WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

плотности островков Ge(Si)/Si1-xGex приводит к тому, Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ что упругие взаимодействия между pyramid-островками (грант № 05-02-17336-a), программы BRHE (проект Yстановятся существенными при более высоких темпераP-01-05) и программ Российской академии наук.

турах роста, в результате чего и происходит смещение точки изменения морфологии островков Ge(Si)/Si1-x Gex в область более высоких температур. Рост поверхностСписок литературы ной плотности островков при росте на буферных слоях Si1-xGex /Si (001) может быть связан с отмеченной выше [1] D.J. Paul. Semicond. Sci. Technol., 19, R75 (2004).

большей шероховатостью поверхности буферных слоев [2] H.G. Grimmeiss. ФТП, 33 (9), 1032 (1999).

[3] F. Schaffler. Semicond. Sci. Technol., 12, 1515 (1997).

по сравнению с исходными подложками Si (001).

[4] L. Diehl, S. Mentese, E. Muller, D. Grutzmacher, H. Sigg, Еще одной возможной причиной увеличения темпераU. Gennser, I. Sagnes, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Benтуры перехoда dome–hut для островков Ge(Si)/Si1-x Gex sahel, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 81, 4700 (2000).

может являться меньшее рассогласование кристалли[5] А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Нических решеток островка Ge(Si) и релаксированного кифоров. ФТТ, 47 (1), 37 (2005).

буферного слоя Si1-xGex, чем в случае роста остров[6] K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002).

ков Ge(Si)/Si (001) при той же температуре осажде[7] J. Stangl, V. Hol, G. Bauer. Rev. Mod. Phys., 76, 725 (2004).

ния Ge. Рентгенодифракционные исследования структур [8] J.L. Liu, S. Tong, Y.H. Luo, J. Wan, K.L. Wang. Appl. Phys.

c самоформирующимися островками Ge(Si)/Si1-x Gex, Lett., 79, 3431 (2001).

выращенными при Tg = 630C, показали, что среднее [9] M.A. Lutz, R.M. Feenstra, F.K. LeGoues, P.M. Money, содержание Ge в островках оказывается на 10-12% J.O. Chu. Appl. Phys. Lett., 66, 724 (1995).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) [10] A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Semicond. Sci. Technol., 15, 1125 (2000).

[11] Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, О.А. Кузнецов, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.А. Перевозщиков, М.В. Шалеев.

ФТТ, 47 (1), 44 (2005).

[12] K. Sawano, K. Kawaguchi, T. Ueno, S. Koh, K. Nakagawa, Y. Shiraki. Mater. Sci. Eng. B, 89, 406 (2002).

[13] В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников (Н. Новгород, Изд-во ННГУ, 1992) с. 198.

[14] O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl. Phys. Status Solidi B, 215, 319 (1999).

[15] Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский. ФТТ, 46 (1), 63 (2004).

[16] M. Kstner, B. Voigtlnder. Phys. Rev. Lett., 82, 2745 (1999).

[17] F.M. Ross, J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 80, (1998).

[18] J.A. Floro, G.A. Lucadamo, E. Chason, L.B. Freund, M. Sinclair, R.D. Twesten, R.Q. Hwang. Phys. Rev. Lett., 80, 4717 (1998).

[19] Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. Письма ЖЭТФ, 76, 365 (2002).

Редактор Л.В. Шаронова Peculiarities of Ge(Si) islands formation upon Si1-xGex/Si (001) relaxed buffer layers N.V. Vostokov, Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasil’nik, O.A. Kuznetsov, D.N. Lobanov, A.V. Novikov, M.V. Shaleev Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, 603950, GSP-105, Nizhny Novgorod, Russia Physico-Technical Research Institute of N.I. Lobachevsky Nizhniy Novgorod State University, 603950 Nizhny Novgorod, Russia Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.