WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[4] А.Л. Эфрос, Б.И. Шкловский. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

[5] A.L. Efros, B.I. Shklovskii. Electronic Properties of Doped Semiconductors (Berlin–Heidelberg–N. Y.–Tokyo, 1984).

[6] А.Г. Забродский, А.Г. Андреев. ФТП, 58, 809 (1993).

[7] Н.С. Аверкиев, В.М. Аснин, Ю.Н. Ломасов, Г.Е. Пикус, А.А. Рогачев, Н.А. Рудь. ФТТ, 23, 3117 (1981).

[8] А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Е.Н. Мохов.

ФТП, 46, 874 (2003).

Редактор Л.В. Беляков On the nature of low temperature hysteresis of the hopping magnetoresistance of compensated Ge:Ga near the metal-insulator transition S.V. Egorov, A.G. Zabrodskii, R.V. Parfeniev Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

In earlier works the authors described the hysteresis of the hopping magnetoresistance in neutron transmutation doped Ge:Ga. It was accompanied with a steplike drop of resistivity during the remagnetization of the sample. The drop of resistivity achieves 10% of that in zero field, depending on Ga concentration.

It was peculiar to temperatures lower than 0.7 K. The present paper shows that the drops of resistivity stems from a short heating of a sample. The model was suggested, according to which the source of heat is a system of localized holes in the impurity zone.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.