WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

The success in the area of multiple quantum well трического поля на механизмы поглощения излучения (MQW) devices development have been achieved mainly due to в СКЯ указывалось в цитированной работе [4], а также employment of molecular beam epitaxy (MBE). However at the в работе [5]. Обсуждаемый эффект будет существенно same time for MQW growing metalorganic chemical vapor depoслабее выражен в СКЯ, полученных МЛЭ, поскольку sition (MOCVD) is used, because of its more high productivity.

практически всегда в них легируют середину ямы, и Our experience in MOCVD grown MQW and photodetectors при температурах роста 500C примесь не успевает based on them shows, that they have some differences from MBE продиффундировать в барьеры.

grown analogs. These differences are: more high asymmetry of Заключения, сделанные на основе проведенного выше current–voltage characteristics, considerable responsivity at normal анализа причин появления аномально высокой чувствиincidence. We believe, that differences mentioned above are тельности, а также других особенностей ФС на основе related with features of MOCVD. In this report we present СКЯ, выращенных методом МОСГЭ, имеют в основном experimental results of reponsivity investigation of MOCVD grown MQW, relation between experimental results and MOCVD grown характер предположений. Поэтому для установления MQW features is discussed.

истинных причин описанных явлений требуются дальнейшие исследования.

5. Заключение Проведено исследование характеристик фотоприемников на основе СКЯ, выращенных методом МОСГЭ. Анализ экспериментальных ВАХ, зависимостей абсолютной Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.