WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

[14] S. Katasuyama, H. Matsushima, M. Ito. J. Alloys Comp., 385, 232 (2004).

Рис. 5. Модель перестройки примесной акцепторной зоны [15] Р.В. Сколоздра. Станниды переходных и редкоземельных полупроводникового твердого раствора Zr1-x Scx NiSn.

элементов (Львов, Мир, 1993).

[16] Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

[17] Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некризону в результате изменения концентрации примеси и сталлических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.:

степени компенсации при изменении состава твердого N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline раствора Zr1-xScxNiSn.

materials(Oxford, Clarendon Press, 1979)].

[18] L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. 12thEur. Crystallographic Meeting.

5. Заключение Collected

Abstract

(M., Nauka, 1989) p. 155.

[19] L. Romaka, Yu. Stadnyk, M.G. Shelyapina, V.S. Kasperovich, Таким образом, в результате проведенных исследоD. Fruchart, A. Horyn. J. Alloys Comp., (2005) to be ваний определена роль примесной акцепторной зоны в published.

проводимости твердого раствора Zr1-xScx NiSn. Между [20] S. Ogut, K.M. Rabe. Phys. Rev. B, 51, 10 443 (1995).

крайними рассмотренными значениями x в этом по[21] A.J. Tobola, J. Pierre. J. Alloys Comp., 296, 243 (2004).

лупроводнике наблюдаются явления, которые связаны Редактор Т.А. Полянская с перестройкой примесной зоны сначала при перекомпенсации полупроводника с n- на p-тип проводимости и далее, с увеличением концентрации акцепторов NA, от состояния сильной к слабой компенсации примесной акцепторной зоны [16]. Логичным представляется вывод о том, что переходу Андерсона будет предшествовать металлизация проводимости в примесной зоне (переход Мотта) [17]. Но это вопрос будущих исследований.

Работа выполнена в рамках грантов Национальной академии наук Украины (№ 0102U000454) и Министерства образования и науки Украины (№ 0103U001887).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Особенности перехода проводимости металл–диэлектрик в узкощелевых полупроводниках... A peculiarity in metal–insulator conductivity transition in narrov-gap MgAgAs structure type semiconductors V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, M.G. Shelyapina+, D. Fruchart‡, V.F. Chekurin, L.P. Romaka, Yu.K. Gorelenko The Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, 79053 Lviv, Ukraine Ivan Franko Lviv National University, 79005 Lviv, Ukraine + I.V. Fock Institute of Physics, St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Russia ‡ Laboratoire de Cristallographie, CNRS, 38042 Grenoble, France Abstract The impurity acceptor band role in the conductivity of doped and compensated MeNiSn (Me = Ti, Zr, Hf) semiconductors is determined. A scheme of the impurity band simulation of the electronic structure for the Zr1-x Scx NiSn solid solution was performed. Magnetic susceptibility oscillations around the transition of conductivity metal-insulator during the change in Zr1-x Scx NiSn solid solution composition were experimentally observed for the first time. This transition relate to the Anderson transition. The oscillations observed confirm the existence of the Coulomb gap in the impurity band of semiconductors during the change of the doping level and compensation.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.