WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

большой площади (планарное расположение контактов), то область электрической нейтральности не включает подложку, а включает только лишь часть эпитаксиальноСписок литературы го слоя, поэтому вымораживание носителей в подложке не оказывает влияния на измеряемую барьерную емкость [1] J. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, G. Abstreiter, H. Holz(рис. 4, кривая 2). В этом случае мы наблюдаем вымораbrecher. Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996).

живание носителей на мелких центрах, локализованных [2] R. Serna, J.H. Shin, M. Lohngmeier, E. Vlieg, A. Polman, в эпитаксиальном слое Si : Er, при более низкой темпераP.F.A. Alkemade. J. Appl. Phys., 79, 2658 (1996).

туре, что свидетельствует о меньшей энергии ионизации [3] В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 182 В.Б. Шмагин, Б.А. Андреев, А.В. Антонов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, О.А. Кузнецов...

[4] M. Stepikhova, A. Andreev, B. Andreev, Z. Krasil’nik, Electrically active centers in light emitting V. Shmagin, V. Kuznetsov, R. Rubtsova, W. Jantsch, H. Ellmer, Si : Er layers grown with sublimation L. Palmetshoffer, H. Preier, Yu. Karpov, K. Piplits, H. Hutter.

molecular beam epitaxy Acta Phys. Polon. A, 94, 549 (1998).

[5] А.Ю. Андреев, Б.А. Андреев, М.Н. Дроздов, В.П. Кузнецов, V.B. Shmagin, B.A. Andreev, A.V. Antonov, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, Ю.А. Карпов, Р.А. Рубцова, Z.F. Krasil’nik, V.P. Kuznetsov, O.A. Kuznetsov, М.В. Степихова, Е.А. Ускова, В.Б. Шмагин, Е. Хельмут, E.A. Uskova, C.A.J. Ammerlaan†, G. Pensl‡ Л. Пальметсхофер, К. Пиплитц, Х. Хайнц. ФТП, 33, (1999). Institute for Physics of Microstructures, [6] B.A. Andreev, A.Yu. Andreev, H. Ellmer, H. Hutter, Z.F. Kra- Russian Academy of Sciences, sil’nik, V.P. Kuznetsov, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshoffer, 603950 Nizhny Novgorod, Russia K. Piplits, R.A. Rubtsova, N.S. Sokolov, V.B. Shmagin, Physicotechnical Institute, M.V. Stepikhova, E.A. Uskova. J. Cryst. Growth, 201 / 202, N. Novgorod State University, 534 (1999).

603600 Nizhny Novgorod, Russia [7] M.V. Stepikhova, B.A. Andreev, V.B. Shmagin, Z.F. Krasil’nik, † Van der Waals–Zeeman Institute, V.P. Kuznetsov, V.G. Shengurov, S.P. Svetlov, W. Jantsch, University of Amsterdam, L. Palmetshofer, H. Ellmer. Thin Sol. Films, 381, 164 (2001).

1018 XE Amsterdam, The Netherlands [8] M. Stepikhova, B. Andreev, Z. Krasil’nik, A. Soldatkin, ‡ Institute of Applied Physics, V. Kuznetsov, O. Gusev. Mater. Sci. Eng. B, 81 (1–3), University of Erlangen-Nurnberg, (2001).

[9] В.Б. Шмагин, Б.А. Андреев, А.В. Антонов, З.Ф. Красиль- Gebaude A3, D-91058, Erlangen, Germany ник, М.В. Степихова, В.П. Кузнецов, Е.А. Ускова, О.А. Кузнецов, Р.А. Рубцова. Изв. РАН. Сер. физ., 65, 276 (2001).

Abstract

The electrically active defects in light-emitting Si : Er [10] D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974).

layers grown on Si substrates with sublimation molecular-beam [11] V.P. Kuznetsov, A.Yu. Andreev, O.A. Kuznetsov, L.E. Nikolaepitaxy (SMBE) are investigated using admittance spectroscopy eva, T.M. Sotova, N.V. Gudkova. Phys. St. Sol. (a), 127, with temperature scanning and deep level transient spectroscopy.

(1991).

The total concentration of electrically active defects is defined [12] Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия by shallow donors with the ionization energy from 0.016 to глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981).

0.045 eV. The growth and post-growth annealing influence on [13] С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинаelectrically active defects in SMBE Si : Er layers is investigated.

ционные процессы в активных элементах (М., Изд-во МГУ, 1995) гл. 1, с. 23. The essential difference between deep defects formed in SMBE [14] F.Y.G. Ren, J. Michel, Q. Sun-Paduano, B. Zheng, H. Kitagawa, and ion implanted Si : Er layers is found. It is supposed that there D.C. Jacobson, J.M. Poate, L.C. Kimerling. In: Rare Earth are additional channels of the energy transfer to Er3+ ions, not Doped Semiconductors, ed. by G.S. Pomrenke, P.B. Klein, and connected with energy level EC - 0.15 eV, in SMBE Si : Er layers.

D.W. Langer [Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (Pitsburgh), 422, 1996] p. 87.

[15] V.V. Emtsev, V.V. Emtsev jr., D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev, J. Michel, L.C. Kimerling. ФТП, 33, 1192 (1999).

[16] S. Libertino, S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. J. Appl. Phys., 78, 3867 (1995).

[17] Б.А. Андреев, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, А.О. Солдаткин, И.Н. Яссиевич. Изв. РАН.

Сер. физ., 65, 271 (2001).

[18] М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич.

ФТТ, 38, 1474 (1996).

Редактор Л.В. Шаронова Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.