WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

В завершение заметим, что для случая прямых пе[16] К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977).

реходов между подзонами легких и тяжелых дырок Редактор Т.А. Полянская теория предсказывает максимум в спектре излучения кремния, расположенном на самом краю исследуемого Hot-carrier long-wavelength emission in спектрального диапазона ( 0.3эВ [9]). Однако сходный silicon характер спектральных кривых, полученных на n-p-n- и p-n-p-структурах, а также близкая квантовая эффективL.A. Kosyachenko, M.P. Mazur ность излучения в обоих случаях свидетельствуют о том, Chernovtsy State University, что сделанные выводы о механизме излучения относятся 274012 Chernovtsy, the Ukraine не только к электронам, но и к дыркам.

Abstract

Hot electroluminescence from silicon in the photon energy range of 0.25–0.8 eV has been investigated. Emission 4. Заключение spectra have been obtained for the transistor structures at low accelerating voltages when only carriers of one sign are involved Использование структуры биполярного транзистора in the excitation. Participation of hot-carriers both in direct and позволило исследовать горячую электролюминесценцию indirect intraband transitions is discussed.

кремния в области энергии фотонов 0.25–0.8 эВ при низких ускоряющих напряжениях, когда ударная ио- E-mail: lakos@unicom.chernovtsy.ua (L.A. Kosyachenko) низация не проявляется и в формировании свечения принимают участие носители только одного знака. Как для электронов, так для дырок, полученные спектры излучения представляют собой монотонно убывающие при увеличении энергии фотона зависимости, что расходится с результатами теории прямых межподзонных электронных переходов (приводящей к максимуму в области 0.5–0.8 эВ) и согласуется с моделью непрямых внутризонных переходов с участием фононов или примеси.

Авторы выражают глубокую благодарность С.М. Куликовской за помощь в проведении экспериментов.

Список литературы [1] R. Newmann. Phys. Rev., 100, 700 (1955).

[2] A.G. Chynoweth, K.G. Mckay. Phys. Rev., 102, 369 (1956).

[3] T. Figielski, A. Torun. Proc. Int. Cohf, Phys. Semicond.

(Exeter, UK, 1962) p. 853.

[4] W. Haeker. Phys. St. Sol.(a), 25, 301 (1974).

[5] Л.А. Косяченко, Е.Ф. Кухто, В.М. Склярчук. ФТП, 18, (1984).

[6] A. Toriumi, M. Yoshimi, M. Iwose, Y. Akijama, K. Taniguchi.

IEEE Trans. Electron. Dev., 34, 1501 (1987).

[7] M. Herzog, F. Koch. Appl. Phys. Lett., 53, 2620 (1988).

[8] N.C. Dass, B.M. Arora. Appl. Phys. Lett., 56, 1152 (1990).

[9] L. Carbone, R. Brunetti, C. Jacoboni, A. Lacaita, M. Fishetti.

Simicond. Sci. Technol., 9, 674 (1994).

[10] J. Bude, N. Sano, A.Yoshi. Phys. Rev. B, 45, 5848 (1992).

[11] Н.Т. Баграев, Л.Е. Клячкин, Е.И. Чайкина. Письма ЖЭТФ, 58, 620 (1993).

Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып.

Pages:     | 1 ||





© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.