WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

этапе приводит к образованию незаряженных ДАП типа Дополнительную информацию о магнитных свойствах VCdGeCd. Как установлено в [11], при концентрации Ge легированных Ge образцов можно получить из данных примерно более 5 · 1016 см-3 вхождение германия соисследования кривых намагничивания (рис. 3). Наличие провождается возрастанием удельного сопротивления и, гистерезиса (последний наблюдается и в других обпо нашим данным, незначительным изменением магразцах) прежде всего свидетельствует о необратимости нитной восприимчивости легированных монокристаллов процессов намагничивания дефектных кристаллов CdTe, (рис. 2) при T = 300 K. При дальнейшем увеличении реализация которого в основном связывается нами с концентрации примеси удельное сопротивление не завиориентацией магнитных кластеров во внешнем магнитсит практически от содержания последней, а суммарная магнитная восприимчивость при T = 300 K существенно возрастает по величине (рис. 2). Данные факты можно трактовать как результат вхождения германия в междоузлия с последующим изменением их зарядовых состояний при выполнении условия электронейтральности единицы объема. Такой процесс сопровождается возникновением локальных полей и, как следствие, приводит к увеличению вклада ванфлековского парамагнетизма.

С понижением температуры в интервале от 70 до 20 K неизбежно происходит изменение зарядового состояния межузельного теллура от Te i до Te i, а затем до нейтрального состояния за счет локализации дырок около примесных центров. В образцах с разным содержанием Ge процесс протекает с различной степенью интенсивРис. 5. Проекция фрагмента структуры CdTe на плосности. Наиболее ярко данный факт проявляется в образкость (110). Стрелками показано направление движения ноце CdTe, содержащем примесь на уровне 5 · 1016 см-сителей под действием магнитного поля.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Магнитные свойства теллурида кадмия, легированного германием 4. Заключение Представленные результаты со всей очевидностью свидетельствуют о возможности магнитных методов для изучения реальной структуры диамагнитных кристаллов.

Впервые с большой степенью вероятности показана роль межузельного Te в формировании суммарной магнитной восприимчивости. Дальнейшие шаги должны быть предприняты в направлении развития теоретических подходов в описании дефектной подсистемы кристаллов.

Список литературы [1] M. Hage-Ali, P. Siffert. In: Semiconductors for Room Temperature Detector Applications, Semiconductors and Semimetals, 43, p. 291 (Acad. Press, 1995).

[2] E. Rzepka, Y. Marfaing, M. Cuniot, R. Triboulet. Mater. Sci.

Eng. B, 16, 262 (1993).

[3] Физика соединений AIIBVI, под ред. А.Н. Георгибиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986) гл. 3, с. 72.

[4] F.A. Krger. Chemistry of imperfect Crystals (N. Y.: Acad.

Press, 1964).

[5] V.I. Ivanov-Omskii, B.T. Kolomiets, V.K. Ogorodnikov, Yu.V. Rud’. Phys. St. Sol. A, 13, 61 (1972).

[6] Р.Д. Иванчук, Е.С. Никонюк, А.В. Савицкий, И.Ф. Сницко.

ФТП, 11, 2046 (1977).

[7] Ю.В. Шалдин. Неорг. матер., 37, 670 (2001).

Рис. 6. Температурные зависимости действительной ( ) и [8] Ю.В. Шалдин, Д.А. Белогуров. ФТП, 6, 934 (1972).

мнимой ( ) частей магнитной восприимчивости CdTe Ge [9] Н.А. Клименко, В.К. Комарь, В.П. Мигаль, Д.П. Наливайпри концентрации 5 · 1015 см-3. Измерения выполнены на ко. ФТП, 35, 139 (2001).

магнитометре EXA, Oxford Inst. 1000 Гц, 20 Э А. Залесским [10] O. Madelung. Physics of III–V Compounds (N. Y., L., S., John (INTiBS Wroclaw, Польша). Wiley & S., 1964) ch. 5, p. 257.

[11] O. Panchuk, A. Savitsky, P. Fochuk, Ye. Nykonyuk, O. Parfenyuk, O. Shcherbak, M. Ilashchuk, L. Yatsunyk, P. Feychuk.

J. Cryst. Growth, 197, 607 (1999).

ном поле. Проводя аналогию с ферромагнетиком, иссле- [12] Ю.М. Иванов. Неорг. матер., 34, 1062 (1998).

[13] Yu.M. Ivanov. J. Cryst. Growth, 194, 309 (1998).

дованные образцы в сильном поле стремятся перейти в [14] P. Hosch, Ju.M. Ivanov, E. Belas. J. Cryst. Growth, 184/185, абсолютно устойчивое состояние с минимумом соответ1039 (1998).

ствующего термодинамического потенциала. В случае [15] R.M. White. Quantum Theory of Magnetism (B., H., N. Y., слабого поля в реальных образцах CdTe существует доSpringer Verlag, 1983) ch. 3, p. 79.

статочно метастабильных состояний, соответствующих [16] Ю.В. Шалдин. ФТТ, 37, 1555 (1995).

минимумам потенциала. Переходы между последними [17] С.В. Вонсовский. Магнетизм (М., Наука, 1971) гл. 12, при фиксированных внешних воздействиях затруднены с. 229.

благодаря высоким потенциальным барьерам, превы[18] R. Parmenter. Phys. Rev., 100, 573 (1955).

шающим kT. Вариации внешних воздействий изменя[19] T. Taguchi, B. Ray. Progr. Cryst. Growth, Charact. 6, ют условия термодинамического равновесия. Однако в (1983).

[20] A. Vasil’ev, T. Voloshok, J. Warchulska, H. Kageyama. J. Phys.

отличие от ферромагнетика необратимость процессов Soc. Japan, 70, 22 (2001).

намагничивания обусловлена только размерами струк[21] М.Х. Рабаданов, Ю.В. Шалдин, И. Вархульска, В.К. Котурных неоднородностей (кластеров) с произвольной марь. Тез. докл. X Нац. конф. по росту кристаллов (М., ориентацией осей легкого намагничивания: т. е. намагРоссия, 2002) с. 86.

ниченность зависит от формы дефектных образований и их ориентации относительно кристаллографических Редактор Л.В. Беляков направлений. В магнитных полях более 0.25 Тл образцы постепенно переходят в диамагнитное состояние, сопровождающееся насыщением намагниченности. В этой области магнитных полей производная M/T для всех образцов практически постоянна и не зависит от концентрации легирующей примеси.

4 Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 178 Ю.В. Шалдин, И. Вархульска, Ю.М. Иванов Magnetic properties of germanium–doped CgTe Yu.V. Shaldin, I. Varhulska, Yu.M. Ivanov Institut of Crystallography, Russian Academy of Sciences, 119333 Moscow, Russia The International Laboratory of High Magnetic fields and Low Temperatures, 53-421 Wrozlaw, Poland

Abstract

A substantial contribution of the Van Vleck paramagnetic component to the total magnetic susceptibility of Gedoped CdTe was found in the 4.2-300 K temperature range. An anomaly in the temperature dependence results from a charge state of interstitial Te whose contribution begins to compete with the diamagnetic effect due to probable vacancy migration along closed local hexagonal-shape trajectories. A hysteresis of magnetization was observed in unannealed samples in weak magnetic fields.

This was connected with the orientation of magnetic clusters in the external field. The nature of the Van Vleck contribution to magnetization is discussed.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.