WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 2 Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs © Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 1 июля 1997 г. Принята к печати 14 июля 1997 г.) Исследованы транспортные свойства одиночных гетероструктур II типа p-GaInAsSb/p-InAs и параметры электронного канала в зависимости от уровня легирования акцепторами четверного эпитаксиального слоя GaInAsSb. Обнаружено резкое падение подвижности в электронном канале на гетерогранице при сильном легировании твердого раствора, что может быть связано с переходом от полуметаллической проводимости к полупроводниковой и обусловлено сужением электронного канала и сильной локализацией электронов в ямах потенциального рельефа на интерфейсе.

Ранее нами было показано [1–3], что в одиночных полях H = 1 20 кЭ. Из этих данных рассчитывались гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs с нелегированными электропроводность, коэффициент Холла RH на слоями четверного твердого раствора с разъединенными единицу площади и холловская подвижность µH = RH.

гетеропереходом II типа на гетерогранице существует Параметры исследованных образцов при T = 77 K электронный канал с высокой подвижностью электронов приведены в табл. 1. Как видно из таблицы, знак эдс µH = (5-7) · 104 см2/(В · с). Наличие такого канала Холла при H 1 кЭ во всех образцах при легировании в гетеропереходах II типа связано с пространственным акцепторами (Zn, Ge, Sn) указывает на электронный разделением электронов и дырок и локализацией их в характер проводимости (исключение составляют только самосогласованных ямах по обе стороны гетерограницы.

структуры с максимальным уровнем легирования Zn, В данной работе рассматривается влияние легисм. образец 5). Это, по нашему мнению, связано с рования твердого раствора акцепторными примесями проводимостью электронного канала, расположенного на (Zn, Ge, Sn) в широком диапазоне концентраций гетерогранице в разъединенном гетеропереходе II типа на свойства электронного канала в гетероструктурах p-Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78/p-InAs. Исследовались коэффициент Холла RH, электропроводность и подвижность µH при температурах от 77 до 200 K в магнитных полях от 1 до 20 кЭ. Обнаружено, что при сильном легировании твердого раствора p-GaInAsSb акцепторами происходит резкое падение подвижности в электронном канале, связанное с сужением электронного канала и возрастающей ролью рассеяния на шероховатостях гетерограницы.

Экспериментальные результаты Гетероструктуры p-GaInAsSb/p-InAs были получены методом жидкофазной эпитаксии при T = 600C. На высокоомных подложках p-InAs с параметрами при 77 K = 0.2Ом-1см-1, p = 1016 см-3 (EG = 0.4эВ) выращивались эпитаксиальные слои твердого раствора p-Ga0.83In0.17As0.22Sb0.78 (Eg = 0.63 эВ при T = 77 K) с разным уровнем легирования акцепторными примесями (3 · 10-3 Zn 1.2 · 10-2 ат%, 2.4 · 10-3 Ge 2.7 · 10-2 ат%, 4.5 · 10-2 < Sn < 10-1 ат%). Толщина выращенных слоев составляла примерно 2 мкм. На образцы прямоугольной формы наносились 6 индиевых контактов со стороны поверхности твердого раствора. При токе Рис. 1. Коэффициент Холла RH в зависимости от напряженноI 100 мкА, когда выполнялся закон Ома, в интервале сти магнитного поля H в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs 77 200 K (выше 200 K сказывалась проводимость при температуре T, K: a — 77, b — 200. Номера кривых подложки) измерялось падение напряжения на потен- соответствуют номерам образцов в табл 1. Сплошные линии — циальных зондах V, и холловская эдс VH в магнитных RH < 0, штриховые — RH > 0.

216 Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев Таблица 1. Параметры образцов p-GaInAsSb/p-InAs при T = 77 K Примесь в твердом растворе Тип проводимости µH = RH, см2/(В· с) №образца, 103 Ом-тип количество, ат% по эдс Холла H = 1кЭ H = 20 кЭ 1 - - n 9.6 -57000 -2 Zn 3 · 10-3 n 8.8 -49000 -3 Zn 4 · 10-3 n 9 -24400 -4 Zn 8 · 10-3 n 10 -3500 +5 Zn 1.2 · 10-2 p 13 +20 +6 Ge 2.5 · 10-3 n 10 -35000 -7 Ge 2.75 · 10-2 n 14 -2800 +8 Sn 4.6 · 10-2 n 9 -55000 -9 Sn 10-1 n 4.8 -11700 -со стороны InAs [2]. Величина холловской подвижности чем выше напряженность магнитного поля, а в сильных µH = RH, при слабом легировании твердого раствора магнитных полях (H = 20 кЭ) происходит смена знака (образцы 2, 6 и 8) сохраняла такие же высокие значения, эдс Холла при T = 130 K с дырочного на электронный.

как и в стурктурах с нелегированными слоями (образец 1 В образце 5 (рис. 3) с максимально легированным в табл. 1). При сильном легировании твердого раствора эпитаксиальным слоем такая смена знака наблюдалась (образцы 4, 7 и 9) наблюдалось резкое уменьшение при всех магнитных полях, и чем ниже H, тем при подвижности и появлялась сильная зависимость RH и µH от напряженности магнитного поля.

На рис. 1 представлена зависимость RH от напряженности магнитного поля при T = 77 K. Видно, что для образцов с нелегированным и слабо легированным акцепторами слоем твердого раствора (кривые 1, 2) RH < 0и почти не зависит от H, т. е. проводимость определяется одним сортом носителей (электронами). При высоком уровне легирования акцепторной примесью (кривые 4, 9) наблюдается резкая зависимость RH от H вплоть до инверсии знака эдс Холла. Такая зависимость характерна для проводимости, обусловленной двумя типами носителей тока разного знака: в слабом поле в этом случае основную роль играют высокоподвижные электроны, сосредоточенные на гетерогранице, а в сильном поле становится заметной дырочная проводимость твердого раствора. Естественно, проводимость слоя твердого раствора увеличивается с ростом уровня его легирования акцепторами. В образце с максимальным содержанием Zn (кривая 5) знак эдс Холла соответствует дырочному характеру проводимости при всех магнитных полях. В этом образце наблюдается постоянство коэффициента Холла при H > 10 кЭ. Можно считать, что коэффициент Холла в этой области магнитного поля полностью отражает свойства легированного твердого раствора p-GaInAsSb, а электронный канал проявляется только в уменьшении значения RH при H < 10 кЭ.

Рассмотрим температурную зависимость RH для образцов с различным уровнем легирования твердого раствора, которые представлены на рис. 2 и 3. В образце 2 (рис. 2, кривая a) со слабо легированным слоем твердого раствора коэффициента Холла RH слегка падает Рис. 2. Зависимость коэффициента Холла RH от температуры с ростом температуры в магнитных полях в диапазоне при различных напряженностях магнитного поля для образцов 1 20 кЭ. В образце 4 (рис. 2, кривые b) с сильно легииз табл. 1: a — образец 2, b — образец 4. Сплошные и рованным слоем твердого раствора наблюдается рост RH штриховые линии — то же, что и на рис. 1. Цифры у кривых с повышением температуры, причем тем значительнее, указывают величину магнитного поля в кЭ.

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs более низких T это происходило. Это указывает на то, что вклад электронов в общую проводимость структуры увеличивается с ростом температуры. Температурная зависимость холловской подвижности для этих образцов была аналогична зависимости R(T ).

На рис. 4 представлены зависимости холловской подвижности µH в слабом магнитном поле H = 1кЭ(когда величина RH определяется в основном электронами в двумерном канале) от концентрации Zn, введенного в твердый раствор. Видно, что подвижность в образцах гетероструктур со слабо легированными слоями твердого раствора (Zn 4 · 10-3 ат%) при T = и 200 K (кривые 1 и 2) имеет такие же высокие значения µH =(3-5) · 104 см2/(В · с), как и в образцах с нелегированными слоями. При сильном легировании твердого раствора (Zn > 4 · 10-3 ат%) холловская подвижность в канале резко падает как при T = 77 K (кривая 1), так и при T = 200 K (кривая 2). Полученные зависимости µH от концентрации примесей в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs существенно отличаются от подобной зависимости, полученной нами ранее [4] для эпитаксиального слоя твердого раствара Ga1-xInxAs1-ySby с x = 0.1 0.2, y = 0.2, выращенного на подложке Рис. 4. Зависимость холловской подвижности µH при GaSb. Нелегированные слои твердых растворов имели pH = 1 кЭ от уровня легирования твердого раствора цинком:

тип проводимости. Концентрация дырок и подвижность 1, 2 — для гетероструктур p-GaInAsSb/p-InAs; 3 — для твердопри T = 77 K в таких слоях были p1 = 1016 см-3, го раствора p-GaInAsSb. Температура T, K: 1, 3 — 77, 2 — 200.

µ1 = 2000 см2/(В · с). При легировании этих слоев акцепторными примесями концентрация дырок возрастала, подвижность плавно уменьшалась и при концентрации p > 1018 см-3, когда начиналось вырождение дырочного газа, подвижность становилась практически постоянной и равной µ1 = 200 см2/(В · с). Важным результатом является то, что резкое падение подвижности µH в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs наблюдается именно при таких концентрациях примеси Zn, когда в твердых растворах p-GaInAsSb начинается вырождение дырочного газа, и подвижность в них уже не зависит от уровня легирования.

Обсуждение результатов Экспериментальные зависимости коэффициента Холла RH и подвижности µH от температуры и напряженности магнитного поля в гетероструктурах p-GaInAsSb/p-InAs показывают, что свойства электронного канала на гетерогранице зависят от уровня легирования твердого раствора, а значит, и от положения уровня Ферми в твердом растворе.

В образцах со слабо легированными эпитаксиальными слоями, когда уровень Ферми расположен в запрещенной зоне (вдали от гетерограницы), величины RH и µH, как мы видели ранее, определяются одним Рис. 3. Зависимость коэффициента Холла RH от температуры сортом носителей тока — электронами в канале на для образца 5 при напряженностях магнитного поля в кЭ, укагетерогранице. Подвижность электронов в канале при занных цифрами у кривых. Сплошные и штриховые линии — то же, что и на рис. 1. слабом легировнии твердого раствора сохраняет высокие Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 218 Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев Таблица 2. Параметры твердого раствора и электронного канала Твердый раствор Электронный канал №образца Ev-EF, мэВ µ1, см2/(В · с) Ns, 1011 см-2 d, p2, 1018 см-3 µ2, см2/(В · с) 77 K 200 K 77 K 200 K 77 K 200 K 77 K 200 K 2 0.1 2000 -14 -60 50000 40000 1 - 400 4 2 200 +16 -5 35000 5000 13 6.4 110 5 6 80 +23 +16 - 1000 - 80 - значения µH =(3-6)·104 см2/(В·с) вплоть до гелиевых (см. табл. 1) с использованием двуслойной модели, учитемператур [5], что характерно для полуметаллического тывающей вклады в проводимость электронного канала состояния. и четверного твердого раствора.

В образце 5 с максимально легированным эпитаксиПри высоком уровне легирования твердого раствора, альным слоем концентрацию дырок в твердом растворе когда уровень Ферми расположен в валентной зоне эпитаксиального слоя (вдали от гетерограницы), зависи- можно оценить из значений коэффициента Холла в сильных магнитных полях (H = 20 кЭ) при T = 77 K мости RH и µH от температуры и напряженности магнит(рис. 1). При толщине слоя b2 = 2 мкм концентрация ного поля свидетельствуют об участии в проводимости дырок p2 = 6 · 1018 cм-3. При этом холловская покак электронов в канале на гетерогранице, так и дырок движность µH = 80 см2/(В · с) отражает повижность в твердом растворе, а также о том, что роль электронов дырок в твердом растворе. При концентрации дырок в канале возрастает с повышением температуры. Измеp2 = 6·1018 см-3 твердый раствор сильно вырожден, уроренные значения RH и µH во всех образцах при сильном вень Ферми расположен в валентной зоне, его положение легировании твердого раствора в слабых магнитных при T = 77 K соответствует Ev-EF = 0.023 эВ. При полях (H < 1 2кЭ) определяются формулами для таком положении уровня Ферми электронный канал на двуслойной модели [6] с разными знаками носителей гетерогранице практически не проявляется. Его влияние заряда в слоях:

сказывается только в уменьшении коэффициента Холла 2 2 при низких полях (H < 10 кЭ, см. рис. 1). С ростом RH = R11 b1 - R22 b2 2b, (1) температуры уровень Ферми поднимается к потолку валентной зоны, степень вырождения дырочного газа 2 µH = µ1n1b1 -µ2 p2b2 b, (2) уменьшается. При этом на температурной зависимости RH наблюдается смена знака эдс Холла (см. рис. 3), где b — общая толщина, индекс ”2” относится к эпитакт. е. основную роль начинают играть электроны в элексиальному слою твердого раствора, ”1” — к электронтронном канале, и причем тем сильнее, чем выше темному каналу на гетерогранице.

пература и ниже напряженность магнитного поля. При Вклад эпитаксиального слоя (член µ2 p2b2 в формуT = 200 K, когда уровень Ферми Ev-EF = 0.016 эВ, ле (2)) в общую измеренную подвижность µH в гетерозависимость R(H) (рис. 1) становится такой же, как структурах p-GaInAsSb/p-InAs при сильном легировании в менее легированном образце 4 при T = 77 K. В твердого раствора должен оставаться практически таким точке инверсии коэффициента Холла RH = 0 согласно же, как и в образцах с нелегированными слоями, поскольформулам (1) и (2) вклады электронного канала и 2 ку, как было сказано выше, с ростом концентрации дырок твердого раствора равны, т. е. µ1 p1b1 = µ2n2b2. Из на 2 порядка одновременно уменьшается на порядок и этого условия, считая, что концентрация и подвижность подвижность. Это позволяет утверждать, что наблюдаев эпитаксиальном слое твердого раствора (табл. 2) при мое нами резкое уменьшение измеряемой подвижности вырождении почти не изменяется с ростом температуры в образцах с сильно легированными эпитаксиальными и что подвижность µH при H = 1 кЭ отражает повижслоями связано не с большим влиянием эпитаксиального ность в электронном канале (µ1 = 1000 см2/(В · с)), слоя твердого раствора, а с уменьшением подвижности в можно оценить двумерную концентрацию носителей в самом электронном канале, что может быть обусловлено электронном канале Ns = n1b1 = 8·1012 см-2. Используя сужением электронного канала и проявлением дополни- представления двумерной модели [7], можно определить тельных механизмов рассеяния.

ширину электронного канала d по формуле Оценка параметров твердого раствора и элек1/тронного канала. Полученные зависимости коэффици3 aB d =, (3) ента Холла и подвижности от температуры и напряжен4 N ности магнитного поля позволяют сделать некоторые оценки параметров твердого раствора и электронного где N = Ndepl + Ns (Ndepl — остаточная концентрация канала на гетерогранице (табл. 2). Эти оценки бы- примеси в обедненном слое), aB — боровский радиус.

ли сделаны для сильно легированных образцов 4 и 5 Полученные значения d приведены в табл. 2.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.