WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

тами исследований вертикальных размеров поверхности [7] L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, S. Giorgio, M. Sentis, пленок методом атомно-силовой микроскопии.

W. Marine. Appl. Phys. A, 69 (Suppl.), 217 (1999).

[8] Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, И.Р. Базылюк, С.В. Свечников. ФТП, 37 (3), 353 (2003).

4. Заключение [9] П.М. Литвин, О.С. Литвин, И.В. Прокопенко, Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, Э.Г. Манойлов. В сб.: Наносистемы, Наблюдаемые в данной работе закономерности форнаноматериалы, нанотехнологии (Киев, Наук. думка, мирования НК Ge в матрице GeOx и их корреляция 2004) т. 1, № 2, с. 601.

с фотолюминесцентными свойствами согласуются с ха[10] И.П. Лисовский, В.Г. Литовченко, Д.О. Мазунов, Э.Б. Карактеристиками экситонной ФЛ и ранее обнаруженным ганович, И.М. Кизяк, Э.Г. Манойлов. УФЖ, 50 (6), влиянием условий формирования НК Si методом ИЛО (2005).

на их экситонную ФЛ. Спектры ФЛ полученных пленок [11] В.Я. Братусь, С.М. Окулов, Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, находят объяснение в рамках экситонной модели ФЛ КТ Э.Г. Манойлов. ФТП, 38 (5), 621 (2004).

[12] Y.M. Niquet, G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Appl. Phys.

Ge, размеры которых и пассивация безызлучательных Lett., 77 (8), 1182 (2000).

центров рекомбинации определяются условиями формирования. Излучательная аннигиляция экситонов в НК Редактор Т.А. Полянская Ge связана с увеличением энергии связи экситонов в нанокристалле по сравнению с c-Ge, которая задает их концентрацию. Энергия связи экситона возрастает с уменьшением размеров НК Ge [12], увеличением высоты барьера (НК Ge)/GeOx и зависит от коэффициента диэлектрической проницаемости матрицы GeOx (эффект диэлектрического усиления). Уменьшением дозы облучения мишени c-Ge, увеличением давления рабочего газа и расстояния подложки от точки распыления мишени, т. е. уменьшением размеров НК Ge достигается увеличение силы осцилляторов и увеличение интенсивности ФЛ, спектр которой лежит в высокоэнергетической области. Введение атомов золота способствует увеличению размеров НК Ge, одновременно обеспечивает их Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып. Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным... Photoluminescence from germanium quantum dots formed by pulsed laser deposition E.B. Kaganovich, E.G. Manoilov, E.V. Begun The V.E. Lashkarev Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, 03028 Kiev, Ukraine

Abstract

A time-resolved photoluminescence in 1.4-3.2 eV energy range and 50 ns-20 µs time of relaxation range in GeOx (x 2) films (including Ge nanocrystals) was measured. Films were obtained by a single–stage method of the pulsed laser deposition from a direct and back flow of particles of an erosive torch in an atmosphere of oxygen and argon. The dependence of photoluminescent properties of films on the parameters of deposition and doping by gold was investigated. The photoluminescence bands with maximums at energy 1.45-2.1eV are not so wide, slow, energetically close located, while bands with maximums about 2.5 and 2.7-2.9 eV are wide, faster, energetically a little blocked. The results have been explained in the framefork of excitonic model of photoluminescence from Ge quantum dots, the sizes of which being determined by conditions of their formation.

Физика и техника полупроводников, 2007, том 41, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.