WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 2 Люминесценция наностержней оксида цинка © Г.А. Емельченко¶, А.Н. Грузинцев, А.Б. Кулаков, Э.Н. Самаров, И.А. Карпов, А.Н. Редькин, Е.Е. Якимов, C. Barthou+ Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия + Universit P. et M. Curie, Case 80, 4 Place Jussieu, 75252 PARIS CEDEX 05, France (Получена 17 мая 2006 г. Принята к печати 31 мая 2006 г.) Исследованы спектры спонтанного и стимулированного излучения наностержней ZnO, выращенных двумя низкотемпературными методами. Стимулированное излучение при 385 нм наблюдали при комнатной температуре для нанокристаллов ZnO, выращенных методом CVD, при накачке азотным лазером с длиной волны 337 нм. Пороговая плотность мощности накачки для лазерного процесса рекомбинации экситонов составила 600 кВт/см2.

PACS: 78.45.+h, 78.55.Cr, 78.67.Bf 1. Введение кварца и нагревали при температуре 95C в течение 2-10 ч. Затем полученные тонкие пленки отмывали в В последние годы была показана возможность приме- дистиллированной воде для удаления остаточного раснения наностержней ZnO в качестве коротковолновых твора и сушили на воздухе при комнатной температуре.

нанолазеров [1–3]. Наибольший интерес наностержни Кристаллы ZnO имели форму удлиненных гексагональZnO представляют для высокоэффективных коротковол- ных призм с преимущественным направлением, близким новых оптоэлектронных наноприборов благодаря боль- к нормали к поверхности подложки (рис. 1, a).

шой энергии связи экситона, 60 мэВ, и высокой меха- При выращивании оксида цинка методом газофазного нической и термической стабильности. Наиболее рас- химического синтеза (CVD) при пониженном давлении пространенный метод синтеза стержней ZnO включает в качестве исходных реагентов использовали металлимеханизм роста пар–жидкость–кристалл с использовани- ческий цинк высокой чистоты (99.999%) и кислородноем золота в качестве катализатора [4,5]. В некоторых из азотную смесь (20% O2). Синтез проводили в двухзонэтих образцов было показано наличие стимулированного ном кварцевом реакторе проточного типа. В первой излучения при оптической накачке [6,7]. Однако в таких зоне происходило испарение цинка. Во второй зоне условиях роста неизбежно включение материала катали- пары цинка взаимодействовали с кислородом. В этой затора в кристаллы и рост проводится при относительно зоне располагались подложки. В качестве подложек высоких температурах. использовали кремниевые пластины ориентации (111).

В данной работе мы сообщаем результаты по выращи- Температура испарения цинка составляла 940-910 K, ванию наностержней ZnO двумя низкотемпературными температура синтеза (вторая зона) — 890 K. Расход методами без применения катализаторов и анализу их кислородно-азотной смеси составлял 1 л/ч. Давление эмиссионных свойств. На таких наностержнях ZnO по- в реакторе поддерживали на уровне 5 Торр. Синтез, лучено ультрафиолетовое стимулированное излучение в как правило, проводили в течение 30 мин. Полученный области экситонной рекомбинации. оксид цинка, согласно данным электронной микроскопии (рис. 1, b), представлял собой слой мелких (все длиной менее 10 мкм) монокристаллов со средними диамет2. Экспериментальная часть рами отдельных кристаллов (0.1-1) мкм и хорошо выраженной кристаллической огранкой. Они обладали Нанокристаллы ZnO выращивали двумя способами:

электронным типом проводимости с довольно низким кристаллизацией из водного раствора при низкой темпеудельным сопротивлением, 10 Ом · см.

ратуре и химическим осаждением из паровой фазы при Спектры люминесценции регистрировались при вознизком давлении (CVD). Низкотемпературный синтез буждении излучением азотного лазера с длиной волоксида цинка проводили путем термического разложены 337.1 нм (Photonics LN 1000, с длительностью имния аминокомплексов Zn+2 [8]. Кварцевый сосуд заполпульса 0.6 нс и энергией в импульсе 1.4 мДж). Возняли эквимолярным водным раствором нитрата цинка, буждение носило межзонный характер, а использоваZn(NO3)2 · 4H2O, и метинамина, C6H12N4, устанавливание азотного лазера с набором поглотителей позволи в нем подложки из кремния (001) и плавленного ляло получать плотность мощности возбуждения от ¶ 50 кВт/см2 до 70 МВт/см2. Люминесценция образца соE-mail: emelch@issp.ac.ru Fax: (096) 5224693 биралась перпендикулярно к поверхности оптическим Люминесценция наностержней оксида цинка волноводом, расположенным на расстоянии 100 мм, анализировалась с помощью спектрометра (Jobin-Yvon Spectrometer HR460) и многоканального детектора (PM Hamamatsu R5600U). Измерения спектров фотолюминесценции (ФЛ) слоев ZnO проводились под разными углами по отношению к падающему пучку азотного лазера при комнатной температуре. Спектральное разрешение во всех экспериментах было не хуже 0.01 нм.

Морфология нанокристаллов оксида цинка исследовалась в сканирующем электронном микроскопе Jeol2000. Рентгенофазовый анализ образцов выполняли на дифрактометре Siemens-D500 с Fe K-излучением.

3. Результаты Рис. 2. Спектры фотолюминесценции наностержней ZnO На рис. 1 показана типичная морфология нанокристалнепосредственно после выращивания и после отжига при лов (НК) ZnO, выращенных из водного раствора путем температурах 473, 573, 673, 773, 873, 973, 1073 и 1173 K термического разложения аминокомплексов Zn+2 (a) (снизу вверх). Температура измерения 300 K.

и химическим осаждением из паровой фазы (b). Кристаллы ZnO имели форму удлиненных гексагональных призм (наностержней) с преимущественным направлением, близким к нормали к поверхности подложки, в первом методе выращивания и без явно выделенного направления роста для второго метода. Нанокристаллы, выращенные из паровой фазы, имеют отличительную форму верхней части наностержня (участок сужения с „шапочкой“); форма зависела от режима роста. Это позволяет предположить, что нанокристаллы растут по механизму пар–жидкость–кристалл. Рентгенофазовый анализ показал, что оба типа нанокристаллов принадлежит к структуре вюртцита. При этом полуширина дифракционных пиков для газофазных кристаллов составила 0.2, а для кристаллов, полученных из водного раствора, 0.4. Эти данные указывают, если учесть одинаковый типичный размер кристаллов, на более совершенную кристаллическую структуру кристаллов, полученных газофазным методом.

Спектры спонтанного излучения нанокристаллов ZnO сразу после выращивания содержали узкую полосу в ультрафиолетовой (УФ) области спектра, обусловленную рекомбинацией свободных экситонов (385 нм), и широкую зеленую полосу, связанную с донорно-акцепторной рекомбинацией (рис. 2). На рис. 2 показана эволюция спектра фотолюминесценции (ФЛ) нанокристаллов оксида цинка в результате их отжига в интервале температур 473-1173 K (отжиг в течение 1 ч на воздухе). Из анализа спектров видно, что при отжиге нанокристаллов в интервале температур 673-873 K наблюдается одна УФ полоса. При температуре отжига выше 900 K интенсивность экситонной ФЛ резко снижается и в спектрах появляется широкая зеленая полоса Рис. 1. Общий вид наностержней ZnO, выращенных из воднодонорно-акцепторной рекомбинации, которая становится го раствора путем термического разложения аминокомплексов Zn+2 (a) и химическим осаждением из паровой фазы (b). доминирующей при температуре 1173 K.

Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. 184 Г.А. Емельченко, А.Н. Грузинцев, А.Б. Кулаков, Э.Н. Самаров, И.А. Карпов, А.Н. Редькин...

высокотемпературной обработки (973 K, 1 ч на воздухе).

Интенсивность экситонной ФЛ пустого массива (кривая 1) НК ZnO значительно ниже по сравнению с интенсивностью экситонной ФЛ заполненного массива (кривая 2). Кроме того, в спектре ФЛ пустого массива ZnO появилась зеленая полоса донорно-акцепторной рекомбинации, вредная для УФ источников света. Интенсивность УФ излучения заполненного массива НК ZnO практически не снижается при высокотемпературном отжиге (973 K). Таким образом, заполнение массива НК ZnO диоксидом кремния повышает как эффективность Рис. 3. СМЭ-изображения массивов НК ZnO: a — пустой возбуждения, так и термостабильность экситонной ФЛ.

массив НК ZnO, b — массив НК ZnO, заполненный диоксидом Оба типа НК ZnO, выращенных методом CVD и из кремния.

водного раствора, были испытаны с целью получения стимулированного излучения в УФ области спектра.

Спектры ФЛ были измерены при температуре 300 K Чтобы повысить термическую стабильность и эффекв условиях различного уровня возбуждения азотным тивность оптического возбуждения УФ фотолюминесценции оксида цинка, массив НК ZnO был заполнен аморфными частицами диоксида кремния. Предполагалось, что заполнение пространства между наностержнями ZnO предотвратит испарение кислорода из решетки кристаллов оксида цинка при нагреве, а диффузное рассеяние возбуждающего света в наполнителе повысит эффективность накачки.

Пленку диоксида кремния получали методом электролиза/электрофореза из водного раствора силиката натрия Na2SiO3 с концентрацией 2% по объему. Покрываемую структуру включали в цепь как анод. В качестве катода использовали палладиевую пластину размером 10 20 мм. Осаждение пленки проводили в три этапа с промежуточными сушками между этапами при комнатной температуре на воздухе. Напряжение, прикладываемое к электродам, увеличивали от 2 В на первом этапе осаждения до 10 В на третьем этапе осаждения.

Рис. 4. Спектры ФЛ пустого (1) и заполненного (2) массивов Процесс осаждения проводили при токах от 2 до 120 мА.

НК ZnO, измеренные в одинаковых условиях возбуждения.

Размер частиц SiO2, заполняющих пространство между Температура измерения 300 K.

НК ZnO, изменялся от 50 до 200 нм по измерениям методом просвечивающей электронной микроскопии.

На рис. 3 представлены изображения массивов НК ZnO, полученные в сканирующем электронном микроскопе (СЭМ). На рис. 3, a приведено изображение пустого массива НК ZnO, на рис. 3, b — массива, заполненного диоксидом кремния. Видно, что часть кристаллов ZnO покрыта пленкой полностью, другая часть кристаллов своими вершинами возвышается над пленкой.

Спектры ФЛ пустого (без SiO2) и заполненного (с SiO2) массивов НК ZnO, измеренные в одинаковых условиях возбуждения, представлены на рис. 4. В обоих случаях наблюдается только экситонная люминесценция при 385 нм. Интенсивность ФЛ заполненного миссива НК ZnO (композита ZnO–SiO2) на 10% выше, чем интенсивность ФЛ пустого массива, что указывает на повышение эффективности возбуждения в композите.

Значительный эффект был получен при исследовании Рис. 5. Спектры ФЛ тех же образцов, что и на рис. 4, после термостабильности экситонной ФЛ. На рис. 5 приведены высокотемпературного отжига (973 K, 1 ч, воздух). Температуспектры ФЛ тех же образцов, что и на рис. 4, но после ра измерения 300 K.

Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. Люминесценция наностержней оксида цинка практически не снижается при высокотемпературном отжиге (973 K). Таким образом, заполнение массива НК ZnO диоксидом кремния повышает как эффективность возбуждения, так и термостабильность экситонной ФЛ.

Наблюдается переход от спонтанной к стимулированной УФ ФЛ при интенсивности накачки 600 кВт/см2 в НК ZnO, полученных методом CVD.

Авторы благодарят И.И. Зверькову и С.В. Дубоноса за помощь в рентгеновской и электронно-микроскопической характеризации образцов.

Работа выполнена при финансовой помощи IST-2-511616-NoE (PHOREMOST), INTAS (проект № 2002-0796), РФФИ (проекты № 04-02-97263, № 04-02-16437) и CNRS (французско-российский Рис. 6. Спектры ФЛ наностержней ZnO, выращенных мепроект № 7781).

тодом CVD. Интенсивность возбуждения (снизу вверх) 70, 180, 600, 2500, 8000, 33 000 и 70 000 кВт/см2. Температура измерения 300 K. Список литературы [1] M.H. Huang, S. Mao, H. Fieck, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang. Science, 292, 1897 (2001).

лазером с длиной волны излучения 337.1 нм вплоть [2] Y.-K. Tseng, H.-S. Hsu, W.-F. Hsieh, K.-S. Kiu, I.-C. Cheng.

до 70 МВт/см2. На рис. 6 представлены спектры ФЛ J. Mater. Res., 18, 2837 (2003).

НК ZnO, полученных газофазным методом, при разных [3] H. Cao. Optics Photonics News (January 2005) p. 24.

плотностях мощности накачки. При интенсивности воз- [4] H.T. Ng, B. Chen, J. Li, J. Han, M. Meyyappan, J. Wu, S.X. Li, буждения более 600 кВт/см2 наблюдается резкое суже- E.E. Haller. Appl. Phys. Lett., 82, 2023 (2003).

[5] C.X. Xu, X.W. Sun, C. Yuen, B.J. Chen, S.F. Yu, Z.L. Dong.

ние линии экситонной люминесценции, интенсивность Appl. Phys. Lett., 86, 11 118 (2005).

которой растет нелинейно при дальнейшем повышении [6] B.P. Zhang, N.T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki, N. Usami.

мощности накачки. Такая зависимость интенсивности Appl. Phys. Lett., 83, 1635 (2003).

ФЛ от плотности мощности накачки указывает на пере[7] G.Z. Wang, N.G. Ma, C.J. Deng, P. Yu, C.Y. To, N.C. Hung, ход от спонтанного к стимулированному механизму УФ M. Aravind, D.H.L. Ng. Mater. Lett., 58, 2195 (2004).

излучения в НК ZnO. Измерения спектров ФЛ массива [8] L. Vayssieres, K. Keis, S.-E. Lindquist, A. Hagfeldt. J. Phys.

НК ZnO, выращенных из водного раствора методом Chem. B, 105, 3350 (2001).

термического разложения аминокомплексов Zn+2, не Редактор Л.В. Шаронова выявили перехода к стимулированному излучению во всем диапазоне мощностей накачки. Причиной такого Luminescence of the zinc oxide nanorods различия в ФЛ двух типов нанокристаллов может быть более дефектная структура кристаллов, выращенных из G.A. Emelchenko, A.N. Gruzintsev, A.B. Kulakov, водного раствора, на что указывают данные рентгеноди E.N. Samarov, I.A. Karpov, A.N. Red’kin, фракционных измерений.

E.E. Yakimov, C. Barthou+ Institute of Solid State Physics, 4. Заключение Russian Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, Russia Синтезированы нанокристаллы ZnO в форме гек Institute of Microelectronics Technology, сагональных стержней (диаметр 150-500 нм, длина Russian Academy of Sciences, 1-10 мкм) двумя различными способами: кристаллиза142432 Chernogolovka, Russia цией из водного раствора путем термического разложе+ Universit P. et M. Curie, Case 80, 4 Place Jussieu, ния аминокомплексов Zn+2 и химическим осаждением 75252 PARIS CEDEX 05, France из паровой фазы при низком давлении (CVD) без использования катализатора.

Abstract

Spontaneous and stimulated emission spectra of ZnO Исследована термостабильность ФЛ НК ZnO в диаnanorods grown by two methods were investigated. The stimulated пазоне 300-1200 K. Показано, что при температуре emission pumped under ultraviolet 337 nm N2 laser excitation was отжига выше 900 K интенсивность экситонной ФЛ резко observed at 385 nm at room temperature from the ZnO nanorods снижается и в спектрах появляется широкая зеленая grown by low-pressure CVD. The threshold pumped power for the полоса донорно-акцепторной рекомбинации.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.