WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Проведенные исследования показали, что примесь кремния изменяет зонный спектр Hg3In2Te6, внося локализованные состояния акцепторного и донорного типа, квазинепрерывно распределенные по всей запрещенной зоне, на фоне которых при NSi 4.5 · 1017 см-3 образуется примесная зона с энергетическим положением максимума плотности состояний Ec - 0.29 эВ. При NSi > 4.5 · 1017 см-3 происходит полная компенсация противоположно заряженных центров, в результате чего в запрещенной зоне образуется сплошная бесструктурная полоса локализованных состояний.

Список литературы [1] О.Г. Грушка, З.М. Грушка, В.М. Фрасуняк, В.С. Герасименко. ФТП, 33, 1416 (1999).

[2] О.Г. Грушка, П.М. Горлей, А.В. Бесценный, З.М. Грушка.

ФТП, 34, 1197 (2000).

[3] G.G. Grushka, A.P. Bakhtinov, Z.M. Grushka. J. Adv. Mater., 4 (1), 36 (1997).

[4] Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями, под ред. В.И. Фистуля (М., Металлургия, 1987).

4 Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.