WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Сравнивая относительные интенсивности полос излу4. Заключение чения разных образцов, можно заметить определенные закономерности их изменения вдоль оси слитка. Так, Примесь кремния не проявляет в теллуриде кадмия при переходе от нижней части кристалла к его вершине компенсирующего и стабилизирующего действия, как наблюдается уменьшение интенсивности всех линий ФЛ, это имеет место при легировании CdTe другими элеменсвязанных с участием доноров: экситонов, локализовантами IV группы (Ge, Sn, Pb). Изменения электрических ных на нейтральных донорах, линии (D-A) в краевой свойств, которые наблюдаются при нагревании кристалобласти и полосы DAP около 1.4 эВ. Результаты фотолюлов CdTe : Si и образцов нелегированного теллурида кадминесцентных и электрических измерений хорошо сомия, близки между собой. Равновесные и неравновесные гласуются между собой. Как видно из таблицы, в нижней процессы в исследуемых образцах зависят в основном от части кристалла СТ274 есть большое количество мелких донорных дефектов (низкоомный n-тип). Поэтому понят- состояния системы собственных и примесных точечных дефектов и их комплексов, а также от степени структурна большая относительная интенсивность полос (D0, X), ного совершенства полупроводника.

(D-A) и DAP в спектре ФЛ образца 1. В верхней части кристалла (p-тип) преобладают акцепторые дефекты и упомянутые линии излучения менее интенсивны или Список литературы вообще отсутствуют.

Для образца 1, холловская подвижность электронов [1] K.R. Zanio. Semiconductors and Semimetals (N.Y.–San FranµH в котором близка к максимально возможной, была cisco–London, 1978) v. 13, p. 235.

оценена концентрация ионизованных центров Ni на [2] P. Rudolph, M. Mhlberg, M. Neubert, T. Boeck, P. Mck, основании анализа температурной зависимости µH в L. Parthier, K. Jacobs. J. Cryst. Growth, 118, 204 (1992).

области азотных температур. В учетом лишь двух меха- [3] L. Chibani, M. Hage-Ali, J.P. Stoguert, J.M. Koebel, P. Siffert.

низмов рассеяния (на фононах и ионизованных центрах) Mater. Sci. Eng. B, 16, 202 (1993).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 152 О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, К.С. Уляницкий, П.М. Фочук, О.М. Стрильчук, С.Г. Крилюк...

[4] R. Zieliska-Purgal, J. Piwowarczyk, W. Nazarewich. Phys.

Status Solidi B, 186, 355 (1994).

[5] I.N. Odin, M.V. Chukichev, V.A. Ivanov, M.E. Rubina. Inorg.

Mater., 37, 455 (2001).

[6] A.V. Savitsky, O.A. Parfenyuk, M.I. Ilashchuk, P.M. Fochouk, N.D. Korbutyak. Semicond. Sci. Technol., 15, 263 (2000).

[7] S.H. Song, J.F. Wang, M. Isshiki. J. Cryst. Growth, 257, (2003).

[8] H.-Y. Shin, C.-Y. Sun. J. Cryst. Growth, 186, 354 (1998).

[9] S. Seto, K. Suzuki, V.N. Abastillas Jr., K. Inabe. J. Cryst.

Growth, 214/215, 978 (2000).

[10] H.-Y. Shin, C.-Y. Sun. Mater. Sci. Eng., B52, 78 (1998).

[11] Д.В. Корбутяк, С.Г. Крилюк, Ю.В. Крюченко, Н.Д. Вахняк.

ОПТ, 37, 27 (2002).

[12] А.В. Савицкий, О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, А.Й. Савчук, С.М. Чупыра. ФТП, 38, 516 (2004).

[13] P.J. Dean, G.M. Williams, G. Blackmore. J. Phys. D, 17, (1984).

[14] C. Onodera, T. Taguchi. J. Cryst. Growth, 101, 502 (1990).

[15] S. Seto, A. Tanaka, F. Takeda, K. Matsuura. J. Cryst. Growth, 138, 346 (1994).

[16] Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970).

[17] A.V. Savitsky, M.I. Ilashchuk, O.A. Parfenyuk, K.S. Ulyanitsky, V.R. Burachek, R. Ciach, Z. Swiatek, Z. Kuznizki. Thin Sol.

Films, 361, 203 (2000).

[18] А.В. Савицкий, М.И. Iлащук. О.А. Парфенюк, К.С. Ульяницький, П.М. Фочук. УФЖ, 41, 82 (1996).

Редактор Л.В. Шаронова Electrical properties and the low-temperature photoluminescence of Si-doped CdTe single crystals O.A. Parfenyuk, M.I. Ilaschuk, K.S. Ulyanitskii, P.M. Fochuk, O.M. Strilchuk, S.G. Krylyuk, D.V. Korbutyak Yuri Fed’kovich Chernovtsy National University, 58012 Chernovtsy, Ukraine V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine, 03028 Kiev, Ukraine Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.