WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 2 Электрофизические свойства слоев кремния, имплантированных ионами иттербия © О.В. Александров, А.О. Захарьин¶, Н.А. Соболев Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получена 27 июня 2001 г. Принята к печати 11 июля 2001 г.) Установлено, что имплантация ионов иттербия с энергией 1 МэВ и дозой 1013 см-2 в кремний и постимплантационный отжиг при температурах 600-1100C приводят к образованию донорных центров.

Концентрация донорных центров выше в образцах, дополнительно имплантированных ионами кислорода.

Результаты указывают, что происходит образование по крайней мере двух типов донорных центров, обусловленных примесными атомами иттербия и кислорода. Определена зависимость подвижности электронов от концентрации электрически активных центров в слоях кремния, имплантированных ионами редкоземельной примеси иттербия, в диапазоне концентраций 7 · 1015-1017 см-3.

В последнее время наблюдается повышенный интерес пластин дополнительно имплантировались ионы кислок исследованию свойств кремния, легированного редко- рода с энергией 135 кэВ дозами 1 · 1013-1 · 1014 см-2.

земельными элементами (РЗЭ) [1]. Это обусловлено Имплантация проводилась под углом 7 относительно перспективой применения структур, легированных РЗЭ, поверхности пластин для предотвращения каналировав кремниевой оптоэлектронике в качестве источников ния ионов, при этом температура подложки в процессвета. Так, наиболее исследованный РЗЭ эрбий излучает се имплантации не превышала 50C. Имплантация не на длине волны 1.54 мкм, соответствующей минимуму сопровождалась аморфизацией материала. Изохронные потерь и дисперсии волоконно-оптических линий связи, отжиги в течение времени 30 мин проводились в диапачто делает систему Si : Er перспективной для кремниевой зоне температур T = 600-1100C в хлорсодержащей оптоэлектроники. В кремнии, легированном гольмием, атмосфере. Концентрационные профили электрически наблюдались фото- и электролюминесценция на длине активных центров n(x) определялись методом вольтволны 1.96 мкм [2,3]. Эффективность люминесценции фарадных характеристик (ВФХ) барьера Шоттки Hg–Si зависит от спектра оптически и электрически активных (ртутный зонд). Слоевое сопротивление Rs измерялось центров, содержащих РЗЭ. Однако до сих пор нет ясного четырехзондовым методом. Измерение подвижности нопонимания процессов их образования. С этой точки зресителей заряда проводилось с помощью измерения эфния изучение электрических свойств Si, легированного фекта Холла при комнатной температуре с последоваразными РЗЭ, является актуальным для установления тельным удалением тонких ( 0.02 мкм) слоев. Эффекобщих закономерностей процессов образования электритивный коэффициент активации электрически активных чески и оптически активных центров в таких системах.

центров k определялся двумя способами: 1) как отношеВ настоящее время помимо слоев Si : Er [4–6] изучены ние количества донорных центров в слое, определяемого электрические свойства слоев кремния, легированного интегрированием профиля n(x), к полной дозе имплангольмием и диспрозием [7], а также имплантированнотации ионов иттербия; 2) как отношение количества го ионами иттербия и отожженного при температурах донорных центров в n-слое, определяемого из измерения T = 700 и 900C [8]. В настоящей работе исследуются слоевого сопротивления, к полной дозе имплантации электрофизические свойства слоев Si, имплантированионов иттербия из соотношения k = (eµRs)-1/Q, где ных ионами РЗЭ иттербия и отожженных в широком e — заряд электрона, µ — подвижность электронов диапазоне температур.

(µ = 1350 см2/В·с); этот способ применялся для расчета В качестве подложек использовались полированные k после отжига при температурах 600 и 1100C.

пластины кремния, выращенного методом бестигельПостимплантационный отжиг слоев Si : Yb в диапаной зонной плавки, n-типа проводимости (n-Fz-Si) с зоне температур 600-1100C приводит к образованию удельным сопротивлением 80-140 Ом · см и методом донорных центров, при этом в p-Cz-Si наблюдается Чохральского p-типа проводимости (p-Cz-Si) с удельным p-n-конверсия типа проводимости имплантированного сопротивлением 20 Ом · см. Концентрация кислорода слоя. Ранее в [8] методом эффекта Холла наблюдалось в исходном материале составляла < 2 · 1016 (n-Fz-Si) образование донорных центров в слоях Si : Yb после и 1.1 · 1018 см-3 (p-Cz-Si). Ионы иттербия с энергией отжига при 700 и 900C. Концентрационные профили 1 МэВ и дозой Q = 1 · 1013 см-2 имплантировались на электрически активных центров n(x) в исследуемых установке High Voltage Engineering Europe 2KB. В часть в настоящей работе слоях имеют вид кривых с мак¶ E-mail: zaharium@online.ru симумом (рис. 1, a, b). Максимальная концентрация Электрофизические свойства слоев кремния, имплантированных ионами иттербия наблюдается после отжига при T = 700C. Увеличение температуры отжига сопровождается уменьшением концентрации введенных центров в максимуме nmax и смещением положения максимума xmax в глубь образца.

При этом в образцах с дополнительно имплантированным кислородом значение nmax выше, а xmax находится ближе к поверхности во всем исследованном диапазоне температур отжига.

Значения параметров концентрационной зависимости подвижности электронов Основные донорные Параметр Si : Yb примеси в кремнии [9] µmin, см2/В · см 60 µmax, см2/В · см 1350 Nref, см-3 1.1 · 1017 8.5 · 0.72 0.Методом дифференциального эффекта Холла были измерены профили распределения концентрации электрически активных центров n(x) и подвижности электронов µ(x). Из сопоставления этих данных построены зависимости подвижности электронов от концентрации электрически активных центров в слоях кремния, имплантированных ионами Yb с энергией 1 МэВ и дозой 1013 см-2 (рис. 2, точки 1, 2), а также дополнительно имплантированных ионами кислорода в разных дозах (рис. 2, точки 3, 4). Концентрационная зависимость Рис. 1. Концентрационные профили электрически активных подвижности µ(n) хорошо аппроксимируется формулой, центров, измеренные методом ВФХ, после имплантации ионов иттербия (1, 3, 5) или соимплантации ионов иттербия и кис- использованной для описания аналогичной зависимости лорода (2, 4, 6) в n-Fz-Si (a) и p-Cz-Si (b) с последующим в слоях кремния, легированных основными легирующи изохронным отжигом в течение 0.5 ч. Температура отжига, C:

ми примесями, [9] 1, 2 — 700; 3, 4 — 800, 5, 6 — 900.

µmax - µmin µ(n) =µmin +.

1 +(n/Nref) Параметры µmax, µmin, Nref и определялись с использованием метода наименьших квадратов. Найденные значения параметров зависимости для примеси Yb, а также параметры зависимости для основных донорных примесей (P, As, Sb), определенные в работе [9], приведены в таблице. Из рис. 2 и таблицы видно, что концентрационная зависимость подвижности электронов в Si : Yb (штриховая линия) в исследованном диапазоне концентраций (7·1015-1017 см-3) близка к соответствующей зависимости для основных донорных примесей (сплошная линия). Анализ экспериментальных данных показывает, что подвижность электронов практически не зависит от энергетического спектра электрически активных центров, который изменяется при дополнительной импланРис. 2. Зависимость подвижности электронов от концентрации тации кислорода и варьирования температуры отжига [8].

электрически активных центров в слоях кремния, имплантироЭто позволяет считать, что, как и в случае основных ванных ионами иттербия дозой 1013 см-3 и кислорода дозой, см-2: 1, 2 — 0; 3, 4 — 1014. Температура отжига T, C: донорных примесей, подвижность электронов при ком1, 3 — 700; 2 — 800; 4 — 900. Штриховая линия — натной температуре в Si : Yb определяется рассеянием Si : Yb, сплошная линия — кремний, легированный основными на изолированных электрически активных центрах и донорными примесями [9].

тепловых колебаниях решетки.

Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 136 О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев ции кислорода, что также свидетельствует об участии атомов кислорода в образовании донорных центров. На участие собственных точечных дефектов в образовании донорных центров указывает уменьшение концентрации введенных центров и сдвиг их концентрационного профиля от поверхности образца при увеличении температуры отжига одного и того же образца [5]. Поскольку диффузии атомов РЗЭ в исследованном диапазоне температур отжига не наблюдалось [5,7], а энергетическое распределение кислородных термодоноров практически не зависело от типа имплантированных ионов Dy, Ho, Er и Yb [8], можно предположить, что атомы примесей РЗЭ не входят в состав кислородных термодоноров.

Таким образом, изучено влияние температуры отжига и примеси кислорода на электрофизические свойства Рис. 3. Зависимости коэффициента активации электрически слоев кремния, имплантированных иттербием. Введение активных центров от температуры отжига в n-Fz-Si (1, 2) примеси Yb, так же как и других РЗЭ Er, Ho и Dy, и p-Cz-Si (3, 4) после имплантации ионов иттербия (1, 3) и сопровождается образованием донорных центров. Устасоимплантации ионов иттербия и кислорода (2, 4).

новлено, что подвижность электронов практически не зависит от спектра образовавшихся электрически активных центров, а определяется их суммарной концентрацией.

Концентрационная зависимость подвижности µ(n) в слоЗависимости коэффициента активации электрически ях кремния, легированных иттербием, близка к соответактивных центров k в слоях Si : Yb и Si : Yb : O от темствующей зависимости в слоях кремния, легированных пературы изохронного отжига T приведены на рис. 3.

основными донорными примесями.

Концентрация электрически активных центров в p-Cz-Si выше, чем в n-Fz-Si (см. рис. 3, кривые 1, 3). МаксиАвторы выражают благодарность Е.О. Паршину, мальные значения k наблюдаются при 700Cи в p-Cz-Si Р.В. Таракановой и Е.И. Шек за помощь в подготовке составляют 14% для Si : Yb и 18% для Si : Yb : O образцов.

от полной концентрации введенного иттербия. ДополРабота выполнена при частичной поддержке Российнительная имплантация ионов кислорода увеличивает ского фонда фундаментальных исследований (грант 99концентрацию вводимых электрически активных центров 02-17750), INTAS (грант 99-01872) и РФФИ-БНТС Ав(см. рис. 3, кривые 2, 4).

стрии (грант 01-02-02000 БНТС а).

После отжига при T = 700C концентрация донорных центров в n-Fz-Si : Yb в несколько раз превышает концентрацию кислорода в исходном материале (см. рис. 1, a, Список литературы кривая 1). Это позволяет считать, что доминирующие донорные центры не содержат атомов кислорода, [1] Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995).

а включают в свой состав атомы РЗЭ. В работе [8] [2] Б.А. Андреев, Н.А. Соболев, Д.И. Курицын, М.И. Маковийбыло установлено, что отжиг имплантированных слоев чук, Ю.А. Николаев, Е.О. Паршин. ФТП, 33, 420 (1999).

[3] Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев. ФТП, 33, при 700 и 900C приводит к формированию двух типов 931 (1999).

центров: кислородные термодоноры и донорные центры, [4] F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, V. Bellani. J. Appl.

в состав которых входят атомы РЗЭ. Предполагалось, Phys., 74, 4936 (1993).

что в образовании кислородных термодоноров наряду [5] О.В. Александров, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, А.В. Меркулов.

с атомами кислорода участвуют собственные точечные ФТП, 30, 876 (1996).

дефекты решетки кремния (вакансии и(или) межузель[6] N.A. Sobolev, O.V. Alexandrov, E.I. Shek. MRS Symp. Proc., ные атомы кремния), возникающие во время отжига 442, 237 (1997).

имплантационных дефектов. В пользу этого предполо[7] О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, жения свидетельствуют данные, приведенные на рис. М.И. Маковийчук, Е.О. Паршин. ФТП, 32, 1029 (1998).

и 3. Повышение концентрации электрически активных [8] В.В. Емцев, В.В. Емцев (мл.), Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, центров в p-Cz-Si по сравнению с n-Fz-Si (рис. 3, кри- Е.И. Шек, Й. Михель, Л.С. Кимерлинг. ФТП, 33, 649 (1999).

[9] D.M. Caughey, R.E. Thomas. Proc. IEEE, 55, 2192 (1967).

вые 1, 3) указывает на участие кислорода в образовании электрически активных центров. Отжиг при одной и той Редактор Л.В. Шаронова же температуре образцов Si : Yb и Si : Yb : O сопровождается увеличением концентрации введенных электрически активных центров и сдвигом их концентрационного профиля к поверхности при дополнительной имплантаФизика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. Электрофизические свойства слоев кремния, имплантированных ионами иттербия Electrophysical properties of silicon layers implanted with ytterbium ions O.V. Alexandrov, A.O. Zakhar’in, N.A. Sobolev State Electrotechnical University, 197376 St.Petersburg, Russia Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia

Abstract

It has been established that the implantation of Er into silicon at an energy of 1 MeV and a dose of 1013 cm-2, and subsequent annealing over the temperature range 600-1100C result in formation of donor centers. The donor center concentration is higher in samples that were additionally implanted with oxygen ions. It has been shown that there are at least two types of donor centers associated with ytterbium and oxygen atoms. The dependence of the electron mobility on the electrically active center concentration is found for concentrations between 7 · 1015-1 · 1017 cm-3 in silicon layers implanted with ytterbium ions.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.