WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Наиболее важным результатом является обнаружение 630090 Novosibirsk, Russia увеличения степени однородности параметров КТ в анInstitute of Electronics, самбле после наносекундного лазерного облучения, чего National Academy of Sciences of Belorussia, не наблюдается после быстрого термического отжига в 220090 Minsk, Belorussia + течение 1 с. Обработка образца со средним размером наNovosibirsk State University, нокластеров 8 нм (6 монослоев Ge) десятью лазерными 630090 Novosibirsk, Russia импульсами приводит к уменьшению ширины пика КРС на колебаниях связей Ge–Ge в 1.5 раза и к двукратному

Abstract

The studies were aimed to development of approaches уменьшению разброса энергетических уровней дырок for modification of quantum dots (QDs) in Ge/Si nanostructures в КТ Ge.

using pulse laser irradiation. Energy density of ruby laser was 1J/cm2 and corresponds to melting threshold of Si surface, Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ duration of pulse was 80 ns. The melting threshold was determined (грант № 03-02-16526) и Интеграционного проекта in situ from data of reflection coefficient dynamics and from № 186 фундаментальных исследований Сибирского отmaximal temperature of Si surface. One pulse and ten pulses деления Российской академии наук и Национальной treatments were used. Modification of GexSi1-x QDs structure was академии наук Белоруссии.

analyzed using Raman spectroscopy data. Frequency-dependent admittance measurements were used to study energy spectrum Список литературы of holes in Ge/Si heterostructurs with GexSi1-x QDs (both initial and laser treated). The obtained experimental data show that the [1] О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский.

laser treatment allows to decrease area density of QDs, modify its ФТП, 34, 1281 (2000).

composition, and increase its average size. Most essential result is [2] В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, effect of increasing of QD parameter homogeneity as result of the М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, laser treatments. Ten pulses laser treatment of sample with lateral А.И. Якимов. ФТП, 37, 1352 (2003).

size of QDs 8 nm (6 monolayers of Ge) leads to twofold decrease [3] A.V. Kolobov. J. Appl. Phys., 87, 2926 (2000).

[4] А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, of hole energy level dispersion in QD array.

Г.Ю. Михалев. Письма ЖЭТФ, 80, 367 (2004).

[5] G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich, D.N. Sharaev. Proc. SPIE, 4157, 78 (2001).

[6] Г.Д. Ивлев. Письма ЖТФ, 22, 86 (1996).

[7] G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich. Appl. Surf. Sci., 143, 265 (1999).

[8] J.C. Tsang, P.M. Mooney, F. Dacol, J.O. Chu. J. Appl. Phys., 75, 8098 (1994).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.