WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 5 | 6 ||

[33] В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. Поверхность. Физика, [67] H. Wong, N.W. Cheung, P.K. Chu. Appl. Phys. Lett., 52, химия, механика, № 3, 146 (1987). (1988).

[34] В.Н. Ломасов. Высокочистые вещества, № 3, 57 (1992). [68] M.H.F. Overwijk, J. Politiek, R.C.M. Kruif, P.C. Zalm. Nucl.

[35] R. Leguay, A. Dunlop, F. Dunstetter. Nucl. Instr. Meth. B, 106, Instr. Meth. B, 96, 257 (1995).

28 (1995). [69] C.J. Barbero, J.W. Corbett, C. Deng, Z. Atzmon. J. Appl. Phys., [36] В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы обра- 78, 3012 (1995).

зования и миграции дефектов в полупроводниках (М., [70] W. Skorupa, R. Kogler, K. Schmalz, P. Gaworzewski, Наука, 1981). G. Morgenstren, H. Syhre. Nucl. Instr. Meth. B, 74, 70 (1993).

[37] Ю.Н. Казаринов, В.Н. Ломасов, Б.А. Таллерчик, Э.Р. Ка- [71] P.A. Stolk, J.L. Benton, D.J. Eaglesham, D.C. Jacobson, тилене. Электрон. техн., сер. 6, Материалы, № 6(121), 9 J.-Y. Cheng, J.M. Poate, S.M. Myers, T.E. Haynes. Appl. Phys.

(1983). Lett., 68, 51 (1995).

[38] K. Neubeck, C.-E. Lefaucheur, H. Halm. Nucl. Instr. Meth. B, [72] S.M. Myers, D.M. Bishop, D.M. Follstaedt, H.J. Stein, 106, 589 (1995). W.R. Wampler. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 283, 549 (1993).

[39] В.В. Козловский, В.Н. Ломасов. ФТП, 18, 956 (1984). [73] J. Wong-Leung, E. Nygen, J.S. Williams. Appl. Phys. Lett., 67, [40] В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, Г.М. Гурьянов, А.П. Ковар- 416 (1995).

ский. ФТП, 18, 958 (1984). [74] S.M. Myers, G.A. Petersen. Phys. Rev. B, 57, 7015 (1998).

[41] И.А. Аброян, А.И. Андронов, А.И. Титов. Физические [75] S.A. McHugo, E.R. Weber, S.M. Myers, G.A. Petersen, J.

основы электронной и ионной технологии (М., Высш. Electrochem. Soc., 145, 1400 (1998).

шк., 1984). [76] S.A. McHugo, E.R. Weber, S.M. Myers, G.A. Petersen. Appl.

[42] S.E. Donnelly, A.A. Lucas, J.P. Vigneron, J.C. Rife. Rad. Eff., Phys. Lett., 69, 3060 (1996).

78, 337 (1982). [77] S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in [43] S.E. Donnelly. Rad. Eff., 90, 1 (1985). Crystalline Semiconductors (Heidelberg, Springer Verlag, [44] C.C. Griffioen, J.H. Evans, P.C. De Jong, A. Van Veen. Nucl. 1992).

Instr. Meth. B., 27, 417 (1987). [78] S.M. Myers, D.M. Follstaedt, D.M. Bishop. Mater. Res. Soc.

[45] V. Raineri, P.G. Fallica, G. Percolla, A. Battaglia, M. Barba- Symp. Proc., 316, 53 (1994).

gallo, S.U. Campisano. J. Appl. Phys., 78, 3727 (1995). [79] S.M. Myers, G.A. Petersen, C.H. Seager. J. Appl. Phys., 80, [46] R. Tonini, F. Corni, S. Frabboni, G. Ottaviani, C.F. Cerofolini. 3717 (1996).

J. Appl. Phys., 84, 4202 (1998). [80] V.V. Kozlovski, L.F. Zakharenkov. Rad. Eff. Def. Sol., 138, [47] D.M. Follstaedt. Appl. Phys. Lett., 62, 1116 (1993). (1996).

[48] D.J. Eaglesham, A.E. White, L.C. Feldman, N. Moriya, [81] V.V. Kozlovski, L.F. Zakharenkov, T.I. Kol’chenko, V.M. LoD.C. Jacobson. Phys. Rev. Lett., 70, 1643 (1993). mako. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 63 (1996).

[49] S.M. Myers, D.M. Follstaedt, H.J. Stein, W.R. Wampler. Phys. [82] В.В. Козловский. Поверхность, 8, 66 (1997).

Rev. B, 45, 3914 (1992). [83] В.А. Дидик, В.В. Козловский, Р.Ш. Малкович, Е.А. Скоря[50] C.F. Cerofolini, L. Meda, R. Balboni, F. Corni, S. Frabboni, тина. ФТТ, 40, 2189 (1998).

G. Ottaviani, R. Tonini, M. Anderle, R. Canteri. Phys. Rev. B, Редактор Т.А. Полянская 46, 2061 (1992).

[51] R.N. Hall. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS–31, 320 (1984).

Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. Модифицирование полупроводников пучками протонов Modification of semiconductors by proton beams V.V. Kozlovski, V.A. Kozlov, V.N. Lomasov St.Petersburg State Technical University, 195251 St. Petersburg, Russia Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Abstract

This work presents a review of progress in proton beam modification of semiconductors: proton-enhanced diffusion, ion beam mixing and porous layers formation. It has been shown that the method of modification in question (the doping) opens up new vistas in monitoring properties of semiconductor materials and devices against methods of the conventional doping such as diffusion, epitaxy and ion implantation.

2 Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып.

Pages:     | 1 |   ...   | 5 | 6 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.