WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ческой проницаемости можно оценить следующим [Пер. с нем.: O. Madelung. Festkorpertheorie I, II (Springer– Verlag, Berlin, N. Y., Heidelberg, 1972)].

образом. Если принять, что для PbTe при T = 4.2K [12] S. Takaoka, T. Hamaguchi, S. Shimomura, K. Murase. Sol. St.

= 40 [12], и воспользоваться соотношением Мотта Commun., 54, 99 (1985).

Eg(Pb0.25Sn0.75Te) 2 [13] N. Romcevic, Z.V. Popovic, D.R. Khokhlov, A.V. Nikorich, (Pb0.25Sn0.75Te) =(PbTe) Eg(PbTe) W. Konig. Infr. Phys., 31, 225 (1991).

(Eg — ширина запрещенной зоны), то для (3) полу- Редактор Л.В. Шаронова чим = 21.3. Отсюда значение энергии поперечного оптического фонона TO = 1.8 мэВ. Это значение близко к величине (1.55 мэВ), которую можно получить, например, из данных работы [10].

Если значение TO оценено верно, то однофононное поглощение для использованного в данной работе субмиллиметрового лазерного излучения должно отсутствовать. Однако вблизи центра зоны Бриллюэна может осуществляться и двухфононное поглощение с рождением фононов с противоположными значениями квазиимпульсов.

Прояснить ситуацию могут измерения температурных зависимостей ВАХ при воздействии лазерного излучения, которые в настоящий момент готовятся.

4. Заключение Обнаружен эффект увеличения тока в пленках СОТ In при воздействии лазерного излучения с длиной волны 336.8 мкм. Этот эффект не объясняется разоФизика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Фоточувствительность пленок Pb1-xSnx Te In в терагерцовой области спектра Photosensitivity of Pb1-x SnxTe In films within the terahertz spectral range A.N. Akimov, V.G. Erkov, V.V. Kubarev, E.L. Molodtsova, A.E. Klimov, V.N. Shumsky Institute of Semiconductor Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, 630090 Novosibirsk, Russia Institute of Nuclear Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch, 630090 Novosibirsk, Russia

Abstract

An increase of conductivity is observed under liquid helium temperatures in Pb1-x SnxTe In /BaF2 films illuminated with laser radiation of = 336.8 µm ( f = 0.9 · 1012 Hz). This effect cannot be related to the sample heating. The measured photosignal relaxation time is no higher than the RC constant of the measuring equipment, which equals fractions of a second. It is also significantly shorter than the value measured for absorption in the fundamental range for Pb1-x SnxTe In. This can result from the increase of low-frequency permittivity, due to photonstimulated generation of one or two transverse optical phonons.

The phonons are generated near the center of the Brilloin’s zone on the branch, corresponding to the ferroelectric phase transition.

This results in an increased injection from contacts limited by space charge without generation of free charge carriers in the bulk.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.