WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[4] С.В. Спутай. Актуальные проблемы электронного при l,t 2w (c)l,t Sl,t = = 1 боростроения. Сенсорная электроника. Сб. тр. Всес.

l L l конф. (Новосибирск, Россия, 1991), с. 33.

и [5] V.A. Gridchin, S.V. Sputay. 11th Int. Conf. On High Vacuum, l,t 2w (c)l,t Interface and Thin Films, HVITF-94 (1994) p. 606.

S = = 1 -, l,t l L l [6] В. Спутай. Тез. докл. 1-й Межд. конф. „Датчики электо трических и неэлектрических величин“ (Барнаул, РосS l,t сия, 1993) ч. 1, с. 95.

=, Sl,t [7] В.В. Грищенко, А.М. Логанихин, В.М. Любимский.

и при уменьшении сопротивления резистора тензочувТр. V Межд. конф. „Актуальные проблемы электронного ствительность должна увеличиться во столько же раз. приборостроения“ (Новосибирск, Россия, 2000) т. 4, с. 8.

2 Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 196 В.А. Гридчин, В.М. Любимский [8] D.W. Feldbaumer, J.A. Babcock, V.M. Mercier, C.K.Y. Chun.

IEEE Trans. Electron Dev., ED-42, 689 (1995).

[9] J.F. Babcock, P. Francis, R. Bashir, A.E. Kabir, D.K. Schroder, M.S.L Lee, T. Dhayagude, W. Yindeepol, S.J. Prasad, A. Kalnitsky, M.E. Thomas, H. Haggag, K. Egan, A. Bergemont, P. Jansen. IEEE Trans. Electron Dev. Lett., 21, 283 (2000).

[10] P.H. French, A.G.R. Evans. Sol. St. Electron., 32, 1 (1989).

[11] V. Mosser, J. Suski, J. Goss, E. Obermeir. Sensors Actuators A, 28, 113 (1991).

[12] S.M. Sze, J.C. Irvin. Sol. St. Electron., 11, 599 (1968).

[13] D. Schubert, W. Jenschke, T. Uhlig, F.M. Schmidt. Sensors Actuators, 11, 145 (1987).

[14] В.А. Гридчин, В.М. Любимский. Микроэлектроника, 32, 261 (2003).

Редактор Л.В. Беляков Effect of the pulse current annealing on electrophysical characteristics of a p-type polycrystalline silicon V.A. Gridchin, V.M. Lubimsky Novosibirsk State Technical University, 630092 Novosibirsk, Russia

Abstract

The effect of the pulse current annealing on conductivity, concentration, holes mobility and piezoresistance was investigated. To decrease magnitude of threshold current the annealing was carried out using a sequence of current pulses. As a result of the annealing the concentration of holes did not change, the hole mobility increased, absolute values of the longitudinal and transverse gauge factors decreased. The decreasing of gauge factors cannot be explained within the framework of existing model for pulse current annealing.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.