WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ной структуры (ДС) в созданной джоулевым разогре[16] T. Shiosaki, H. Matsumoto, H. Chiharo, A. Kawabata. Japan.

вом неравновесной электронно-дырочной плазме (ЭДП) J. Appl. Phys., 12 (3), 337 (1973).

происходит изменение концентрации носителей заряда.

[17] H. Kuzmany. Phys. St. Sol. (a), 25 (1), 9 (1974).

Причем, когда в ДС присутствуют только продольные [18] H. Kuzmany, W. Liederer. Phys. St. Sol. (a), 15 (1), автосилитоны (АС), концентрация носителей в объеме (1973).

образца становится меньше и продолжает понижаться [19] А.А. Степуренко. Автореф. канд. дис. (Махачкала, 1982).

с дальнейшим повышением уровня возбуждения этих [20] И.К. Камилов, А.А. Степуренко, А.С. Ковалев. Вестн.

АС. Обусловлено это прежде всего повышением конДагНЦРАН, №8, 15 (2000).

центрации носителей заряда локализованных областей Редактор Т.А. Полянская и уменьшением их температуры (холодные АС) [13].

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. Распределение носителей заряда в диссипативной структуре в полупроводниках Distribution of charge carriers in dissipative structure of semiconductors I.K. Kamilov, A.A. Stepurenko, A.S. Kovalev Institute of Physics of Daghestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, 367003 Makhachkala, Russia

Abstract

It has been shown experimentally that redistribution of the charge carrier concentration takes place in the volume of both tellurium single crystals and indium antimonide ones under formation and excitation by the strong field of a dissipative structure in nonequilibrium electron-hole plasma. This leads to a situation when the presence of only longitudinal autosolitons in the dissipative structure, reduces the charge carrier concentration outside autosolitons while the presence of only transversal autosolitons makes the charge carriers concentration larger. The authors suggest that longitudinal autosolitons, occurring in nonequilebrium electronhole plasma created by the Joule warming up, be considered as cold and transversal autosolitons as hot ones.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.