WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 7 |
Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2 УДК 621.315.592 Радиационная стойкость SiC и детекторы жестких излучений на его основе Обзор © А.А. Лебедев, А.М. Иванов¶, Н.Б. Строкан Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия (Получен 5 марта 2003 г. Принят к печати 30 апреля 2003 г.) Анализируются полученные к настоящему времени результаты по исследованию радиационной стойкости SiC и разработке детекторов ядерных излучений на его основе. Приведены данные по энергиям ионизации, сечениям захвата и возможной структуре центров, образующихся в SiC под воздействием облучения различными типами частиц. Рассмотрено влияние облучения на концентрацию носителей заряда и рекомбинационные процессы в карбиде кремния.

Описание результатов разработки и исследования параметров детекторов проведено в двух аспектах. Вопервых, отражены специфические возможности SiC-детекторов в задачах ядерной физики и техники; приведены типичные примеры использования детекторов. Во-вторых, пояснена связь характеристик детекторов со свойствами исходного материала; описан ряд методов определения конкретных параметров SiC исходя из характеристик детекторов.

Сделано заключение, что прогресс последних лет в получении совершенных пленок SiC (разностная концентрация примесей (3 · 1014-3 · 1015) см-3, плотность полых каналов — micropipe-дефектов до 1 см-2) позволил SiC войти в категорию материалов, пригодных для создания современных детекторов. Технологические возможности SiC отнюдь не исчерпаны и, несомненно, уже в ближайшее время будут реализованы различные (в том числе, многоэлементные) конфигурации детекторов.

1. Введение В разд. 2 и 3 данного обзора рассмотрены общие понятия радиационной стойкости полупроводников применительно к SiC и свойства радиационных дефектов Современная цивилизация нуждается во все большем (РД), возникающих в этом материале после различных потреблении энергии для продолжения своего развития.

видов облучения. В разд. 4 рассмотрены параметры В будущем основными источниками энергии скорее детекторов ядерных излучений на основе SiC, так как всего будет атомная энергетика и преобразование солдетекторы ядерных частиц позволяют в наиболее жестнечного излучения с помощью наземных и орбитальных кой и прямой форме провести сравнение радиационной конвертеров. Повышение надежности работы атомных стойкости полупроводниковых материалов, из которых электростанций и устройств космической техники треони были изготовлены. Детекторы наиболее чувствибует использования радиационно-стойкой электроники.

тельны к целой совокупности свойств: к деградации Под радиационной стойкостью обычно понимают неизпараметров переноса носителей и возникновению их менность параметров полупроводника или полупроводнеоднородности, к стабильности во времени величины никового прибора при его облучении ядерным излучени(и знака) объемного заряда примесей, к наличию глуем. Чем большая доза облучения необходима для начала боких центров как при захвате, так и при генерации изменения параметров, тем более радиационно-стойким носителей заряда.

считается полупроводник. Традиционно к потенциально Разд. 2, 3 обзора написаны А.А. Лебедевым, разд. 4 — радиационно-стойким относят полупроводники с больН.Б. Строканом и А.М. Ивановым.

шой энергией связи — алмаз, нитрид бора, SiC. Достигнутые в последние 10-15 лет успехи в развитии технологии позволили получать на основе SiC приборы, 2. Радиационные дефекты, оправдавшие его потенциальные возможности в области образующиеся в SiC коммутируемой мощности и высоких рабочих темперапод воздействием различных тур. Теперь становится актуальной проверка соответвидов облучения ствия радиационной стойкости SiC существующим теоретическим ожиданиям. Таким образом, целью работы 2.1. Пороговая энергия дефектообразования было обобщить имеющиеся в настоящее время экспериментальные данные и оценить соответствие параметров Как отмечалось выше, радиационная стойкость обычприборов на основе SiC теоретическим ожиданиям.

но выше в полупроводниках с большей энергией связи.

Для характеризации этой зависимости вводят пара¶ E-mail: alexandr.ivanov@pop.ioffe.rssi.ru метр — пороговая энергия дефектообразования (Ed).

1 130 А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан Таблица 1. Расчетные и экспериментальные значения пороговой энергии дефектообразования для некоторых полупроводников Параметр GaAs Si 3C-SiC Алмаз 6H- и 4H-SiC Постоянная решетки a0, 5.65 5.431 4.36 3.57 3.Ed, эВ (расчет согласно (1)) 9 12.8 37 80 Ed, эВ (эксперимент) 8–20 [2] 13–20 [2] 106 [4] 60–80 [2] 97 [6] 54–90 [5] 20–35 [7] Под величиной Ed понимают минимальную энергию, эксперименты для точного определения величины Ed которую должна передать частица полупроводниковой на эпитаксиальных пленках SiC современного качества.

матрице для образования в ней пары Френкеля, т. е. Для SiC как материала, перспективного с точки зрения вакансии и межузельного атома [1,2]. Теоретический использования в высокотемпературной электронике, так расчет величины Ed связан с решением задачи многих же представляется важным определение температурной тел и имеет ряд трудностей, связанных с выбором вида зависимости величины Ed.

и констант потенциалов взаимодействия, а также других Значения пороговых энергий позволяют рассчитать параметров [2]. При экспериментальном определении Ed число первично созданных радиационных дефектов. Для обычно отслеживают изменение лишь одного выбран- материалов, представляющих интерес для задач физики ного параметра материала под действием облучения, высоких энергий (регистрация релятивистских частиц и хотя радиация воздействует на все свойства полупро- полей космического излучения), в [8] получены данные, приведенные в табл. 2. Видно, что по этому параметру водника одновременно. Поэтому значения Ed имеют SiC незначительно уступает алмазу, но заметно превоссущественный разброс и зависят от использовавшейся ходит кремний и тем более арсенид галлия.

методики эксперимента. В работе [3] отмечается связь между величиной Ed и постоянной решетки (a0) данного полупроводника, которая удовлетворяет феноменологи2.2. Параметры радиационных дефектов ческому соотношению 2.2.1. Облучение электронами. При исследовании n-6H-SiC, облученного электронами с энергиями в диа1.117Ed =(10/a0)4.363, (1) пазоне 3.5-4 МэВ, в верхней половине запрещенной где Ed измеряется в эВ, a0 —в.

зоны были обнаружены уровни глубоких центров (ГЦ) В табл. 1 представлен расчет значений Ed по фор- с энергиями 0.35, 0.6 и 1.1 эВ [9]. Все эти ГЦ отжигамуле (1) для ряда полупроводников, а также экспери- лись при температурах 1300 K. В соответствии с их ментальные данные по определению Ed. Как видно из энергиями ионизации данные центры можно сопостатаблицы, имеется значительный разброс в эксперимен- вить с известными структурными дефектами S (E1/E2), тальных значениях Ed для карбида кремния. Возможно, Z1/Z2 и центром Ec-1.06 эВ [10]. Эти исследования это связано со структурным несовершенством кристал- были повторены позже с использованием электронов лов SiC, что особенно касается работ, выполненных до с энергией 2 МэВ [11]. Кроме увеличения фоновой середины 90-х годов. При этом для кубического кар- концентрации центров E1/E2 и Z1/Z2 были обнаружены бида кремния (3C-SiC) экспериментальная величина Ed новые центры E3/E4 (Ec-0.57 эВ). Подобное увеличение оказалась выше, а для гексагонального ниже значений, концентрации центров S (E1/E2) наблюдалось после найденных по формуле (1). Поскольку несовершенство облучения электронами с энергией 2 МэВ в работе [12].

кристаллического строения 3C-SiC до сих пор значи- Кроме того были обнаружены ГЦ Ec-0.51 эВ, кототельно выше по сравнению с 6H- или 4H-SiC, можно рые отжигались при температурах 1100 K. Наиболее предположить, что величина Ed для всех политипов SiC стабильными по отношению к отжигу были S-центры, не превосходит 30-35 эВ. Это в 1.5-2 раза выше, чем которые сохранялись до температур 1300 K.

для Si и GaAs, и в 2-2.5 раза ниже, чем для алмаза. После облучения электронами с энергиями Однако в любом случае необходимы дополнительные 2-2.5МэВ в 4H-SiC [12–14], кроме увеличения концентрации фоновых центров Z1, было обнаружено появление целой серии ГЦ: EH1 (Ec-0.45 эВ), EHТаблица 2. Число возникающих первичных радиационных (Ec-0.68 эВ), EH4 (Ec-0.72 эВ), EH5 (Ec-1.15 эВ), дефектов для ряда полупроводников, нормированное на соотEH6/EH7 (Ec-1.65 эВ) и HH1 (Ev + 0.35 эВ). Многие из ветствующую величину для карбида кремния этих центров также появлялись после имплантации He и некоторых других ионов [15]. В двух недавних публиПолупроводник Протоны Пионы Космические лучи кациях [16,17] сообщалось, что было найдено несколько новых центров: Ec-0.2эВ, Ec-0.32 эВ, Ec-1.34 эВ.

Алмаз 1.2 0.7 0.Кремний 2.4 4.1 3.3 Большинство из всех перечисленных ГЦ существуют Арсенид галлия 12 43.8 27.в материале и без облучения. Их структура обычно Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Радиационная стойкость SiC и детекторы жестких излучений на его основе Таблица 3. Параметры и свойства радиационных дефектов в 6H-SiC Облучение протонами Облучение нейт- Облучение элек- Структурные [38,39] ронами [24] тронами[17] дефекты Возможная структура Энергия n, см2 Температура Энергия Тип Тип уровня Et, эВ отжига, K уровня Et, эВ дефекта дефекта 0.16–0.2 6 · 10-17 800–950 0.13; 0.24 L1/L2 Первичный дефект [39] 0.36/0.4 2 · 10-15 1100–1800 L3/L4 E1/E2 [15]; S [40] VSi-комплекс [41,42] 0.5 5 · 10-15 800–950 0.5 L6 VC [17,42] 0.7 4 · 10-15 1100–1800 L7/L8 Z1/Z2 [15] VC + VSi [15,39] 0.8 4 · 10-15 1100–1800 L1.1–1.22 2 · 10-15 1100–1800 L10 R [40] VC + VSi [39,43] Примечание. Энергия Et отсчитывается от дна зоны проводимости. n — сечение захвата электронов.

определялась как чисто дефектная. В работе [18] из ГЦ с энергетическим уровнем Ec-0.49 эВ, которые анализа влияния технологических условий роста 4H-SiC отжигались при температурах 650 K [31]. Измеренна концентрацию Z1,2 высказывалось предположение, ная величина скорости удаления носителей составляла что такой центр является комплексом атома азота и 7.2см-1, что близко к значению 7.8см-1, полученному межузельного атома C или, что менее вероятно, атома N для кремния, облученному тем же спектром нейтрои кремневой вакансии (VSi). В работе [16] структура ГЦ нов. При исследовании подвижности носителей в n-SiC, с энергетическим положением Ec-0.5эВ также была облученном реакторными нейтронами, отмечалось, что определена как примесно-вакансионный комплекс, так существует две стадии отжига: при 350 и 500 K [32].

как эти центры имели низкую концентрацию насыщения 2.2.3. Облучение -частицами. Сообщалось [33], что и слабую термическую стабильность.

облучение 6H-SiC n- и p-типа проводимости -часВ p-6H-SiC были обнаружены два типа глубоких тицами приводит только к увеличению концентрации центров Ev + 0.55 эВ и Ev + 0.78 эВ после облучения уже существовавших фоновых дефектов. В данной раэлектронами с энергией 1.7 МэВ [19]. Оба типа центров боте делался вывод, что радиационная стойкость SiC отжигались при температурах 500-800 K. Согласно данне хуже чем InP, другого радиационно-стойкого полуным электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), проводника. Подробно воздействие облучения ионами облучение p-6H-SiC электронами с энергией 300 кэВ He+ на 4H- и 6H-SiC рассматривалось в работе [15].

образует пары Френкеля VSi-SiI наряду с изолированныПараметры обнаруженных РД в основном совпадали с ми кремниевыми вакансиями. Облучение электронами с параметрами РД, обнаруженных ранее в SiC, облученэнергией 2 МэВ приводит к появлению только монованом электронами.

кансий VSi [20]. При исследовании методом фото-ЭПР p-4H-SiC, облученного электронами с энергией 2.5 МэВ, 2.2.4. -облучение. Результаты исследования спектров был сделан вывод, что глубокий донор (Ev + 1.47 эВ) ЭПР кристаллов 4H- и 6H-SiC p-типа проводимости можно сопоставить с положительно заряженной угле- представлены в работе [34]. Было обнаружено три типа родной вакансией [21]. парамагнитных дефектов, разрушающихся при 160C.

Предполагалось, что этот спектр относится к одному 2.2.2. Облучение нейтронами. Ряд ГЦ наблюдалтипу центров, состоящих из вакансий углерода или ся в SiC после облучения нейтронами (Ec-0.5эВ, комплекса, включающего примесный атом Al и атом C, Ec-0.24 эВ и Ec-0.13 эВ) [22–24]. В [25,26] было вызанимающий кремниевую или межузельную позицию.

сказано предположение, что после отжига происходило образование стабильных вакансионных комплексов, 2.2.5. Облучение протонами. Детальное исследование которые не являлись электрически активными [25,26]. ГЦ, образующихся в 4H-SiC и 6H-SiC n-типа проводимоВ [24,27] было обнаружено, что в p-SiC после облучения сти после облучения протонами с энергией 8 МэВ, было нейтронами до отжига наблюдалась слабая электронная выполнено в работах [33–37]. По своим параметрам ценпроводимость [24,27]. Существует еще несколько работ тры были близки к ранее обнаруженным в SiC, облученпо исследованию влияния нейтронного облучения на ном электронами (табл. 3 и 4). Данные ЭПР показали, свойства SiC [28,29]. Больше всего исследовалось влия- что обнаруженные центры являются или вакансиями ние нейтронного облучения на вольт-амперные характе- углерода (Ec-0.5эВ в 6H-SiC; Ec-(0.63 0.7) эВ в ристики различных приборов. Установлено, что скорость 4H-SiC) или парой вакансий в подрешетках углерода удаления носителей (число удаленных носителей на и кремния. Различные энергии термической иониза1 нейтрон и 1 см) составляет величину 4.5см-1, что ции центров при одинаковой предполагаемой структуре приблизительно в 3 раза ниже, чем в кремнии [30]. (VSi + VC), по-видимому, можно объяснить различными В облученном нейтронами 3C-SiC были обнаружены расстояниями между компонентами пар (вакансиями), 1 Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 132 А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан Таблица 4. Параметры и свойства радиационных дефектов в 4H-SiC Облучение протонами Облучение электро- Имплантация Структурные [39] нами [12–14,16,17] He+[15] дефекты Возможная структура Энергия n, см2 Температура Энергия уровня, Тип Энергия уровня, уровня Et, эВ отжига, K тип дефекта дефекта тип дефекта 0.18 6 · 10-15 800–950 Ec-0.2эВ P1/P2 Ec-(0.18 0.2) эВ [44] Первичный дефект [39] EH1 (Ec-0.45 эВ) вакансия + примесь [16] 0.63–0.7 5 · 10-15 1100–1800 EH2, EH4 Z1 Z1 [15] VC [39], VSi-комплекс [45] N + VSi, [18] 0.96 5 · 10-15 1100–1800 RD1/1.0 1 · 10-16 1100–1800 EH5 RD3 Ec-1.1эВ [46] VC + VSi [39,47] 1.5 2 · 10-13 1100–1800 EH6/EH7 RDПримечание. Энергия Et отсчитывается от дна зоны проводимости. n — сечение захвата электронов.

Pages:     || 2 | 3 | 4 | 5 |   ...   | 7 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.