WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

Как уже отмечалось, при дозе облучения реакторными нейтронами n = 1017 см-2 эффективность ВТЛ в Редактор Л.В. Беляков S-образцах существенно выше, а температура ее отжига на 250-300C больше, чем в L-образцах (рис. 4). При Annealing of deep boron centers больших дозах облучения концентрация радиационных in silicon carbide дефектов во много раз превосходит концентрацию стеV.S. Ballandowich, E.N. Mokhov хиометрических дефектов как в L-, так и в S-образцах, поэтому предыстория образца уже не оказывает влияния Ioffe Physicotechnical Institute, на эффективность ВТЛ и температуру отжига D-центров.

Russian Academy of Sciences, Таким образом, вся совокупность полученных резуль194021 St.Petersburg, Russia татов объясняется тем, что центры глубокого бора при температурах выше 1500C являются метастабильными,

Abstract

Effect of thermal annealing on the high temperature luи их сохранение в этой температурной области обусловminescence efficiency (HTL) in 6H-SiC samples grown in different лено присутствием кластеров собственных дефектов, conditions and doped with boron impurity was investigated. Some вводимых в кристаллы SiC при росте, диффузии бора или of the crystals were irradiated by reactor neutrons or fast electrons.

облучении образцов высокоэнергетическими частицами.

The HTL efficiency was shown to depend on the abundance of deep boron centers discovered by capacitive spectroscopy as Авторы выражают благодарность Ю.А. Водакову за D-centers. High temperature treatment of samples results in участие в обсуждении результатов работы, Е.Е. Гончаdecomposition of D-centers which is identified as BSi-VC complexes.

рову за измерение концентрации бора в образцах.

Some part of boron centers transform in electrical neutral state. The deep boron centers are shown to be stable at temperature as low as 1500C. Conservation of these centers in SiC crystals at higher Список литературы temperatures (up to 2600C) is caused by presence of clusters which are the sources of nonequilibrium carbon vacancies. The [1] S.H. Hagen, A.W.C. Kemenade. Phys. St. Sol. A, 33, 97(1976).

[2] Ю.А. Водаков, Н. Жумаев, Б.П. Зверев, Г.А. Ломакина, SiC crystals grown in the silicon excess vapor system or irradiated Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, Ю.Ф. Симахин. by high energy particles contain such clusters. The dependence of ФТП, 11, 373 (1977).

both D-centers concentrations and their annealing temperatures on [3] Э.Е. Виолин, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 6, 1696 (1964).

the grown and doping conditions may be explained by the presence [4] H. Kuwabara, S. Yamada. Phys. St. Sol. A, 30, 739 (1975).

of different type clusters in the SiC samples.

[5] А.И. Вейнгер, Ю.А. Водаков, Ю.И. Козлов, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.И. Соколов. Письма ЖТФ, 6, 1319 (1980).

[6] V.S. Ballandowich, Yu.N. Tairov, G.N. Violina. Phys. St. Sol.

A, 65, 109 (1981).

[7] М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов.

ФТП, 19, 114 (1985).

[8] W. Suttrop, G. Pensl, P. Lanig. Appl. Phys. A., 51, 231 (1990).

[9] А.Г. Зубатов, И.М. Зарицкий, С.Н. Лукин, Е.Н. Мохов, В.Г. Степанов. ФТТ, 27, 322 (1985).

[10] A. Van Duijn-Arnold, T. Ikoma, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, J. Schmidt. Phys. Rev. B., 57, 1607 (1998).

[11] Ю.А. Водаков, Г.Г. Гончаров, Г.А. Ломакина, А.А. Мальцев, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, М.Г. Рамм, Г.Г. Рябова. ФТП, 21, 207 (1987).

[12] В.С. Балландович, Е.Н. Мохов. ФТП, 29, 370 (1995).

[13] Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist.

und Techn., 14, 729 (1979).

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.