WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

тров дифракционных кривых мы связываем с отжигом Это подтверждается тем фактом, что Ph const, где образцов ПКК при 2000C перед эпитаксиальным ро- P — пористость слоя, h — его толщина. Очевидно, что стом. Резкое (в 2-3 раза) уменьшение ds указыает на Ph = NV, где N —количество пор на 1 см2 поверхности, перестройку структуры ПКК. Оценки дают возрастание V — объем одной поры. Из таблицы видно, что объем диаметра пор до 0.052 мкм при 20 мА/см2 и 0.077 мкм поры не увеличивается с ростом плотности тока при при 100 мА/см2. анодном травлении, следовательно, и количество пор в Изменение формы максимума диффузного пика связа- данном диапазоне плотностей тока остается постоянным N 3 · 1010 см-2. Отсюда следует, что рост пористости но как с перестройкой структуры ПКК, так и с вкладом с ростом плотности анодного тока происходит не за в регистрируемую кривую качания тонкого эпитаксиальсчет возрастания количества пор в слое, а за счет ного слоя. Дифракционная характеризация последнего увеличения эффективного диаметра пор. Поверхность затруднена из-за 10-20-кратного превышения толщины же поры уменьшается с ростом плотности тока за счет ПКК над толщиной эпитаксиального слоя и совпадения уменьшения толщины пористого слоя с одновременным их пиков на дифракционной кривой. Однако полуширина динамического пика позволяет утверждать, что структур- увеличением диаметра пор.

ные характеристики этого слоя не хуже, чем у исходной По рентгеновским данным установлено, что в преподложки. Но в отличие от последней эпитаксиальный делах точности измерений пористость не изменяется слой имеет хорошую однородность по площади образца. при отжиге пористого образца перед ростом на нем Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Влияние высокотемпературного эпитаксиального процесса роста слоев SiC на структуру... эпитаксиального слоя SiC. В то же время (табл. 2) [12] D. Bellet, G. Dolino, M. Ligeon, P. Blanc, M. Krisch. J. Appl.

Phys., 71, 145 (1992).

количество пор снижается, поверхность и объем одной поры вырастают. Этот факт можно объяснить перестройРедактор Т.А. Полянская кой структуры ПКК при высокотемпературном отжиге образцов, в результате которой произошло слияние отThe effect of high-temperature annealing дельных пор с увеличением их диаметра, что видно на on the structure of porous silicon carbide рис. 2. Можно предположить, что структурная перестойка вызвана сублимацией вещества внутри пор, а также N.S. Savkina, V.V. Ratnikov, V.B. Shuman существующими в ПКК механическими напряжениями.

Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia Заключение

Abstract

Porous silicon carbide layers obtained by electrocheПроведенные исследования показали, что нагрев пориmical etching of 6H-SiC at three levels of current density have стого карбида кремния до 2000C и последующий рост been investigated. The structure of layers was studied by means of на нем эпитаксиального слоя приводят к трансформации the x-ray double-crystal and triple-crystal diffractometry methods исходной структуры ПКК, сопровождающейся слиянием and the scanning electron microscopy before and after the highотдельных пор и уменьшением их количества. В то же temperature growth of epitaxial 6H-SiC layers by sublimation. It время снижение в 4-6 раз биаксиальных сжимающих наhas been found that amount of pores in the structure does not пряжений в эпитаксиальном слое на ПКК, лучшая одноdepend on the current density under electrochemical etching. The родность дифракционных характеристик эпитаксиальноincrease in the pore effective diameter with increase in current го слоя по всей площади образца, а также наблюдавшееся density leads to the growth of the structure porosity. Highранее [6] снижение на порядок плотности дислокаций в temperature annealing results in the restructuring without changing толстом слое дают основания предположить, что такие the sample porosity. The structure modification is accompanied слои могут найти дальнейшее применение в качестве by coalescence of single pores and simultaneously increasing pore буферных. Однако надо заметить, что необходимо проdiameters.

ведение дальнейших исследований в этом направлении для определения оптимальных режимов создания ПКК и последующего его отжига.

Список литературы [1] T. Matsumoto, J. Takahashi, T. Tamaki, T. Futagi, H. Mimura.

Appl. Phys. Lett., 64, 226 (1994).

[2] A.O. Konstantinov, A. Henry, C.I. Harris, E. Jansn. Appl.

Phys. Lett., 66 (17), 2250 (1995).

[3] А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук, А.Ю. Рогачев.

ФТП, 31 (4), 420 (1997) [Semiconductors, 31 (4), (1997)].

[4] A.M. Danishevskii, M.V. Zamoryanskaya, A.A. Sitnikova, V.B. Shuman, A.A. Suvorova. Semicond. Sci. Technol., 3, (1998).

[5] S. Zangooie, H. Arwin. Extended Abstr. of the 2nd International Conference (Madrid, March 12–17, 2000) p. 117.

[6] M. Mynbaeva, N. Savkina, A. Zubrilov, N. Seredova, M. Scheglov, A. Titkov, A. Tregubova, A. Lebedev, A. Kryzhanovski, I. Kotousova, V. Dmitriev. Mater. Res. Symp. Vol. (C): 2000 Materials Research Society, 08.6.1.

[7] J.S. Shor, I. Grimberg, B.-Z. Weiss, A.D. Kurtz. Appl. Phys.

Lett., 62, 2836 (1993).

[8] N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel’chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B, 61–62, 165 (1999).

[9] В.В. Ратников. ФТТ, 39 (5), 956 (1997).

[10] G. Stoney. Proc. R. Soc. London, Ser. A, 82, 172 (1925).

[11] G. Rozgonyi, P. Petroff, M. Panish. J. Cryst. Growth, 27, (1974).

3 Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.