).

но и величиной сигнала.

[7] A.N. Ishaque, J.W. Howard, M. Becker, R.C. Block. J. Appl.

Поскольку интеграл от профиля сигнала НТ соответPhys., 69, 307 (1991).

ствует фотоотклику элемента при однородном освеще[8] E.P.G. Smith, C.A. Musca, L. Faraone. Infr. Phys. Technol., 41, нии, было проведено интегрирование рассчитанных про175 (2000).

филей и получено, что при неоднородном распределении [9] J.L. Elkind. J. Vac. Sci. Technol., 10, 1460 (1992).

доноров наилучшее описание экспериментального про- [10] E. Belas, R. Grill, J. Franc, A.L. Toth, P. Hoschl, H. Sitter, филя соответствует уменьшению фотоотклика примерно P. Moravec. J. Cryst. Growth, 159, 1117 (1996).

в 1.6 раза, а при неоднородном распределении диффузиРедактор Л.В. Шаронова онной длины в 2.5 раза. Поскольку сигнал на неоднородном элементе был примерно в 1.5 раза меньше, чем EBIC investigation of photosensitive для однородного, такие оценки также подтверждают, что resistive elements based on HgCdTe предположение о неоднородном распределении доноров позволяет лучше описать полученные результаты. Из P.S. Vergeles, B.V. Krapukhin, E.B. Yakimov приведенных выше данных видно, что, хотя оба механизInstitute for Microelectronics Technology ма могут вносить вклад в уменьшение чувствительности and High Purity Materials, исследуемого элемента, наибольшее влияние на его Russian Academy of Scienes характеристики оказывает повышение концентрации в 142432 Chernogolovka, Russia приконтактных областях. Известно [9,10], что междоуз JSC Moscow Plant“ Sapphire, лия ртути в кристаллах HgCdTe являются донорами, 117545 Moscow, Russia могут диффундировать на заметные расстояния даже при комнатной температуре и легко вводятся, например,

Abstract

Photosensitive resistive elements based on HgCdTe при ионном травлении. В связи с этим повышение with a sensitivity degrading during prolonged operation were концентрации доноров в приконтактных областях может studied by the Electron Beam Induced Current (EBIC) method быть связано с диффузией таких дефектов из подвергнуin the SEM. It was shown that the degradation processes in тых ионному травлению областей под контактами.

such elements were associated with an appearance of regions with decreased sensitivity near contacts. A simulation of EBIC distribution for such inhomogeneous elements was carried out.

5. Заключение It was shown that a comparison of measured and simulated distributions allowed to reveal the most probable reasons for Таким образом, в настоящей работе методом НТ исinhomogeneous sensitivity decrease. A comparison has shown that следованы деградированные фоторезистивные элементы the most probable reason for sensitivity decreasing in the elements на основе КРТ. Выявлено различие в распределении under study was an increase of the donor concentration in nearby чувствительности между элементами с нормальным и contact regions.

пониженным фотооткликом. Сравнение полученных распределений с рассчитанными поволило показать, что основной причиной возникновения неоднородности фотоэлектрических свойств в деградированных элементах является повышение концентрации доноров в приконтактных областях, а также оценить концентрацию избыточных доноров и размер области, в который это повышение произошло.

Авторы выражают благодарность Н.М. Акимовой за любезно предоставленные образцы для исследований и Н.А. Ярыкину за плодотворное обсуждение полученных результатов.

Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.