WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Высокая интенсивность и температурная стабильность ФЛ в легированных образцах с квантовыми точками Si–Ge позволила нам пронаблюдать сужение линии ФЛ при понижении температуры наблюдения при высоких плотностях возбуждения или при увеличении плотности возбуждения при фиксированной температуре (рис. 5). Сужение линии ФЛ сопровождается резким ростом интегральной интенсивности ФЛ. Эффект наблюдается в вертикальном направлении и только в образцах с полированной задней поверхностью. Он может свидетельствовать о реализации стимулированного излучения Рис. 4. Зависимость спектров ФЛ структур Ge–Si, легированв вертикальном резонаторе Si с активной областью на ных донорной примесью Sb, от температуры наблюдения, K:

основе складированных плотных массивов Ge квантовых 1 — 18, 2 — 50, 3 — 130, 4 — 170, 5 — 210, 6 — 230, 7 — 250, 8 — 300. 3.7 монослоя Ge, 50 Вт/см2. точек.

Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. Исследование оптических свойств структур со сверхплотными массивами квантовых точек Ge... 4. Заключение Investigation of optical properties of structures with ultradenses arrays В заключение, мы исследовали структурные и люмиof Ge quantum dots in a Si matrix несцентные свойства структур с плотными массивами Ge точек высокой плотности. Из наших исследова- A.G. Makarov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul’nikov, ний следует, что такие структуры представляют собой G.E. Cirlin, V.A. Egorov, V.M. Ustinov, N.D. Zaharov, P. Werner массивы КТ первого типа. Легирование КТ позволяет получить высокую интенсивность ФЛ при повышенных Ioffe Physicotechnical Institute, температурах и реализовать сверхлинейный рост интенRussian Academy of Sciences, сивности ФЛ с увеличением плотности возбуждения, 194021 St. Petersburg, Russia что может свидетельствовать о реализации стимули Max-Planck Institute of Microstructure Physics, рованного излучения в Si–Ge гетероструктурах. ИсHalle/Saale, Germany пользование сверхплотных массивов Ge–Si КТ малого размера, сильно легированных донорной примесью, по

Abstract

Structural and optical properties of an ultrathin Ge видимому, позволит в близком будущем реализовать insertion in a silicon matrix have been investigated. Transmission лазерную генерацию в Si–Ge структурах при комнатной electron microscopy reveales spontaneous formation of a massive температуре.

array of disk-like quantum dots having nanoscale lateral sizes (3–10 nm) for nominal Ge deposit thicknesses: from submonolayer Список литературы ones to those only slightly thinner than those corresponding to the transition to the three-dimentional growth in the Stranski– [1] D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Krastanov mode. Optical study shows that these structures have a Heterostructures (Wiley, N.Y., 1998).

I-type band alignment due to a strong contribution of the Coulomb [2] L.C. Lenchyshyn, M.L.W. Thewalt, D.C. Houghton, J.-P. Noel, interaction between the localized hole and an electron. Small lateN.L. Rowell, J.C. Sturn, X. Xiao. Phys. Rev. B, 47, 16 ral sizes of the quantum dots cancel the selection rule prohibiting (1993).

the probability of the radiative recombination in an inverse k-space.

[3] T. Baier, U. Mantz, K. Thonke, R. Sauer, F. Schffler, High surface density of the quantum dots (1012-1013 cm-2) and H.J. Herzog. Proc. 22nd Int Conf. on the Phys. Semicond.

(Vancouver, 1994), ed. by D.J. Lockwood (World Scientific, probability of their storing with ultrathin Si spacers makes it Singapore, 1995) v. 2. p. 1568.

possible to obtain the highest volume quantum dot density (as high [4] О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, as 1019 cm-3), which is necessary for realization of the stimulated Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтленemission in Si. A sample with stacked quantum dots that were дер. ФТП, 34, 1281 (2000).

formed by 0.7 nm thick Ge interstitials demonstrated a superlinear [5] M.W. Dashiel, U. Denker, C. Mller, G. Costantini, C. Manzagrowth of the photoluminescence intensity accompanied by a no, K. Kern, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 80, 1279 (2002).

simultaneous narrowing the photoluminescence emission line.

[6] N.N. Ledentsov, M. Grundmann, F. Heinrichsdorff, D. BimDoping Si–Ge structures with the donor impurity permitted us berg, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, to suppress depletion of the active region with weakly localized Zh.I. Alferov, J.A. Lott. IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron., electrons.

6, 439 (2000).

[7] N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, S.V. Ivanov, S.L. Sorokin, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, C.M. Sotomayor Torres. Appl. Phys. Lett., 69, 1343 (1996).

[8] N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, S.V. Ivanov, S.L. Sorokin, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, C.M. Sotomayor Torres. Appl. Phys. Lett., 70, 2766 (1997).

[9] I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg.

Phys. St. Sol. (a), 183, 207 (2001).

[10] N.N. Ledentsov, J. Bhrer, M. Beer, F. Heinrichdorff, M. Grundmann, D. Bimberg, S.V. Ivanov, B.Ya. Meltser, I.N. Yassievich, N.N. Faleev, P.S. Kop’ev, Zh.I. Alferov. Phys.

Rev. B, 52, 14 058 (1995).

[11] N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gsele, G. Gerth, G. Cirlin, V.A. Egorov, B.V. Volovik. Mater. Sci. Engen. B, 87, (2001).

[12] N.D. Zakharov, G.E. Cirlin, P. Werner, U. Goesele, G. Gerth, B.V. Volovik, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov. In: Proc. 9th Int. Symp. „Nanostructures: physics and technology 2001“ (St. Petersburg, 2001) p. 21.

[13] L.P. Rokinson, D.C. Tsui, J.L. Benton, Y.-H. Xie. Appl. Phys.

Lett., 75, 2413 (1999).

Редактор Л.В. Беляков Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.