WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

J. Appl. Phys., 83, 556 (1998).

2) смещение Штарка уровня энергии квантового со- [2] T. Lundstrom, W. Schoenfeld, H. Lee, P.M. Petroff. Science, 286, 2312 (1999).

стояния [16].

[3] M. Korkusinski, P. Hawrylak. Phys. Rev. B, 63, 195 Независимое поведение пиков HD2100 и HD3100 позво(2001).

ляет сделать заключение, что эти два пика принадлежат [4] X.Q. Li, Y. Arakawa. Phys. Rev. A, 61, 06230 (2000).

состояниям двух КТ, разделенных прослойкой GaAs, [5] B. Partoens, F.M. Peeters. Phys. Rev. Lett., 84, 4433 (2000).

для которых имеется слабое сопряжение. В пользу [6] F. Troiani, U. Hohenester, E. Molinari. Phys. Rev. B, 65, этого предположения свидетельствует и наличие двух 161 301 (2002).

пиков в профиле p(Ur) для этих структур. Что ка[7] M. Bayer, P. Hawrylak, K. Hinzer, S. Fafard, M. Korkusinski, сается принадлежности пика HD1100, то имеется два Z.R. Wasilewski, O. Stern, A. Forchel. Science, 291, предположения: это либо состояние первой КТ, либо, (2001).

что более вероятно, интерфейсное состояние на границе [8] W. Sheng, J-P. Leburton. Phys. Rev. Lett., 88, 16, 167 (2002).

смачивающий слой – первая КТ.

[9] I. Shtrichman, C. Metzner, B.D. Gerardot, W.V. Schoenfeld, Для пиков HD120, HD220 и HD140, HD240, принадP.M. Petroff. Phys. Rev. B, 65, 081 303 (2002).

лежащих структурам с двумя рядами КТ и dGaAs = [10] H.J. Krenner, A. Zrenner, G. Abstreiter. In:

Abstract

26th Int.

и 40, наблюдались аналогичные зависимости от веConf. on the Physics of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, личины Ur (рис. 4, кривые 1–4). Энергия термической 29 July–2 August 2002) pt. 1, p. 204.

активации уровня HD220 (кривая 2) для структуры с [11] T. Bryllet, M. Borgstrom, T. Sass, B. Gustafson, L-E. WernerdGaAs = 20 при росте величины Ur вначале уменьsson, W. Seifert, L. Samuelson. In: Abstract 26th Int. Conf. on шалась от 322 до 195 мэВ, а затем происходил рост the Physics of Semicond. (Edinburgh, Scotland, UK, 29 July– Ea до 241 мэВ. При этом для структур с dGaAs = 20 2 August 2002) pt. 3, p. 2.

[12] М.М. Соболев, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, Ю.Г. Мусихин, и 40 мы не наблюдали пика, связанного со второй Н.Н. Леденцов. ФТП, 36, 1089 (2002).

КТ. Полученные результаты дают основание предпо[13] M.M. Sobolev, V.M. Ustinov, G.E. Cirlin. Physica B, 340–342, ложить, что для этих структур реализуются условия, 1103 (2003).

когда гибридизации дырочных состояний квантовых то[14] N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirчек не происходит, а наблюдается эффект локализации staedter, J. Bhrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, дырок в одной из точек молекулы, происходящий в A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop’ev, S.V. Zaitsev, результате квантово-механического туннелирования без N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, формирования связанных и антисвязанных состояний, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gsele, J. Heydenrech. Phys.

предсказанный в работе [7,17]. Это отличается от случая Rev. B, 54, 8743 (1996).

гибридизации квантовых состояний, наблюдаемого для [15] S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistopl, L. Samuelson, W. Seifert.

J. Appl. Phys., 84, 3747 (1998).

структур с 6 рядами КТ. Кроме того, как это видно из [16] A. Patan, A. Levin, A. Polimeny, F. Schindler, P.C. Main, рис. 4, уменьшение толщины прослойки GaAs приводит L. Eaves, M. Henini. Appl. Phys. Lett., 77, 2979 (2000).

к увеличению энергии состояний дырок КТ-молекул, что [17] W. Sheng, J-P. Leburton. J. Appl. Phys., 81, 4449 (2002).

согласуется с результатами, полученными в теоретичеРедактор Т.А. Полянская ских работах [7,17].

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Локализация дырок в квантовой молекуле InAs / GaAs Hole localization in InAs / GaAs quantum-dot molecules M.M. Sobolev, G.E. Cirlin, Yu.B. Samsonenko, N.K. Polyakov, A.A. Tonkikh, Yu.G. Musikhin Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia Abstract Results on studies of hole emission from vertically coupled quantum dots in a series of InAs / GaAs p-n heterostructures variable interdot barrier thickness dGaAs depending on applied reverse bias by deep level transient spectroscopy and capacitancevoltage are reported. We have found that the hole localization in self-assembled quantum-dot molecules consisting of two layers of vertically stacked InAs / GaAs QDs occurs regardless of GaAs interdot barrier thickness.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.