WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

нейтральных слоев ld и la. Они вытекают из условия квазинепрерывности энергетического спектра электронов и тяжелых дырок в потенциальных ямах, соответствующих этим слоям. С уменьшением ld и la энергетические уровИзлучение с

рассматриваемых потенциальных ямах можно считать Иными словами, в предложенной сверхрешетке может квазинепрерывным в случае, когда энергетический зазор достаточно сильно поглощаться дальнее ИК излучение между наинизшим энергетическим уровнем E и дном вплоть до длин волн, равных примерно 50 100 мкм.

соответствующей потенциальной ямы не превышает веВсе эти выводы подтверждают численные расчеты, личину Eg-qVb (ширину эффективной оптической запревыполненные нами по общей формуле (2) для InSb с щенной зоны сверхрешетки). Поскольку la ld lad, то Eg = 0.223 эВ (рис. 2 и 3). На рис. 2 изображена спекв первом приближении потенциальные ямы рассматритральная зависимость коэффициента поглощения в облаваемой сверхрешетки можно считать прямоугольными.

сти сильного поля (толщиной lad) для оптических переТогда, полагая E Eg - qVb, получим, что величины ходов из зоны тяжелых и легких дырок в сверхрешетках la, ld должны приближенно удовлетворять следующим с одной и той же шириной эффективной запрещенной неравенствам:

зоны, но различными плотностями встроенного заряда в -легированных слоях. На рис. 3 изображена спектральld 2mc(Eg - qVb), (5) ная зависимость коэффициента поглощения дальнего ИК излучения, определяющегося оптическими переходами из зоны тяжелых дырок, для сверхрешеток с одной и la 2mhh(Eg - qVb). (6) той же плотностью встроенного заряда в -легированных слоях, но с различной шириной эффективной запре- Легко убедиться, что для = 5 · 1012 см-2 и lad = щенной зоны. Расчеты показывают, что коэффициент в InSb с Eg = 0.223 эВ эти неравенства можно считать поглощения действительно определяется оптическими выполненным при la 42 и ld 233.

переходами электронов из зоны тяжелых дырок в зону Из рис. 1 видно, что в рассматриваемой структуре проводимости и остается достаточно большим вплоть до слои, поглощающие длинноволновое излучение, череду = 25 мкм и даже до = 100 мкм, в зависимости от ются с непоглощающими слоями n- и p-типа проводиФизика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Межзонное поглощение длинноволнового излучения в -легированных сверхрешетках... мости. Поэтому усредненный по периоду сверхрешетки Перспективным представляется также использование коэффициент поглощения равен предложенной сверхрешетки в качестве источника длинноволнового ИК излучения, которое будет генерироватьeff = 2lad/(la + ld + 2lad), (7) ся в ней за счет непрямых в реальном пространстве межзонных отпических переходов при смещении всех обрагде дается (2).

зующих сверхрешетку -легированных p-n-переходов в Выше мы показали, что в рассматриваемой сверхпрямом направлении.

решетке поглощение длинноволнового ИК излучения The research described in this publication was made определяется в основном оптическими переходами из possible in part by Award # RE1-287 of the U.S. Civilian зоны тяжелых дырок. Это обстоятельство позволяет Research & Development Foundation for the Independent значительно сократить толщину p-области, не поглоStates of the Former Soviet Union (CRDF).

щающей длинноволновое излучение. Именно поэтому неравенство (6) представляет собой условие квазинепрерывности энергетического спектра тяжелых дырок, Список литературы в то время как энергетический спектр легких дырок [1] B.F. Levin. J. Appl. Phys., 74, R1 (1993).

в такой потенциальной яме может быть квантованным.

Кроме того, из неравенств (5), (6) и условия mhh mc [2] R. People, J.C. Bean, C.G. Bathea, S.K. Sputz, L.J. Peticolas.

Appl. Phys. Lett., 61, 1122 (1992).

следует, что ld la, т. е. толщина непоглощающей длин[3] Delta-Doping of Semiconductors, ed. by E.F. Schubert новолновое излучение области практически равна ld.

(Cambrige, Cambrige University Press, 1996).

Учитывая это обстоятельство, из (4) и (7) получим, [4] G.H. Dhler. Phys. St. Sol. (b), 52, 79 (1972).

что усредненный по периоду сверхрешетки коэффициент [5] G.H. Dhler. Phys. St. Sol. (b), 52, 553 (1972).

поглощения длинноволнового излучения приближенно [6] D.G. Liu, J.C. Fan, C.P. Lee, K.H. Chang, D.C. Liou. J. Appl.

равен Phys., 73, 608 (1993).

[7] А.И. Никифоров, Б.З. Кантер, С.И. Стенин, С.В. Рубанов.

Поверхность. Физика, химия, механика, вып. 10–11, eff = 31/122(2/3)R E ( -Eg+qVb) 2qEld. (8) (1992).

[8] J.S. Park, R.P.G. Karunasiri, Y.J. Mii, K.L. Wang. Appl. Phys.

Из (8) видно, что эффективный коэффициент поглощеLett., 58, 1083 (1991).

ния ИК излучения в сверхрешетке существенно меньше [9] H.L. Vaghjiani, E.A. Johnson, M.E. Kane, R. Grey, величины. Однако его величина остается достаточно C.C. Phillips. J. Appl. Phys., 76, 4407 (1994).

большой в широком диапазоне длин волн вплоть до [10] E.F. Shubert, A. Fisher, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., 47, 50 100 мкм (рис. 3). Это свойство является не(1985).

сомненным достоинством предложенной сверхрешетки [11] A.M. Glass, E.F. Shubert, B.A. Wilson, C.E. Bonner, J.E. Cunningham, D.H. Olson, W. Jan. Appl. Phys. Lett., 54, для разработки на ее основе фотодетекторов для ИК 2247 (1989).

спектрофотометров.

[12] M. Toivonen, A. Salokatve, M. Hovinen, M. Pessa. Electron.

Lett., 28, 32 (1992).

[13] Yang Wang, K.F. Brennan. SPIE, 1982, 133 (1993).

5. Заключение [14] C.C. Phillips. Appl. Phys. Lett., 56, 151 (1990).

[15] J. Heremans, D.L. Partin, D.T. Morelly, C.M. Thrush, Отметим, что рассматриваемая сверхрешетка будет G. Karczewski, J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 74, 1793 (1993).

обладать большим временем жизни фотоносителей и [16] M.-J. Yang, W.J. Moore, R.J. Wagner, J.R. Waterman, сверхвысокой фоточувствительностью вплоть до дальC.H. Yang, P.E. Thompson, J.L. Davis. J. Appl. Phys., 72, него ИК диапазона. В самом деле, фотоэлектроны и (1992).

фотодырки, образующиеся при поглощении ИК излу[17] P.E. Thompson, J.L. Davis, M.-J. Yang, D.S. Simons, P.H. Chi.

чения в областях между разноименно заряженными J. Appl. Phys., 74, 6686 (1993).

-легированными слоями будут растаскиваться полем в [18] В.В. Осипов, Ф.Л. Серженко, В.Д. Шадрин. ФТП, 23, потенциальные ямы слоев n- и p-типа соответственно, (1989).

анологично тому как это происходит в классических [19] K.C. Hass, D.J. Kirill. J. Appl. Phys., 68, 1923 (1990).

[20] Ф.Л. Серженко, В.Д. Шадрин. ФТП, 25, 1579 (1991).

легированных сверхрешетках [22–25]. Вследствие про[21] Ф.Л. Серженко, В.Д. Шадрин. ФТП, 26, 491 (1992).

странственного разделения фотоносителей их время жиз[22] Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов, В.А. Холоднов. ФТП, 14, ни может на несколько порядков превосходить объемное (1980).

время жизни в полупроводниках n- и p-типа проводимо[23] Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 14, 1186 (1980).

сти. Оценки показывают, что эффективное время жизни [24] Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. Микроэлектроника, 9, в рассматриваемой сверхрешетке на основе InSb может (1980).

быть порядка 100 мкс, и поэтому использование рассма[25] Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 15, 1068 (1981).

триваемой сверхрешетки в качестве фоточувствитель[26] C. Martijn de Sterke. J. Appl. Phys., 64, 3187 (1988).

ного элемента фокальной ИК матрицы представляется [27] P.P. Ruden, C.A. Marttila, T. Werner, J.E. Carroll. J. Appl.

весьма перспективным. Phys., 66, 956 (1989).

7 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 226 В.В. Осипов, А.Ю. Селяков, M. Foygel [28] J. Maserjian, F.J. Grunthaner, C.T. Elliott. Infr. Phys., 30, (1990).

[29] W. Franz. Zs. Naturforsch, 13a, 484 (1958).

[30] Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 34, 1138 (1958).

[31] J. Callaway. Phys. Rev., 130, 549 (1963).

[32] K. Tharmalingam. Phys. Rev., 130, 2204 (1963).

[33] А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978).

[34] Оптические свойства полупроводников, под ред. Р. Уиллардсона и А. Бира (М., Мир, 1970).

Редактор Л.В. Шаронова Interband absorption of longwave radiation in -doped superlattices based on single–crystal wide–gap semiconductors V.V. Osipov, A.Yu. Selyakov, M. Foygel† Russian Science Center ”Orion”, 111123 Moscow, Russia, † South Dakota School of Mines and Technology, Rapid City, SD 57701–3995, USA

Abstract

We propose new superlattice which is formed by a sequence of pairs of closely–spaced donor and acceptor -doped layers in a single–crystal wide–gap nondegenerated semiconductor.

We show that owing to superstrong electric fields arising between these -doped layers the coefficient of longwave electroabsorption is determined by tunneling optical transitions of electrons from the band of heavy holes (in contrast to the case of not so strong fields when electroabsorption is determined by light holes); by this, its value is close to the coefficient of interband absorption and weakly depends on the photon energy up to far infrared region. It is found that in the proposed superlattice on the basis of InSb the absorption coefficient in superstrong fields can exceed 103 cm-1 up to wavelengths 50 100 µm. We emphasize that owing to spatial separation of photogenerated electrons and holes their lifetime and photosensitivity of such superlattice in the region of long waves can take on gigantic values.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.