WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Si inclusions (nc-Si) in thin a-Si : H films were studied by 3. Показано, что после отжига однородных пленок TEM-transmission electron microscopy. The films were obtained a-Si : H при 750C в течение 30 мин наблюдается интенby three methods: plasmochemical deposition, cyclic plasmocheсивная кристаллизация кремния, в результате которой mical deposition with intermediate plasma annealing of 10–20 nm формируется поликристаллическая структура с размеlayers in hydrogen plasma, and by plasmochemical deposition of рами кристаллитов, превышающими один микрометр.

a-Si : H with annealing of 40 nm films in hydrogen plasma. It Отжиг в тех же условиях пленок a-Si : H со слоистой has been shown that after annealing at 750C during 30 min структурой приводит к возрастанию объемной доли nanocrystallite sizes do not exceed the thickness of a single нанокристаллической фазы практически до 100% при layer deposited during one cycle in the films obtained by cyclic незначительном увеличении размеров кристаллитов (до plasmochemical deposition with intermediate plasma annealing in hydrogen plasma while in homogeneous films after annealing in 10–15 нм).

the same conditions crystallite sizes reach 1 µmand more. Some Работа выполнена при финансовой поддержке в форме models explaining observed effects which prove to be true results гранта Министерства образования России по фундаменof hydrogen diffusion profiles calculations in a-Si : H films after тальным исследованиям в области технических наук hydrogen plasma and vacuum annealing are offered.

Т02-02.2-1424.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.