WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ется существенным отличием указанных дефектов от подобных им по исходному строению комплексов VGaTeAs [12] И.Я. Буянова, С.С. Остапенко, М.К. Шейнкман. ФТТ, 27, 748 (1985).

и VGaSnGa, для которых такие дисторсии существуют и [13] Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, оказывают заметное влияние на поляризацию излучения В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 50 (1991).

и поглощения света центрами. Качественно такое разли[14] Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, чие может быть объяснено следующим образом. Можно В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 58 (1991).

предполагать, что дырка, появляющаяся на комплексе [15] Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов, в излучающем состоянии, локализована на орбиталях Н.А. Смирнов, А.Ф. Цацульников. ФТП, 25, 1976 (1991).

глубокого акцептора. Известно, что в состоянии Cu- [16] Т.К. Аширов, А.А. Гуткин. ФТП, 17, 418 (1983).

Ga Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Фотолюминесценция комплексов CuGaTeAs и CuGaSnGa в n-GaAs... [17] Y.Q. Jia, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, C. Delerue. Phys.

Rev. B, 45, 1645 (1992).

[18] Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 33, (1999).

Редактор В.В. Чалдышев Photoluminescence of CuGaTeAs and CuGaSnGa complexes in n-GaAs at resonant polarized excitation N.S. Averkiev, A.A. Gutkin, V.E. Sedov Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

Photoluminescence (PL) of n-type GaAs:Te:Cu and GaAs:Sn:Cu with electron density about 1018 cm-3 has been studied at 77 K. A broad band with maximum at the photon energy near 1.30 eV (GaAs:Te:Cu) or 1.27 eV (GaAs:Sn:Cu) dominated in the PL spectrum at interband excitation. This band arose from recombination of electrons with holes trapped by CuGaTeAs or CuGaSnGa complexes. It has been found that the low-energy edge of the excitation spectrum of this PL band at the photon energies below 1.4 eV is determined by the optical emission of electrons from a complex into the c-zone or a shallow excited state. The values of the PL polarizartion in the case of its excitation by polarized light from this spectral range lead to a conclusion that the complexes have no additional distortions caused by an interaction of a hole bound at the center in the light-emitting state with local phonons of low symmetry. This feature makes complexes CuGaTeAs and CuGaSnGa different from the complexes with the Ga vacancy (VGa) instead of CuGa. The dissimilarity arises from the difference in the intensity of interaction of a hole localized on the orbital of a single acceptor in the state corresponding to its state in the 2complex (Cu- and VGa ) with low-symmetric vibrations of atoms.

Ga The perturbation induced by the donor in the complex does not practically affect interaction.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.