WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Таким образом, показано, что использование элекКак нам кажется, этот эффект можно объяснить разтролита на основе ортофосфорной кислоты (вместо личной концентрацией носителей в исходном монокриHF) является более оптимальным для получения слоев сталле и в пористом веществе. Действительно, при напористого GaP. Впервые получены свободные пленки личии носителей в полупроводнике образуются плазмопористого GaP и исследована их микроструктура. В фононы, частота которых определяется выражением спектрах комбинационного рассеяния от пористого GaP 2 2 ± = (2 + LO) ± (2 - LO)2 обнаружены эффекты сужения пика LO-колебаний с одp p новременным низкочастотным его сдвигом. Обнаружен 1/2 2 также сдвиг частоты колебания поверхностной моды в + 42(LO - TO) /2, (2) p зависимости от состояния поверхности пор. Показано, что, используя предложенный электролит, принципиальгде p — плазменная частота для носителей с конценно возможно получить пористые слои без заметного трацией N и эффективной массой m. При сравнительно покрытия поверхности пор окислами или другими пронебольших концентрациях носителй частота + немного дуктами электрохимической реакции. Анализ результавыше частоты LO. Если в процессе травления из тов исследования спектров комбинационного рассеяния монокристалла будут удаляться дефекты и примесные и просвечивающей электронной микроскопии показыцентры, то оставшийся кристаллический остов будет иметь меньшую концентрацию носителей по сравнению с вает, что обнаруженные эффекты могут быть удовлеисходным монокристаллом и + будем понижаться. В то творительно объяснены изменением плазмон-фононного же время меньшее число дефектов и отсутствие вклада взаимодействия в результате уменьшения концентрации времени жизни плазмофонона в уширение полосы про- носителей, что согласуется с механизмом электрохимидольного колебания, по-видимому, и объясняют сужение ческого травления, предполагающим удаление дефектов пика LO-колебания. Оценка концентрации носителей в из монокристалла в процессе травления. Микрострукисходном и пористом слое (используя формулу (2) и тура пленок пористого GaP имеет сложную пространзначение LO для исходного монокристалла 403.3 см-1 и ственную структуру, но сохраняет при этом локальную пористой пленки 401.8 см-1) дает значения 3 · 1017 см-3 кристаллографическую ориентацию, присущую исходной и 9.2 · 1016 см-3 соответственно. По паспортным данным подложке.

концентрация носителей для подложки GaP составляла Работа выполнена при частичной поддержке Межот2.75 · 1017 см-3. Проводя сравнение с результатами, ранее полученными для слоев пористого GaP с исполь- раслевой программы ”Физика твердотельных наноструктур” (проекты 1-010 и 1-042), Российского фонда фундазованием электролита на основе HF (для них сужение пика LO-колебаний не наблюдалось), можно заключить, ментальных исследований (гранты 95-02-04510 и 95-02что в случае электролита с ортофосфорной кислотой 04450) и Государственной научно-технической програмкристаллографическое качество пленок выше. мы ”Фундаментальная спектроскопия”.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 240 Т.Н. Заварицкая, В.А. Караванский, А.В. Квит, Н.Н. Мельник Список литературы [1] Y. Kanemitsu. Physics Reports, 263, 1 (1995).

[2] F. Koch, V. Petrova-Koch. In: Porous Silicon, ed. by Z.C. Zeng, R. Tsu (World Scientific, Singapore, 1994) p. 133.

[3] К.Н. Ельцов, В.А. Караванский, В.В. Мартынов. Письма ЖЭТФ, 63, 106 (1996).

[4] А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, А.Н. Образцов, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖЭТФ, 60, 262 (1994).

[5] A. Anneda, A. Sepri, V.A. Karavanskii, I.M. Tiginyanu, V.M. Ichizli. Appl. Phys. Lett., 67, 3316 (1995).

[6] Травление полупроводников: сб. статей (М., Мир, 1965).

[7] Б.Д. Луфт, В.А. Перевощиков, Л.Н. Возмилова, И.А. Свердлин, К.Г. Марин. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников (М., Радио и связь, 1982).

[8] В.С. Днепровский, В.А. Караванский, В.И. Климов, А.П. Маслов. Письма ЖЭТФ, 57, 394 (1993).

[9] A. Mooradian, G.B. Wright. Sol. St. Commun., 4, 431 (1966).

[10] J.B. Valdez, S. Ushioda. Phys. Rev. Lett., 38, 1089 (1977).

[11] Поверхностные поляритоны, под ред. В.М. Аграновича, Л. Милнса (М., Наука, 1985).

Редактор Т.А. Полянская A study of structure of a porous gallium phosphide T.N. Zavaritskaya, V.A. Karavanskii, A.V. Kvit, N.N. Melnik P.N. Lebedev Physics Institute, Russian Academy of Sciences, 117924 Moscow Institute of General Physics, Russian Academy of Sciences, 117924 Moscow Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.