WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

переходят в ферроупорядоченное состояние, захватывая Данный результат свидетельствует о важной роли механа себя донорный электрон, либо на конкурентной оснонизма резонансного возбуждения внутрицентровой люве образуют области спонтанной намагниченности — минесценции, проявляющегося в образцах, прошедших спин-поляроны, локализованные на мелком доноре.

термообработку при 750C. По-видимому, структурная перестройка, происходящая в процессе высокотемпера- Показано, что одиночные ферроупорядоченные квазитурной термообработки, приводит к более равномерно- молекулы Yb2O3 и спин-поляроны, локализованные на мелких донорах, характеризуются в кристаллах InP(Yb) му распределению примеси в приповерхностном слое большими значениями констант s- f -обмена вследствие образца и тем самым способствует уменьшению числа взаимосвязанности электрон-колебательного взаимодейи размеров областей, в пределах которых могут быть реализованы отмеченные выше условия для образова- ствия и спиновых корреляций и могут рассматриваться как аналоги метастабильных центров с отрицательной ния спин-поляронов [7,8]. В этом случае возрастает корреляционной энергией.

количество КМРЦ, ферроупорядоченных при низких температурах вблизи мелких доноров. Обнаружено, что образование спин-поляронов, локаКак отмечено выше, переход КМРЦ в ферроупоря- лизованных на мелких донорах, определяет фотоэмиссидоченное состояние, сопровождающийся захватом до- онные спектры кристаллов InP(Yb). Показано, что форнорного электрона, приводит к образованию обменно- мирование в запрещенной зоне фосфида индия обменносвязанного уровня ферроупорядоченной квазимолекусвязанного уровня в запрещенной зоне кристалла, значительно более глубокого (Ec-0.18 eV), чем уро- лы Yb2O3 стимулирует Оже-рекомбинацию неравновесвень, обусловленный формированием спин-полярона ных носителей, которая резко усиливает внутрицентрона мелком доноре. Поэтому образующаяся при низ- вую фотолюминесценцию ионов Yb3+.

ких температурах донорно-акцепторная пара — мел- Показано, что формирование спин-поляронов, локаликий донор + ферроупорядоченный КМРЦ — удовлетво- зованных на мелких донорах, приводит к суперпарамагряет требованиям для передачи энергии посредством нетизму кристаллов InP(Yb), который проявляется при Оже-процесса в f -оболочку лантаноида [19]. Действи- низких температурах.

3 Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 228 Н.Т. Баграев, В.В. Романов, В.П. Савельев Список литературы [1] С.В. Вонсовский. Магнетизм. Наука, М. (1971). 1032 с.

[2] Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979). 432 с.

[3] В.Ф. Мастеров. ФТП 18, 3(1984).

[4] S.T. Pantelides. In: Deep centers in semiconductors / Ed. by S.T. Pantelides. Cordon & Breach, N.Y. (1986). P. 3.

[5] N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Mat. Sci. Forum 10–12, (1986).

[6] Н.Т. Баграев, А.И. Гусаров, В.А. Машков. ЖЭТФ 92, (1987).

[7] Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, И.А. Меркулов. ЖЭТФ 81, 2160 (1981).

[8] Н.Т. Баграев. Изв. АН СССР. Сер. физ. 47, 2331 (1983).

[9] В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, К.Ф. Штельмах. ФТТ 25, 1435 (1983).

[10] В.А. Касаткин, В.Ф. Мастеров, В.В. Романов, Б.Е. Саморуков, К.Ф. Штельмах. ФТП 16, 173 (1982).

[11] H. Ennen, U. Kaufmann, G. Pomrenke, J. Schneider, J. Windscheif, A. Axmann. J. Cryst. Growth 64, 165 (1983).

[12] H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann. J. Appl. Phys. 57, (1985).

[13] G. Aszodi, J. Weber, Ch. Uihlein, L. Pu-lin, H. Ennen, U. Kaufmann, J. Schneider, J. Windscheif. Phys. Rev. B 31, 7767 (1985).

[14] K. Uwai, H. Nakagome, K. Takahei. Appl. Phys. Lett. 50, (1987).

[15] В.А. Касаткин, В.П. Савельев. ФТП 18, 1634 (1984).

[16] I.D. Maat-Gersdorf, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan, P.C.M. Christianen, J.C. Maan. Mat. Res. Soc.: Rare earth doped semiconductors II / Ed. by G. Pomrenke. St.-Francisco (1996). Vol. 422. P. 161.

[17] L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovskii, A.T. Gorelenok, N.M. Shmidt. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques / Eds M. Levinstein, M. Shur.

John Wiley & Sons Inc., N.Y. (1997). P. 239.

[18] Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, И.А. Меркулов, А.А. Лебедев, П. Юсупов. Письма в ЖЭТФ 32, 212 (1980).

[19] Н.Т. Баграев, Д.Е. Онопко, А.И. Рыскин. ФТП 30, (1996).

[20] В.Ф. Мастеров, К.Ф. Штельмах, Л.Ф. Захаренков, И.Л. Лихолит, И.А. Терлецкий. ФТП 25, 830 (1991).

[21] C.P. Bean, J.D. Livingston. J. Appl. Phys. Suppl. 30, 120S (1959).

[22] С.М. Рябченко, Ю.Г. Семенов. ФТТ 26, 3347 (1984).

[23] A.V. Kavokin, K.V. Kavokin. Semicond. Sci. Technol. 8, (1993).

[24] D. Heiman, P.A. Wolf, J. Warnock. Phys. Rev. B 27, (1983).

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.