WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN © В.И. Гавриленко+¶, Е.В. Демидов+, К.В. Маремьянин+, С.В. Морозов+, W. Knap, J. Lusakowski + Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия Group d’Etude de Semiconducteurs, CNRS — Universit Montpellier 2 Place E. Bataillon 34950 Montpellier, France (Получена 27 июня 2006 г. Принята к печати 4 июля 2006 г.) Исследованы электронный транспорт и фотоотклик в терагерцовом диапазоне в полевом транзисторе GaN/AlGaN с субмикрометровым затвором (0.25 мкм) с двумерным электронным газом в канале (концентрация электронов ns 5 · 1012 см-2) при 4.2 K. Подвижность носителей заряда в канале транзистора определялась по зависимости проводимости от магнитного поля и составила µ 3500 см2/В · с. Обнаружено, что зависимость фотоэдс на частоте излучения f = 574 ГГц от напряжения на затворе (т. е. от концентрации двумерных электронов) имеет характерный максимум, что связывается с резонансным откликом в подзатворной плазме транзистора.

PACS: 61.82.Fk, 68.65.Fg, 71.10.Ca 1. Введение полевого транзистора GaAs/AlGaAs [2,3,8,9] и полевого транзистора с двойной квантовой ямой и решетчатым Терагерцовому диапазону (0.3-10 ТГц) соответству- затвором [4].

ют частоты многих возбуждений в конденсированных Дисперсионное соотношение для поверхностных плазсредах, таких как фононы, переходы с участием мелких менных волн в случае, когда толщина оксидного слоя примесей, циклотронный и парамагнитный резонансы, между каналом и затвором d мала по сравнению с вращательные и колебательные возбуждения в жидкодлиной волны плазменных волн, дается следующим стях, а также газах и биологических объектах. Значисоотношением [10]:

тельный интерес представляет использование терагерцовых методов для неразрушающего контроля и визуnse2d ализации в медицине, при мониторинге окружающей p = sk, s =, (1) mсреды, в пищевой индустрии, борьбе с терроризмом [1].

На сегодняшний день для детектирования терагерцового где p — частота, s — скорость плазменных волн, k — излучения в основном применяются широкополосные волновое число, ns — концентрация электронов, m — приемники излучения. Использование же селективных эффективная масса, 0 — величина диэлектрической и перестраиваемых детекторов при спектральном анапроницаемости оксидного слоя, e — заряд электрона.

лизе позволяет отказаться от дифракционных решеток Концентрация электронов ns в первом приближении или механически перестраиваемых интерферометров.

описывается простой формулой плоского конденсатора Таким селективным детектором может быть полевой ns = CU0/e. Здесь C — емкость между затвором и канатранзистор с двумерным электронным газом в канале, лом на единицу поверхности, U0 = Ugs - Ids Rs - Uth — перестраиваемый приложенным к затвору напряжением.

разность между напряжением на затворе Ugs, напряРезонансное и нерезонансное детектирование в полевых транзисторах с двумерным электронным газом наблюда- жением, падающем на контактном сопротивлении Rs лось в работах [2–5]. В обычном режиме работы верхняя (Ids — ток в канале транзистора), и напряжением отсечпредельная частота полевого транзистора ограничена ки транзистора Uth. В этом случае скорость плазменных обратным временем пролета. Использование плазмен- волн определяется следующим выражением:

ных эффектов позволяет повысить рабочую частоту субмикрометровых полевых транзисторов вплоть до тераe s = (Ugs - IdsRs - Uth). (2) герцового диапазона частот [6,7], поскольку характерные m скорости плазменных волн могут составлять 108 см/с, что существенно выше дрейфовой скорости электроРезонансная частота плазменных колебаний в подна в канале транзистора. Резонансное детектирование затворном двумерном электронном газе определяется терагерцового излучения уже реализовано для двух длиной затвора L и скоростью плазменных волн s.

типов полевых транзисторов: коммерчески доступного s ¶ r =. (3) E-mail: gavr@ipm.sci-nnov.ru 2L Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом... При больших U0 справедливо следующее простое выра- проводились измерения магнитосопротивления транзижение для резонансной частоты: стора и зависимости тока исток–сток от напряжения на затворе (переходная характеристика).

r 1 e 1 e f = = U0 = (Ugs - Ids Rs - Uth).

r 2 4L m 4L m 3. Результаты и обсуждение (4) Резонансная частота максимальна для нулевого напряТипичная зависимость тока исток–сток Ids транзистожения на затворе и уменьшается до нуля по мере ра от напряжения на затворе, измеренная при темпераприближения Ugs к напряжениюотсечки Uth.

туре T = 4.2 K, показана на рис. 1. Видно, что транзиОдним из основных факторов, определяющих возможстор закрывается при напряжении отсечки Uth = -3.5В.

ность резонансного детектирования, является частота При закрытии транзистора Ids уменьшается не до нуля, столкновений электронов, которая фактически задает что свидетельствует о наличии „паразитного“ канала нижнюю граничную частоту, на которой транзистор проводимости в структуре. Для оценки подвижности изможет работать как резонансный приемник. В настоящей мерялась зависимость проводимости транзистора 1/R от работе исследовалась возможность резонансного детекпоперечного магнитного поля H (рис. 2). Подвижность тирования терагерцового излучения в субмикрометроµ может быть оценена исходя из условия µH1/2/c = 1, вых полевых транзисторах, изготовленных из селективгде H1/2 — поле, при котором проводимость в канале но легированной гетероструктуры GaN/AlGaN, при темтранзистора уменьшается в 2 раза. Аппроксимация изпературе T = 4.2 K. Для определения параметров электронного газа были выполнены измерения транспортных и магнитотранспортных характеристик образцов.

2. Эксперимент Исследуемые транзисторы изготавливались из выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктуры GaN/AlGaN с высокой подвижностью двумерного электронного газа. В работе представлены результаты измерений для транзисторов с длиной затвора L = 0.25 мкм, ширина канала составляла 30 мкм.

Кристалл с транзисторами монтировался на держателе для микросхем, который затем вставлялся в ответный модуль, расположенный в световодной вставке в транспортный гелиевый дьюар СТГ-40, все измерения проводились при T = 4.2 K. Контактные площадки транзистоРис. 1. Переходная характеристика транзистора при ров золотыми проволочками соединялсь с лепестками T = 4.2K.

держателя. Эти же контактные площадки вместе с подводящими металлическими полосками играли роль приемной антенны для терагерцового излучения. В качестве источника излучения использовалась лампа обратной волны (ЛОВ) ОВ-74. По световоду, изготовленному из полированной трубки из нержавеющей стали, излучение заводилось в транспортный гелиевый дьюар и фокусировалось с помощью полированного латунного конуса на кристалле с транзисторами. Измерения проводились при постоянной частоте излучения f и амплитудной модуляции с частотой 200 Гц. Измерялась величина фотопроводимости в цепи исток–сток при развертке прикладываемого к затвору отрицательного постоянного напряжения относительно истока Ugs. Использовалась стандартная схема синхронного детектирования сигнала.

Сигнал с выхода синхронного детектора и напряжение на затворе оцифровывались с помощью аналогоРис. 2. Зависимость проводимости транзистора от магнитного цифрового преобразователя и записывались в память поля при нулевом напряжении на затворе (данные измерения персональной ЭВМ. Для характеризации транзисторов и аппроксимация).

Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 240 В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, W. Knap, J. Lusakowski отрицательном смещении (кривая 2) сигнал при положительном смещении (кривая 1), получаем сигнал фотоэдс в зависимости от напряжения на затворе (рис. 3, b).

Непосредственно величину фотоэдс при нулевом токе в канале измерить не удалось вследствие последовавшего пробоя. Измерения проводились при частоте излучения f = 574 ГГц. Наблюдаемой величине напряжения отсечки Uth = -3.5 В отвечает в соответствии с формулой (4) при нулевом напряжении на затворе резонансная частота f = 1.5 ТГц, и она должна уменьшаться до нуля при r изменении Ugs от нуля до -3.5 В. Как видно из рис. 3, b, при напряжении на затворе Ugs = -3В наблюдается максимум фотоэдс. Резонансная частота плазменных колебаний в подзатворной электронной плазме для данного напряжения на затворе составляет в соответствии с формулой (4) f = 576 ГГц, т. е. практически совпадает r с частотой излучения, на которой проводились измерения. Определенному из магнетотранспортных измерений значению подвижности соответствует на этой частоте значение параметра r = 1.81. Это позволяет предположить, что данная особенность фотоотклика связана с резонансом в подзатворной плазме транзистора.

Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ (№ 05-02-17374), РФФИ-CNRS (№ 05-02-22001) и Российской академии наук.

Рис. 3. a — зависимость фотоотклика транзистора от напря- Список литературы жения на затворе при положительном (1) и отрицательном (2) направлении тока сток–исток. b — результат вычитания кри- [1] B. Ferguson, X.-C. Zhang. Nature Mater., 1 (1), 26 (2002).

вой 1 из кривой 2 (см. a) после смещения 1 и 2 по шкале [2] W. Knap, Y. Deng, S. Rumyantsev, J.-Q. L, M.S. Shur, напряжений Ugs (3) и переходная характеристика транзисто- C.A. Saylor, L.C. Brunel. Appl. Phys. Lett., 80 (18), ра (4). f = 574 ГГц. (2002).

[3] W. Knap, Y. Deng, S. Rumyantsev, M.S. Shur. Appl. Phys.

Lett., 81 (24), 4637 (2002).

[4] X.G. Peralta, S.J. Allen, M.C. Wanker, N.E. Harff, меренных данных функцией J.A. Simmons, M.P. Lilly, J.L. Reno, P.J. Burke, J.P. Eisenstein.

Appl. Phys. Lett., 81 (9), 1627 (2002).

1 1 2A W (H) = +, [5] W. Knap, V. Kachorovskii, Y. Deng, S. Rumyantsev, J.-Q. L, R R0 4(H - b)2 + W R. Gaska, M.S. Shur, G. Simin, X. Hu, M. Asif Khan, C.A. Saylor, L.C. Brunel. J. Appl. Phys., 91 (11), 9346 (2002).

где 1/R0 = 0.04164 Ом-1, b = -0.22658 кЭ, W = [6] M. Dyakonov, M.S. Shur. Phys. Rev. Lett., 71 (15), = 59.25711 кЭ, A = 5.90864, дает значение H1/2 = 28 кЭ.

(1993).

Тогда оценка дает µ 3570 см2/В · с при Ugs = 0. Это [7] M. Dyakonov, M.S. Shur. IEEE Trans. Electron. Dev., 43, позволяет оценить из условия = 1 нижний предел (1996).

частоты для наблюдения резонансного отклика как [8] F. Teppe, W. Knap, D. Veksler, M.S. Shur, A.P. Dmitriev, 380 ГГц. V.Yu. Kachorovskii, S. Rumyantsev. Appl. Phys. Lett., 87, 052 107 (2005).

На рис. 3, a представлены зависимости фотопрово[9] F. Teppe, D. Veksler, V.Yu. Kachorovski, A.P. Dmitriev, димости транзистора от напряжения на затворе, измеX. Xie, X.-C. Zhang, S. Rumyantsev, W. Knap, M.S. Shur.

ренные при положительном (1) и отрицательном (2) Appl. Phys. Lett., 87, 022 102 (2005).

направлении тока сток–исток. Максимумы (по абсолют[10] A. Eguiluz, T.K. Lee, J.J. Quinn, K.W. Chiu. Phys. Rev. B, 11, ной величине) напряжения отсечки Uth = -3.5В мы свя4989 (1975).

зываем с нерезонансным фотооткликом. Несовпадение экстремальных точек двух кривых связано с тем, что при Редактор Л.В. Шаронова противоположных направлениях тока сток–исток IdsR (см. (4)) имеет разный знак. Смещая кривые 1 и 2 на одинаковую величину соответственно вправо и влево на рис. 3, a и вычитая из сигнала фотопроводимости при Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом... Electron transport and detection of terahertz radiations in GaN/AlGaN submicron field effect transistor V.I. Gavrilenko+, E.V. Demidov+, K.V. Maremyanin+, S.V. Morozov+, W. Knap, J. Lusakowski + Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhniy Novgorod, Russia Groupe d’Etude de Semiconducteurs, CNRS–Universit Montpellier 2 Place E. Bataillon 34950 Montpellier, France

Abstract

Electron transport and photoresponse in the terahertz range in GaN/AlGaN field effect transistor with submicron gate length (L = 0.25 µm) with two-dimensional electron gas in the channel (ns 5 1012 cm-2) has been investigated at T = 4.2 K. Mobility of charge carriers in the transistor channel µ 3500 cm2/V · s has been determined from conductivity versus magnetic field measurements. A characteristic maximum of the photo–e.m.f. versus the gate voltage (i. e. versus the concentration of two-dimensional electrons) has been discovered at the radiation frequency of f = 574 GHz that is related to the resonant response in the subgated electron plasma in the transistor channel.

8 Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.