WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Как оказалось, данный дефект приводит к появлению [7] G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981).

в запрещенной зоне двух глубоких уровней, что ка[8] G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. B, 35, 6154 (1987).

чественно согласуется с результатами [14]. По нашим [9] A. Chantre, D. Bois. Phys. Rev. B, 31, 7979 (1985).

оценкам, положение этих уровней относительно по[10] J.J. Van Kooten, G.A. Waller, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev.

толка валентной зоны для нелегированного арсенида B, 30, 4564 (1984).

галлия составляет ES1 = 0.40 эВ, ES2 = 1.26 эВ в случае [11] J.F. Wager, J.A. Van Vechten. Phys. Rev. B, 35, 1269 (1987).

[12] G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. Lett., 55, 2340 (1985).

стабильного и EM1 = 0.23 эВ, EM2 = 1.32 эВ в случае [13] H.J. Von Bardeleben, D. Stieveard, D. Deresmes, A. Huber, метастабильного состояний. Добавление индия или алюJ.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 34, 7192 (1986).

миния слабо сказывается на положениях уровней ES1, [14] J. Dabrovskii, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 40, 10 391 (1989).

ES2 и EM1, в то время как энергия, соответствующая EM2, [15] M.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz, S.T. Elbert, уменьшается на 0.26 эВ. При 40% содержания In/Al M.S. Gordon, J.H. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, в метастабильном состоянии дефекта AsGa проявляется K.A. Nguyen, S. Su, T.L. Windus, M. Dupuis, J.A. Mantgoтолько один уровень EM1.

mery. J. Comp. Chem., 14, 1347 (1993); A.A. Granovsky.

http://classic.chem.msu.su/gran/gamess/index.html.

[16] M. Dupuis, J.D. Watts, H.O. Villar, G.J.B. Hurst. Comput.

4. Заключение Phys. Commun., 52, 415 (1989).

[17] S. Huzinaga, J. Andzelm, M. Klobukowski, E. Radzio-AndС помощью квантово-химического неэмпирического zelm, Y. Sakai, H. Tatewaki. Gaussian basis Sets for Moleметода ССП МО ЛКАО исследовано влияние содерcular Calculations (Amsterdam, Elsevier, 1984).

жания атомов индия и алюминия на свойства дефек[18] D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. Lett., 60, 2187 (1988).

та AsGa в КТ на основе арсенида галлия. Показано, Редактор Л.В. Беляков что дефект AsGa может существовать в стабильном и метастабильном состояниях, различающихся струкФизика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Влияние содержания In и Al на характеристики собственных дефектов в квантовых точках на основе... Effect of In and Al content on characteristics of intrinsic defects in gallium arsenide-based quantum dots T.V. Bezyazychnaya, V.M. Zelenkovskii, G.I. Ryabtsev, M.M. Sobolev+ Institute of Physical Organic Chemistry, National Academy of sciences of Belarus, 220072 Minsk, Belarus B.I. Stepanov Institute of Physics, National Academy of sciences of Belarus, 220072 Minsk, Belarus + Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

Using quantum-chemical non-empirical SCF MO LCAO technique, the influence of indium and aluminium on properties of AsGa defect complex (arsenic substituting gallium in a crystal lattice site) in quantum dots on the base of gallium arsenide has been investigated. It is shown that AsGa defect can exist both in stable and metastable states. The increase in indium or aluminium content enhances a probability of the AsGa defect formation in the stable state, this effect becoming strongly apparent for quantum dot when indium atoms are added. Activation energy for the stable-metastable state transition is varied within 0.886-2.049 eV depending on quantum dot stoichiometry. Origin of AsGa defect leads to manifestation of two deep levels in the band gap.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.