WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

личением дозы облучения вплоть до 1016 cm-2. При дозе Следовательно, основываясь на результатах ра1017 cm-2 наблюдается спектральное проявление эффекбот [9–11] и учитывая выполненное нами моделирование та больших доз, который заключается в рекристаллизаспектров p- и n-Si, можно считать, что рекристаллиции образца и соответственно уменьшении концентразация при пороговых дозах 1017 cm-2 стимулирована ции аморфной фазы в его объеме. Показано, что данный возможным нарушением связей Si–Fe, образовавшихэффект наиболее сильно выражен на глубине ся в процессе имплантации образцов ионами Fe+, а от облученной поверхности. При этом влияние типа также возбуждением электронной подсистемы кремния.

проводимости исследовавшихся образцов на процессы Предполагается, что с увеличением дозы облучения разупорядочения и рекристаллизации (ЭБД) вследствие от минимальной до пороговой происходят следующие облучения ионами Fe+ обнаружено не было.

процессы. По мере накопления радиационных дефектов вследствие имплантации происходит частичное раСписок литературы зупорядочение кристаллической структуры образца и его аморфизация, о чем свидетельствуют описанная [1] Л. Росадо. Физическая электроника и микроэлектроника / выше трансформация формы спектров и результаты Под ред. В.А. Терехова. Высш. шк., М. (1991). 233 с.

моделирования. При увеличении дозы до 1017 cm-2 в [2] В.Н. Черняев. Технология производства интегральных аморфном слое и на границе раздела кристаллической микросхем и микропроцессоров. Радио и связь, М. (1987).

164 с.

и аморфной фазы накапливается высокая концентрация [3] А. Майзель, Г. Леонхард, Р. Сарган. Рентгеновские спекпримеси Fe. Не исключено, что в результате такого тры и химическая связь. Наук. думка, Киев (1981). 419 с.

накопления ионы Fe+ могут выделиться как в металли[4] D.A. Zatsepin, V.R. Galakhov, B.A. Gizhevskii, E.Z. Kurmaev, ческую фазу, так и образовать комплексы Fe–Si, конценV.V. Fedorenko, A.A. Samokhvalov, S.V. Naumov. Phys.

трация которых, однако, может быть недостаточна для Rev. B 59, 211 (1999).

формирования силицида типа FeSi в объеме образца.

[5] Б.А. Гижевский, В.Р. Галахов, Д.А. Зацепин, Л.В. Елохина, В пользу предположения о том, что образование FeSi Т.А. Белых, Е.А. Козлов, С.В. Наумов, В.Л. Арбузов, не происходит, свидетельствует существенное различие К.В. Шальнов, М. Нойманн. ФТТ 44, 7, 1318 (2002).

[6] Д.А. Зацепин, В.М. Черкашенко, Э.З. Курмаев, С.Н. Шаформ РЭС Si L2,3 в силицидах железа [12] и наших мин, В.В. Федоренко, Н.А. Скориков, С.В. Пластинин, образцах.

Н.В. Гаврилов, А.И. Медведев, С.О. Чолах. ФТТ 46, Поскольку вновь образовавшаяся вследствие имплан(2004).

тации связь Si–Fe слабее связи Si–Si [13], энергетиче[7] E.Z. Kurmaev, V.V. Fedorenko, S.N. Shamin, A.V. Postnikov, ский барьер для обратного процесса — радиационноG. Wiech, Y. Kim. Phys. Scr. 41, 288 (1992).

стимулированной рекристаллизации [14] —снижается, [8] E.Z. Kurmaev, V.R. Galakhov, S.N. Shamin. Critical Rev. Sol.

и последняя начинает доминировать над процессами State Mater. Sci. 23, 65 (1998).

[9] Д.И. Тетельбаум, А.И. Герасимов. ФТП 38, 1301 (2004).

спонтанного разупорядочения и аморфизации. Вполне [10] Н.И. Грасименко, А.В. Двуреченский, С.И. Романов, вероятно, что этому способствует и временной режим Л.С. Смирнов. ФТП 6, 10 (1972).

имплантации (см. таблицу). Кроме того, в процес[11] Н.И. Грасименко, А.В. Двуреченский, С.И. Романов, се облучения разупорядоченных образцов происходит Л.С. Смирнов. ФТП 7, 11 (1973).

динамический отжиг вследствие высвобождения энер[12] V.R. Galakhov, E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin, L.V. Elokhina, гии, связанной с ионизационными потерями, что также Yu.M. Yarmosheko, A.A. Bukharev. Appl. Surface Sci. 72, приводит к частичному восстановлению радиационных (1993).

дефектов [4].

[13] В.И. Веденеев, Л.В. Гуревич, В.Н. Кондратьев, В.А. Медведев, Е.Л. Франкевич. Энергии разрыва химических связей.

Таким образом, совокупность полученных в настояПотенциалы ионизации и сродство к электрону. Изд-во щей работе данных не противоречит результатам рабоАН СССР, М. (1962). 215 с.

ты [9] и свидетельствует о том, что нами действительно [14] A.I. Titov, B.S. Belyakov, P. Cardwell, G. Farrel. Rad. Eff. 139, обнаружено спектральное проявление эффекта больших 189 (1996).

доз на глубине 1000 от облученной поверхности в образцах кремния p- и n-типа, подвергнутых импульсной имплантации ионами Fe+.

2 Физика твердого тела, 2006, том 48, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.