WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 2 Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированных Si © О.А. Парфенюк¶, М.И. Илащук, К.С. Уляницкий, П.М. Фочук, О.М. Стрильчук, С.Г. Крилюк, Д.В. Корбутяк Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина (Получена 18 апреля 2005 г. Принята к печати 18 мая 2005 г.) Методом Бриджмена выращены монокристаллы CdTe : Si с разными концентрациями примеси Si:

C0 = 2 · 1018-5 · 1019 см-3. Образцы имели n- и p-типа проводимости, величина которой была в пределах Si = 2 · 10-1-8 · 10-9 Ом-1 · см-1. При нагревании кристаллов p-типа проводимости в интервале температур 300-440 K происходил их отжиг, при этом проводимость уменьшалась. Вид спектров низкотемпературной (5-20 K) фотолюминесценции образцов указывает на их высокое структурное совершенство. Особенностью излучения кристаллов CdTe : Si является уменьшение интенсивности всех линий, которые образуются при участии доноров, по мере приближения к верхней части слитков. Полученные результаты указывают на то, что примесь Si, в отличие от Ge, Sn и Pb, не проявляет в CdTe компенсирующего и стабилизирующего действия.

PACS: 78.55.Et, 73.61.Ga 1. Введение полосы излучения (0.88 мкм) в спектрах катодолюминесценции образцов CdTe : Si, отожженных в парах Te Теллурид кадмия является одним из наиболее пер- и Si2Te3.

спективных материалов класса AIIBVI для полупровод- Данная работа посвящена изучению электрических и никового приборостроения. Свойства данного соедине- фотолюминесцентных свойств монокристаллов CdTe : Si, ния в значительной мере определются взаимодействием легированных кремнием в разной концентрации, с целью между системами собственных и примесных дефектов, а установления возможной корреляции между параметратакже дефектно-примесных комплексов [1]. Для кристал- ми образцов и количеством легирующего элемента.

лов CdTe, выращенных из жидкой фазы, типичными являются значительные концентрации фоновых примесей, 2. Экспериментальная часть 1016 см-3, которые могут находиться в электрически активном состоянии [2] и существенно влиять на свойКристаллы CdTe : Si выращивались методом Бриджмества образцов при контролируемом легировании.

на. Легирующая примесь добавлялась в предварительно Одна из наиболее распространенных фоновых примесинтезированный материал, и ее концентрация в твердой сей в CdTe — кремний. Основным источником загрязфазе была в границах C0 = 2 · 1018-5 · 1019 см-3. Для Si нения данным элементом являются кварцевые ампулы, выращивания использовали предварительно очищенные в которых выращивают кристаллы. Согласно данным элементарные Cd и Te.

работы [2], в кристаллах CdTe, выращенных метоОбразцы для исследований вырезались из участков дом Бриджмена из исходных компонент чистоты 5N слитков с разной приведенной длиной g (g = l/l0, где и дополнительно очищенных стандартными методами, l0 — общая длина слитка, l — расстояние от начала концентрация кремния достигает 1017 см-3. Однако инслитка до места, из которого изготавливался образец).

формации о влиянии кремния на свойства CdTe в Методика приготовления образцов и нанесения конлитературе очень мало. Исследуя свойства кристаллов тактов описаны в [6]. Электрические измерения (элекCdTe : Si, выращенных из раствора–расплава в теллуре, тропроводность, коэффициент Холла RH) проводиавторы работы [3] не обнаружили корреляции между ли на постоянном токе с использованием образцов в электрическими свойствами и содержанием примеси Si, форме прямоугольных параллелепипедов, на боковые если его концентрация не превышала 1018 см-3. Легируя грани которых наносили две пары зондовых контактов.

исходный материал одновременно литием и кремниИзмерения электрических характеристик проводили в ем и изучая инфракрасную спектроскопию поглощеинтервале температур T = 80-440 K в направлении пония, авторы [4] отмечают, что атомы кремния могут вышения и понижения температуры.

размещаться в узлах кадмиевой подрешетки, входя в Спектры низкотемпературной фотолюминесценции состав ассоциатов (LiCd-SiCd). С влиянием примеси Si (ФЛ) измерялись на сколотых поверхностях образцов авторы работы [5] связывают возникновение новой с помощью монохроматора МДР-23, оснащенного охла¶ E-mail: p_ebox@mail.ru ждаемым фотоумножителем ФЭУ-62. Для возбуждения Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe... Равновесные характеристики образцов CdTe : Si при 300 K № Концентрация Приведенная Тип прово- Удельная проводи- Подвижность µH, Энергия активаСлиток образца примеси C0, см-3 длина g = l/l0 димости мость, Ом-1 · см-1 см2/В · с ции E, эВ Si 1 0.20 n 2.0 · 10-1 960 0.2 СТ274 2 · 1018 0.46 Инверсия 1.0 · 10-3 0.81 p 7.9 · 10-9 86 0.4 0.33 p 4.1 · 10-11У-86(II) 5 · 5 0.75 p 1.4 · 10-6 0.26 p 7.5 · 10-8 53 0.7 11У-86(III) 1 · 1019 0.52 n 1.9 · 10-8 840 0.8 0.83 p 5.1 · 10-4 65 0.9 0.19 n 3.6 · 10-11У-86(IV) 5 · 10 0.61 n 8.5 · 10-использовали He–Ne-лазер (50 мВт/см2). Образцы для происходит ее уменьшение в начале слитка (слиток ФЛ и электрических измерений вырезали из сопредель- 11У-86(IV)) или инверсия и переход к p-типу провоных областей шайб. димости (слиток СТ274) при продвижении в области с большей приведенной длиной g.

Учитывая то, что коэффициент распределения крем3. Результаты и обсуждения ния в CdTe близок к единице [2], такое отличие в свойствах образцов, вырезанных из разных участков Исходные образцы CdTe : Si были n- и p-типа с велислитка, нельзя объяснить влиянием введенной примеси.

чиной удельной проводимости, изменявшейся в границах Увеличение концентрации дырок в конечных областях = 2 · 10-1-8 · 10-9 Ом-1 · см-1. Некоторые равновес- кристаллов, а также проявление мелкого акцепторного ные параметры исследуемых кристаллов приведены в уровня (энергия активации E = 0.05 эВ, образец 8 — таблице. Анализ представленных в таблице данных по- см. таблицу) дают основания считать, что доминируюказывает, что на всех слитках наблюдается увеличение щими дефектами в CdTe : Si, как и в нелегированном дырочной компоненты проводимости при приближении теллуриде кадмия, выращенном методом Бриджмена, к верхней части кристаллов. Так, для слитков 11У-86(II) являются вакансии кадмия (VCd). Увеличение концени 11У-86(III), в которых проводимость нижних частей — трации последних в конце слитка может быть обусловдырочная, концентрация носителей в конечных частях лено непосредственным контактом кристалла с паровой слитков возрастает. В случае электронной проводимости фазой.

Характерной особенностью кристаллов p-типа был их отжиг в процессе измерения температурных зависимостей удельного сопротивления = f (T ), который приводил к уменьшению проводимости, причем амплитуда изменений была большей для более низкоомного материала. Проведение серии последовальных нагревов и охлаждений образцов дало возможность получить набор прямолинейных зависимостей lg = f (103/T ) с разными углами наклона, т. е. с разной энергией активации E (рис. 1). Видно, что во время повторных измерений образец становился более высокоомным и, соответственно, возрастала глубина залегания уровня, определяющего проводимость.

На рис. 2 изображены спектры ФЛ образцов, вырезанных из разных участков слитка СТ274. Проанализируем в отдельности экситонную (1.58-1.6эВ), краевую (1.5-1.57 эВ) и примесную (1.3-1.48 эВ) области спектра. Для всех образцов наиболее интенсивной Рис. 1. Температурные зависимости удельного сопротивления является линия (A0, X) с максимумом около 1.590 эВ, CdTe : Si (образец 6). Цифры (1–3) указывают последоваобусловленная аннигиляцией экситонов, локализовантельность измерений, а стрелки — направление изменения температуры. ных на нейтральных акцепторах, которыми могут быть Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 150 О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, К.С. Уляницкий, П.М. Фочук, О.М. Стрильчук, С.Г. Крилюк...

которые обусловлены соответственно излучательными переходами электронов из зоны проводимости и с доноргого уровня на акцепторный центр, и их LO-фононных повторений. Энергия ионизации акцептора, определенная из спектров ФЛ, составляет 56 мэВ. Это хорошо согласуется с результатами работы [10], в которой показано, что акцептором, ответственным за краевую ФЛ в номинально нелегированном CdTe, является комплекс (VCd-2D). При приближении к середине слитка (образец 2) интенсивность линии (D-A) уменьшается по отношению к интенивности линии (e-A) и в краевой ФЛ образца 3, вырезанного из верхней части слитка, наблюдается лишь линия (e-A), сдвинутая в коротковолновую область на 2 мэВ. Этот вывод подтверждается исследованиями температурной зависимости краевой ФЛ (рис. 3). Видно, что для образца 1 повышение температуры предопределяет возрастание относительной интенсивности линии (e-A) и уменьшение интенсивности линии (D-A) вследствие термически стимулированного перехода электронов с донорного уровня в зону проводимости [11]. В то же время форма линии краевой ФЛ образца 3 не изменяется с температурой.

Это свидетельствует о том, что данная линия не является суперпозицией двух близко расположенных полос, Рис. 2. Спектры фотолюминесценции образцов 1 (a), 2 (b), обусловленных переходами (e-A) и (D-A), а содержит 3 (c), вырезанных из разных частей слитка СТ274 (таблица).

только (e-A).

Спектры нормированы на интенсивность соответствующей линии (A0, X). T = 5K.

как фоновые примеси CuCd, так и вакансии кадмия [7].

В экситонной области спектра образцов 1, 2 четко проявляются линии, вызванные рекомбинацией экситонов, связанных на нейтральных донорах, находящихся в основном (D0, X) и возбужденных (a, b, c) состояниях, и на ионизованных донорах — (D+, X) с энергией максимума h 1.592 эВ. Кроме того, наблюдается небольшой пик около 1.591 эВ (G), который является типичным для CdTe, легированного Cl, и обусловлен экситонами, локализованными на акцепторах (VCd-2ClTe) [8]. Малая полуширина экситонных линий, проявление полосы излучения свободных экситонов (FE), а также низкая интенсивность примесной ФЛ свидетельствуют о высоком качестве образцов.

Для образца 2, вырезанного из средней части слитка, характерно уменьшение относительной интенсивности линии (D0, X). Для образца 3 эта линия практически исчезает. Вместе с тем наблюдаются две другие особенности: линии W (1.586 эВ) и C (1.584 эВ), которые связываются в литературе с экситонами, локализованными соответственно на комплексах (VCd-ClTe) [8] и (VCd-InCd) [9]. Проявление линий G, W и C в излучении исследуемых кристаллов может быть связано с тем, что хлор и индий входят в состав фоновых примесей в теллуриде кадмия [2].

Краевая люминесценция образцов 1 и 2 состоит из Рис. 3. Спектры краевой фотолюминесценции образцов 1 (a) дублета линий, обозначенных на рис. 2 (e-A) и (D-A), и 3 (b) при 5 и 25 K.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe... Смещение полосы (e-A) в коротковолновую область и при использовании формулы Брукса–Херинга [16] спектра, пропорциональное концентрации примеси, бы- было получено Ni 4 · 1016 см-3. Поскольку концентрало выявлено при исследовании низкотемпературной ция атомов Si при C0 = 2 · 1018 см-3 и kSi 1 должна Si ФЛ кристаллов CdTe : Pb [12]. Этот результат авторы значительно превышать концентрацию фоновых примеобъясняют комплексной природой акцепторного дефекта сей, полученное значение Ni свидетельствует о том, (PbCd-VCd). При увеличении концентрации легирующей что преобладающее количество кремния находится в примеси уменьшается расстояние между компонентами электрически неактивной форме.

ассоциатов и соответственно возрастает величина энер- Полученные результаты исследований свойств кригии кулоновского взаимодействия. В случае кристаллов сталлов CdTe : Si показывают, что поведение кремния и CdTe : Si сдвиг максимума линии (e-A) тоже указывает других примесей электронов IV группы (Ge, Sn, Pb) на комплексную природу акцепторного центра, но без в CdTe заметно различается. Кремний не проявляет в участия примеси кремния. Действительно, поскольку CdTe компенсирующего и стабилизирующего действия, коэффициент распределения кремния в CdTe kSi 1 [2], как это происходит при легировании атомами Ge, Sn, концентрация примеси уменьшалась бы в направлении Pb [17]. Характер изменений, которые наблюдаются к концу слитка и максимум (e-A) соответственно пе- при нагревании образцов CdTe : Si дырочного типа проремещался бы в низкоэнергетическую область спектра.

водимости, близки к типичным для нелегированного Наблюдаемое смещение максимума данной полосы ФЛ материала [18]. Поскольку сопротивление кристаллов в нашем случае может объясняться тем, что в состав CdTe : Si изменялось в широких пределах (см. таблицу), сложного акцептора, переходы на который формируют говорить о компенсирующем действии примеси кремния линию (e-A), входят неконтролируемые доноры, конет оснований. Не исключена возможность получения эффициент распределения которых меньше 1 (In, Al, материала с высоким сопротивлением из-за компенсиCl) [1,2]. Кроме того, величина сдвига в случае CdTe : Pb рующего действия фоновых примесей донорного типа большая сравнительно с теллуридом кадмия, легирован(In, Al, Cl) или собственных дефектов (Cdi, TeCd).

ным кремнием.

Постепенное увеличение удельного сопротивления Люминесценция монокристаллов CdTe вблизи 1.4 эВ образцов при повторных измерениях может быть обусобусловлена рекомбинацией донорно-акцепторных пар ловлено генерацией дефектов донорного типа, которые (DAP), в которых акцепторами являются A-центры.

приводят к возрастанию степени компенсации материаКроме того, в этой спектральной области может проявла. Такими дефектами могут быть быстро диффундируюляться так называемая Y -линия с максимумом 1.477 эВ, щие атомы фоновых примесей I группы (Cu или Ag), кокоторую связывают с рекомбинацией экситонов, локаторые проявляют в CdTe амфотерное действие [1]. При лизованных на дислокациях [13–15]. Для образцов 1-повышении температуры возрастает их концентрация в по мере приближения к концу слитка интенсивность междоузлиях согласно реакции: M- M+ + VCd + e-, i Cd полосы DAP уменьшается, а интенсивность Y -линии, где M — атомы Cu или Ag.

напротив, возрастает.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.